Modellierung und Simulation der Diffusion von Aluminium in Silicium

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Zur Vermeidung der bei der Fertigung von konventionellen Leistungshalbleitern durch die hohe thermische Belastung auftretende Defektbildung werden innerhalb des Schwerpunktprogramms Kurzzeitprozesse zur Fertigung von Dioden und abschaltbaren Thyristoren eingesetzt. Damit wurden bei p-n-Übergängen mit einer Tiefe von bis zu 3 µm bereits Sperrspannungen bis 3 kV erreicht. Dabei wird Aluminium eingesetzt, weil es das in Silicium am schnellsten diffundierende Akzeptorelement ist. Die Diffusion von Aluminium ist jedoch vor allem für niedrige Temperaturen und kurze Prozeßzeiten nicht ausreichend charakterisiert und parametrisiert. Ziel der hier beantragten Arbeiten ist es, das Wissen über die Diffusion von Aluminium so zu veressern, daß die Entwicklung von neuen Leistungshalbleitern in Silicium wirkungsvoll durch die Simulation der Fertigungsprozesse unterstützt werden kann.