Modellierung und Simulation der Diffusion von Aluminium in Silicium

铝在硅中扩散的建模和仿真

• 批准号: 5377433
• 负责人: Professor Dr.-Ing. Heiner Ryssel
• 金额: --
• 依托单位: Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 1997
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1996-12-31 至 2002-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5377433?language=en
• 关键词: Modellierung; und; Simulation; der; Diffusion

Zur Vermeidung der bei der Fertigung von konventionellen Leistungshalbleitern durch die hohe thermische Belastung auftretende Defektbildung werden innerhalb des Schwerpunktprogramms Kurzzeitprozesse zur Fertigung von Dioden und abschaltbaren Thyristoren eingesetzt. Damit wurden bei p-n-Übergängen mit einer Tiefe von bis zu 3 µm bereits Sperrspannungen bis 3 kV erreicht. Dabei wird Aluminium eingesetzt, weil es das in Silicium am schnellsten diffundierende Akzeptorelement ist. Die Diffusion von Aluminium ist jedoch vor allem für niedrige Temperaturen und kurze Prozeßzeiten nicht ausreichend charakterisiert und parametrisiert. Ziel der hier beantragten Arbeiten ist es, das Wissen über die Diffusion von Aluminium so zu veressern, daß die Entwicklung von neuen Leistungshalbleitern in Silicium wirkungsvoll durch die Simulation der Fertigungsprozesse unterstützt werden kann.

在传统的发光材料的培养过程中，通过高温热的加热来提高韦尔登的培养效果，这是发光二极管的培养过程中的一个重要环节，也是发光二极管的培养过程中的一个重要环节。Damit wurden bei p-n-Übergängen mit einer Tiefe von bis zu 3 µm bereits Sperrspannungen bis 3 kV erreicht.大北有铝，因为硅是一种很难理解的元素。铝的扩散主要是由于温度和工艺参数的不同而导致的。因此，通过对铝扩散过程的研究，我们可以通过韦尔登复合材料的模拟来研究硅铝复合材料中新材料的发展。