Räumliche Winkelverteilung von gesputterten und rückgestreuten Atomen bei der Ionenbestrahlung unter streifenden Winkeln

掠射角离子照射过程中溅射和背散射原子的空间角分布

• 批准号: 22341594
• 负责人: Professor Dr.-Ing. Heiner Ryssel
• 金额: --
• 依托单位: Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2005
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2004-12-31 至 2009-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/22341594?language=en
• 关键词: umliche; Winkelverteilung; von; gesputterten; und

Fokussierte Ionenstrahlen (Focused Ion Beams, FIB) werden in der Mikroelektronik zur lokalen Abtragung von Materialien durch das Ionensputtern verwendet. Durch eine sehr feine Fokussierung von Ionenstrahlen können Halbleiterstrukturen mit kritischen Abmessungen im Nanometerbereich angefertigt werden. Die örtliche Auflösung der Materialstrukturierung mit fokussierten Ionenstrahlen wird durch mehrere physikalische Effekte beschränkt. Einer dieser Effekte ist die Redeposition des gesputterten Materials in Kombination mit einer besonderen anisotropen Form der Winkelverteilungen der gesputterten Atome. Die existierenden Modelle der FIB-Strukturierung vernachlässigen die Anisotropie der Winkelverteilungen und sind deshalb nicht in der Lage, die örtliche Auflösung der FIB-Strukturierung im Nanometerbereich adäquat zu beschreiben. In diesem Projekt sollen die anisotrope Winkelverteilungen der gesputterten Atome, die beim streifenden Ioneneinfall auftreten, experimentell und theoretisch untersucht werden. Es soll ein physikalisches Modell für die FIB-Strukturierung aufgestellt und anhand experimenteller Daten verifiziert werden.

聚焦离子束（FIB）在微电子学、光学、材料等方面的应用。荷兰研究人员研究了纳米材料的纳米结构，并对纳米材料进行了研究。Die örtliche Auflösung der Materialstrukturierung mit fokussierten Ionenstrahlen wind - mehrere physikalische Effekte beschränkt。本研究的主要内容是：材料的再沉积与材料各向异性的复合。Die existtierenden Modelle der FIB-Strukturierung vernachlässigen Die Anisotropie der Winkelverteilungen and sshashight in large, Die örtliche Auflösung der FIB-Strukturierung in Nanometerbereich adäquat zu beschreiben。在dieem项目中，研究了原子的各向异性，原子的各向异性，原子的各向异性，原子的各向异性，原子的各向异性，原子的各向异性，原子的各向异性，原子的各向异性，原子的各向异性，原子的各向异性。本论文主要研究物理模型、结构模型、结构模型、实验模型和数据验证方法。

项目成果

Simulation of focused ion beam etching by coupling a topography simulator and a Monte-Carlo sputtering yield simulator

通过耦合形貌模拟器和蒙特卡罗溅射产量模拟器来模拟聚焦离子束蚀刻

• DOI: 10.1016/j.mee.2009.11.007
• 发表时间: 2009
• 期刊: Microelectronic Engineering
• 影响因子: 2.3
• 作者: D. Kunder;E. Bär;M. Sekowski;P. Pichler;M. Rommel
• 通讯作者: M. Rommel

2D Angular distributions of ion sputtered germanium atoms under grazing incidence

掠入射下离子溅射锗原子的二维角分布

• DOI: 10.1016/j.mee.2009.11.068
• 发表时间: 2009
• 期刊: Microelectronic Engineering
• 影响因子: 2.3
• 作者: M. Sekowski;A. Burenkov;H. Ryssel
• 通讯作者: H. Ryssel