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Räumliche Winkelverteilung von gesputterten und rückgestreuten Atomen bei der Ionenbestrahlung unter streifenden Winkeln

Räumliche Winkelverteilung von gesputterten und rückgestreuten Atomen bei der Ionenbestrahlung unter streifenden Winkeln
掠射角离子照射过程中溅射和背散射原子的空间角分布
批准号:
22341594
负责人:
Professor Dr.-Ing. Heiner Ryssel
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2005
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2004-12-31 至 2009-12-31

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
Fokussierte Ionenstrahlen(聚焦离子束,FIB)被放置在Mikroelektronik zur lokalen Abtragung von Materien dch das Ionensputtern verwendet中。他说:“我不知道这是怎么回事。”从材料的角度来看,这是一件非常重要的事情。Einer Dieseser Effecte ist Des Gesputten Material Des Gesputten Material in Kombination MIT einer beonderen Beonderen Underen Form der Gesputten atome Des Gesputten atome.在Der Lage,dieörtliche AuflöSong der FIB-Strukturierung im Nanomterterberich adäquat zu bechreiben in der Lage,dieörtliche AuflöSong der FIB-Strukturierung im Nanomterterbereich adäquat zu bechreiben in der Lage,dieörtliche AuflöSong der FIB-Strukturierung vernachlässigen Diistierenden Modelle der FIB-Strukturierung vernachlässigen Diistierenden Modelle der FIB-Strukturierung vernachlässigen Diistierenden Model der FIB-Strukturierung本文从理论和实验两个方面对各向异性材料进行了实验和理论研究。在物理模型中的唯一一种是FIB-Strukturierung aufegellt和一个手工实验者Daten Verifiziert。
英文摘要
Fokussierte Ionenstrahlen (Focused Ion Beams, FIB) werden in der Mikroelektronik zur lokalen Abtragung von Materialien durch das Ionensputtern verwendet. Durch eine sehr feine Fokussierung von Ionenstrahlen können Halbleiterstrukturen mit kritischen Abmessungen im Nanometerbereich angefertigt werden. Die örtliche Auflösung der Materialstrukturierung mit fokussierten Ionenstrahlen wird durch mehrere physikalische Effekte beschränkt. Einer dieser Effekte ist die Redeposition des gesputterten Materials in Kombination mit einer besonderen anisotropen Form der Winkelverteilungen der gesputterten Atome. Die existierenden Modelle der FIB-Strukturierung vernachlässigen die Anisotropie der Winkelverteilungen und sind deshalb nicht in der Lage, die örtliche Auflösung der FIB-Strukturierung im Nanometerbereich adäquat zu beschreiben. In diesem Projekt sollen die anisotrope Winkelverteilungen der gesputterten Atome, die beim streifenden Ioneneinfall auftreten, experimentell und theoretisch untersucht werden. Es soll ein physikalisches Modell für die FIB-Strukturierung aufgestellt und anhand experimenteller Daten verifiziert werden.
期刊论文(2)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Simulation of focused ion beam etching by coupling a topography simulator and a Monte-Carlo sputtering yield simulator
通过耦合形貌模拟器和蒙特卡罗溅射产量模拟器来模拟聚焦离子束蚀刻
DOI: 10.1016/j.mee.2009.11.007
发表时间: 2009
期刊: Microelectronic Engineering
影响因子: 2.3
作者: [D. Kunder, E. Bär, M. Sekowski, P. Pichler, M. Rommel]
通讯作者: M. Rommel
2D Angular distributions of ion sputtered germanium atoms under grazing incidence
掠入射下离子溅射锗原子的二维角分布
DOI: 10.1016/j.mee.2009.11.068
发表时间: 2009
期刊: Microelectronic Engineering
影响因子: 2.3
作者: [M. Sekowski, A. Burenkov, H. Ryssel]
通讯作者: H. Ryssel
Aufbau einer mit Reaktivgas gefüllten, hochgenauen Atomresonanzzelle mittels Ionenimplantation
  • 批准号:
    136252418
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2009
  • 负责人:
    Professor Dr.-Ing. Heiner Ryssel
  • 依托单位:
Experimentelle Bestimmung der thermodynamischen und kinetischen Eigenschaften von Gitterleerstellen in Silicium
  • 批准号:
    16912745
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2006
  • 负责人:
    Professor Dr.-Ing. Heiner Ryssel
  • 依托单位:
Distribution, Segregation and Dose-loss of Dopants in Deca-nanometer SOI Structures
  • 批准号:
    5403828
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2003
  • 负责人:
    Professor Dr.-Ing. Heiner Ryssel
  • 依托单位:
CVD-Prozesse mit neuartigen metallorganischen Precursoren zur Herstellung von hoch-Epsilon Gatedielektrika und metallischen Gatelektroden zukünftiger CMOS-Generation
  • 批准号:
    5313518
  • 项目类别:
    Priority Programmes
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2001
  • 负责人:
    Professor Dr.-Ing. Heiner Ryssel
  • 依托单位:
海外基金