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超LSIの完全ドライ・トータル低温製造ラインシステムの試作研究

超大规模集成电路全干式全低温生产线系统原型研究

基本信息

批准号：
04505002
负责人：
大見忠弘
金额：
$ 26.18万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (A)
财政年份：
1992
资助国家：
日本
起止时间：
1992 至 1993
项目状态：
已结题

项目摘要

前年度の装置技術を主体とした基礎開発に続き、本年度は製造ライントータルシステムとしてのさらなる性能向上の研究、各製造プロセス低温化の研究、さらにデバイス試作によるドライ、トータル低温製造プロセスの有効性の検証等を行った。まず、本システムの基本となる乾燥N_2ガス中、もしくは減圧雰囲気下でのウェハ搬送では、静電気発生によるパーティクルの付着やデバイスの破壊が大きな問題となっているが、軟X線及び真空紫外線を用いた新たな除電技術の開発によりこれを解決した。金属の発塵や、電磁ノイズの発生を一切伴わない、極めて迅速で且つクリーンな除電技術を実現した。高性能微細デバイス実現の鍵は、精密なドーパントプロファイルの制御であるが、低エネルギイオンプロセスにおける精密プラズマ制御技術により、任意のキャリヤプロファイルを半導体基板中につくり出すことに成功した。これは、高性能極微細デバイスの製作に非常に有効な技術である。さらに、450℃アニールでイオン注入層を再結晶化させ、10^<-8>A/cm^2という低リーク電流の接合を形成することにも成功した。さらに、これまで最大の難関であったゲート酸化膜形成も、イオンアシスト酸化により、450℃という超低温での成長に成功した。このように全てのプロセスを450℃以下で行うトータル低温化プロセスをドライプロセスで確立したのである。さらにこれらのプロセスを用いて実際にMOSFETを試作し、その可能性を実証した。

In the past year, the company has conducted research on the basic development of equipment technology, and in the current year, it has conducted research on improving the performance of production equipment, research on the low temperature of various production equipment, and research on the feasibility of production equipment at low temperature. In addition, the basic technology of the present invention is dry N_2 gas, which can be transported under reduced pressure, electrostatic generation, soft X-ray and vacuum ultraviolet ray. Metal dust emission, electromagnetic emission, all kinds of accompanying, extremely rapid and high-voltage elimination technology is realized High performance micro-chip implementation key, precision, low cost, precision, control technology, arbitrary micro-chip implementation success in semiconductor substrates. The production of high-performance fine dust particles is very important. At 450℃, the implanted layer was recrystallized, and the junction was successfully formed at 10^<-8>A/cm2. The biggest difficulty is the formation of acidified film, which is successfully grown at 450℃ and ultra-low temperature. The temperature of the whole plant is below 450℃, and the temperature of the plant is below 450℃. This is the first time that a MOSFET has been tested and demonstrated.