新規増炭反応を誘起する半導体光触媒反応プロセスの開発
新規増炭反応を誘起する半導体光触媒反応プロセスの開発
批准号:
05855123
负责人:
大谷 文章
金额:
$0.51万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1993
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1993 至 --
中文摘要
半導体光触媒反応による二酸化炭素を炭素源とする有機化合物の増炭カルボキシル化反応プロセスの開発をめざした。まず、トルエンに酸化チタンや硫化カドミウムなどの半導体粉末を懸濁させ、二酸化炭素雰囲気下、室温において光照射を行った。半導体の種類、白金などの担持金属の種類、およびその担持方法などを種々変化させて実験を行ったが、液体クロマトグラフをはじめとする各種分析方法によっても目標とするフェニル酢酸の生成は認められなかった。半導体の光吸収により生じる励起電子と正孔が、それぞれ二酸化炭素とトルエンを還元・酸化することにより、二酸化炭素アニオンラジカルとベンジルラジカルが生じ、これらの再結合反応によりフェニル酢酸が生成することが期待されたが、アニオンラジカルがさらに還元されてギ酸になったものと考えた。次に、ベンジルアミン水溶液に白金担持酸化チタンを懸濁させ、二酸化炭素雰囲気、室温で光照射を行った。不活性ガス雰囲気下では、二量化反応が起こりジベンジルアミンが生成するが、二酸化炭素雰囲気下では、ジベンジルアミン生成の前駆体であるシッフ塩基が還元されて生じるアニオンラジカルが二酸化炭素を攻撃し、N-ベンジルフェニルグリシンが生成することが期待できる。液体クロマトグラフ分析では、ジベンジルアミン以外の目的生成物は認められなかった。また、反応混合物をトリメチルシリル(TMS)化処理した後のGC-MS分析では、目的生成物に帰属できるピークが出現したが、詳細に検討したところ、TMS化により生じたもので光触媒反応とは無関係であった。トルエン系、ベンジルアミン系のいずれの反応でも、還元反応は半導体粉末上に担持させた白金微粒子上で進行すると考えられる。この還元は、電子移動ではなく、水素原子移動(付加)で進行するため、期待した一電子移動反応(アニオンラジカルの生成)が起こらなかったものと推察した。
英文摘要
半導体光触媒反応による二酸化炭素を炭素源とする有機化合物の増炭カルボキシル化反応プロセスの開発をめざした。まず、トルエンに酸化チタンや硫化カドミウムなどの半導体粉末を懸濁させ、二酸化炭素雰囲気下、室温において光照射を行った。半導体の種類、白金などの担持金属の種類、およびその担持方法などを種々変化させて実験を行ったが、液体クロマトグラフをはじめとする各種分析方法によっても目標とするフェニル酢酸の生成は認められなかった。半導体の光吸収により生じる励起電子と正孔が、それぞれ二酸化炭素とトルエンを還元・酸化することにより、二酸化炭素アニオンラジカルとベンジルラジカルが生じ、これらの再結合反応によりフェニル酢酸が生成することが期待されたが、アニオンラジカルがさらに還元されてギ酸になったものと考えた。次に、ベンジルアミン水溶液に白金担持酸化チタンを懸濁させ、二酸化炭素雰囲気、室温で光照射を行った。不活性ガス雰囲気下では、二量化反応が起こりジベンジルアミンが生成するが、二酸化炭素雰囲気下では、ジベンジルアミン生成の前駆体であるシッフ塩基が還元されて生じるアニオンラジカルが二酸化炭素を攻撃し、N-ベンジルフェニルグリシンが生成することが期待できる。液体クロマトグラフ分析では、ジベンジルアミン以外の目的生成物は認められなかった。また、反応混合物をトリメチルシリル(TMS)化処理した後のGC-MS分析では、目的生成物に帰属できるピークが出現したが、詳細に検討したところ、TMS化により生じたもので光触媒反応とは無関係であった。トルエン系、ベンジルアミン系のいずれの反応でも、還元反応は半導体粉末上に担持させた白金微粒子上で進行すると考えられる。この還元は、電子移動ではなく、水素原子移動(付加)で進行するため、期待した一電子移動反応(アニオンラジカルの生成)が起こらなかったものと推察した。
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Mechanism of Multielectron Reduction of Oxygen by Copper Oxide Clusters in Photocatalytic Mineralizations
-
批准号:16F16719
-
项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
-
资助金额:$1.41万
-
财政年份:2016
-
负责人:大谷 文章
-
依托单位:
表面プラズモン吸収励起光触媒反応の機構解明と高効率化
-
批准号:20043003
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$1.34万
-
财政年份:2008
-
负责人:大谷 文章
-
依托单位:
二重励起光音響分光法の開発と光触媒材料への応用
-
批准号:18655050
-
项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
-
资助金额:$2.37万
-
财政年份:2006
-
负责人:大谷 文章
-
依托单位:
異方性結合部位をもつ微粒子および集合体の開発
-
批准号:16655084
-
项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
-
资助金额:$2.37万
-
财政年份:2004
-
负责人:大谷 文章
-
依托单位:
L-リシン誘導体の光触媒変換による高純度L-ピペコリン酸の合成
-
批准号:14044003
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$2.88万
-
财政年份:2002
-
负责人:大谷 文章
-
依托单位:
作用スペクトル解析による光触媒活性構造の解明と設計
-
批准号:14050007
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$1.47万
-
财政年份:2002
-
负责人:大谷 文章
-
依托单位:
不斉結晶光触媒反応によるキラリティの創出
-
批准号:12874083
-
项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
-
资助金额:$1.47万
-
财政年份:2000
-
负责人:大谷 文章
-
依托单位:
光触媒反応による新規有用有機化合物合成系の開発
-
批准号:99F00302
-
项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
-
资助金额:$1.15万
-
财政年份:2000
-
负责人:大谷 文章
-
依托单位:
半導体光触媒による新規炭素―炭素結合生成反応の開拓
-
批准号:11119202
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
-
资助金额:$1.47万
-
财政年份:1999
-
负责人:大谷 文章
-
依托单位:
半導体単結晶電極の光励起初期過程の解明
-
批准号:11118208
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
-
资助金额:$1.34万
-
财政年份:1999
-
负责人:大谷 文章
-
依托单位:
自己組織化法による半導体ナノ粒子層膜の構築
-
批准号:10127202
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
-
资助金额:$0.96万
-
财政年份:1998
-
负责人:大谷 文章
-
依托单位:
不斉表面の設計と応用
-
批准号:10875169
-
项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
-
资助金额:$1.41万
-
财政年份:1998
-
负责人:大谷 文章
-
依托单位:
機能性単分子層の自己組織化と電気化学走査プローブ顕微鏡による超構造制御
-
批准号:09217203
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$1.34万
-
财政年份:1997
-
负责人:大谷 文章
-
依托单位:
立体選択的光触媒反応-反応場制御による新規有機合成反応系の開拓
-
批准号:09218202
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$1.02万
-
财政年份:1997
-
负责人:大谷 文章
-
依托单位:
自己組織化法による半導体ナノ粒子の構築
-
批准号:09233204
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$1.54万
-
财政年份:1997
-
负责人:大谷 文章
-
依托单位:
形状選択性を有する新規半導体光触媒反応系の構築
-
批准号:08218232
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$1.15万
-
财政年份:1996
-
负责人:大谷 文章
-
依托单位:
半導体表面における立体選択的光電子移動反応系の開発
-
批准号:07215237
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$0.83万
-
财政年份:1995
-
负责人:大谷 文章
-
依托单位:
形状選択性を有する新規半導体光触媒反応系の構築
-
批准号:07228233
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$1.34万
-
财政年份:1995
-
负责人:大谷 文章
-
依托单位:
半導体表面における立体選択的光電子移動反応系の開発
-
批准号:06226236
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$0.45万
-
财政年份:1994
-
负责人:大谷 文章
-
依托单位:
形状選択性を有する新規半導体光触媒反応系の構築
-
批准号:06239235
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$0.51万
-
财政年份:1994
-
负责人:大谷 文章
-
依托单位:
海外基金