ECRエッチングプラズマ中のラジカル反応機構および制御に関する研究

ECR刻蚀等离子体自由基反应机理及控制研究

• 批准号: 06750026
• 负责人: 堀 勝
• 金额: $ 0.64万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1994
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1994 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06750026/
• 关键词: ラジカル; プラズマ; ECR; エッチング; フルオロカーボン; レーザー; 赤外分光; 放電

1.ECR励起オン・オフ変調CHF3エッチングプラズマにおいて,赤外半導体レーザー吸収分光法を用いて,ECRポイントにできる限り近い領域におけるCF,CF_2,CF_3ラジカル密度およびラジカルの生成・消滅過程を計測し,ラジカルの振舞いを明らかにした.ECR近傍とECR下流におけるラジカル密度と比較した結果,ラジカルの寿命が非常に長いため,ラジカル密度に大きな相違はないことが判明した.2.オン・オフ放電変調方式により,ECR励起CHF_3エッチングプラズマ中のCF,CF_2,CF_3ラジカルの密度比を制御できることを示し,これらのラジカルとフルオロカーボン膜の堆積速度・組成との関係を高感度フーリエ変換赤外分光装置およびX線光電子分光装置を用いて調べた.その結果,高精度エッチングプロセスにおけるフルオロカーボン膜形成にCF_2ラジカルが寄与していることを明らかにした.3.赤外半導体レーザー吸収分光法を用いて,ECR励起CF_4,C_3F_6,C_4F_8エッチングプラズマ中のCF,CF_2,CF_3ラジカル密度をはじめて系統的に計測し,ラジカルの振舞いを明らかにした.CF_2ラジカル密度は,用いるガスの組成(C/F)比に比例して増加することを見出した.さらに,水素添加によるラジカル密度への影響を調べ,高精度エッチング時におけるラジカルの組成を明らかにした.

1. ECR excitation, CHF3, CHF3, CHF3, The life span of CF_2, CF_3 and CF_3 is very long, and the density ratio of CF_2, CF_3 and CF_3 is very high. The relationship between the deposition rate and composition of the film and the high sensitivity of the X-ray photoelectron spectrometer is discussed. 3. Measurement of CF_2, CF_3, CF_4, C_3F_6, C_4F_8, CF_3, CF_4, CF_4, CF_2 density ratio, C/F ratio, C/F ratio In addition, the effect of water element addition on the density of the sample was adjusted, and the composition of the sample was clarified with high precision.

项目成果

Kunimasa Takahasi: "CF_X(X=1-3) Radical Controlled by On-Off Modulated Electron Cyclotron Resonance Plasma and Their Effects on Polymer Film Deposition" Jpn.J.Appl.Phys.33. 4181-4185 (1994)

Kunimasa Takahasi：“开关调制电子回旋共振等离子体控制的CF_X(X=1-3)自由基及其对聚合物薄膜沉积的影响”Jpn.J.Appl.Phys.33。

Kunimasa Takahashi: "Characteristics of Fluorocarbon Radical and CHF3 Molecule in CHF3 Electron Cyclotron Resonance Downstream Plasma" Jpn.J.Appl.Phys.33. 4745-4751 (1994)

Kunimasa Takahashi：“CHF3电子回旋共振下游等离子体中氟碳自由基和CHF3分子的特征”Jpn.J.Appl.Phys.33。

Koji Miyata: "CF_X(X=1-3) Radical Measurements in ECR Etching Employing C4F8 Gas by Infrared Diode Laser Absorption Spectroscopy" Jpn.J.Appl.Phys.34(掲載可). (1995)

Koji Miyata：“通过红外二极管激光吸收光谱法使用 C4F8 气体进行 ECR 蚀刻中的 CF_X(X=1-3) 激进测量”Jpn.J.Appl.Phys.34（可出版）。