Strukturelle Charakterisierung von elektrisch und optisch wirksamen Punktdefekten in Siliziumkarbid unterschiedlicher Polytypen

这是一条新的道路，是一条新路。Erste Bauelemente Wurden失去了它的真实身份。技术问题不是L的技术问题，而是技术问题和技术问题。这是一件很重要的事情，因为这是一件很重要的事情。这是一种新的电子技术和离子注入技术，它是由一种外延的电子湮灭和一种外延的碳化硅材料制成的。这是一种新的方法，它是一种新的技术方法，它是一种新的技术组合方法。我们研究了一代又一代的微型人工晶体植入技术。

Siliziumkarbid ist ein vielversprechender Werkstoff für die Leistungselektronik. Erste Bauelemente wurden bereits realisiert. Bis zu seiner massenhaften Verbreitung sind jedoch noch wichtige technologische Probleme zu lösen, von denen die meisten mit dem Auftreten von Punktdefekten verbunden sind. Das beantragte Projekt stellt sich zum Ziel, das gesicherte Wissen speziell von leerstellenartigen Defekten deutlich auszudehnen. Dazu sollen korrelierte Experimente mit Hilfe verschiedener Techniken (vorwiegend Positronenannihilation und DLTS) vor allem an epitaktischen SiC-Schichten, aber auch an SiC-Einkristallen im as-grown-Zustand, nach Elektronenbestrahlung und nach Ionenimplantation (He+ und Dotanden) durchgeführt werden. Durch die spezifischen Aussagemöglichkeiten dieser Methodenkombination zur Identifizierung speziell von leerstellenartigen Defekten werden detaillierte Aussagen zur Defektbildung, zu Defektreaktionen und zur Ausheilung dieser Defektklasse erwartet. Zur Minimierung von Implantationsdefekten soll die Defektgeneration bei hohen Wafertemperaturen studiert werden.