Strukturelle Charakterisierung von elektrisch und optisch wirksamen Punktdefekten in Siliziumkarbid unterschiedlicher Polytypen

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Siliziumkarbid ist ein vielversprechender Werkstoff für die Leistungselektronik. Erste Bauelemente wurden bereits realisiert. Bis zu seiner massenhaften Verbreitung sind jedoch noch wichtige technologische Probleme zu lösen, von denen die meisten mit dem Auftreten von Punktdefekten verbunden sind. Das beantragte Projekt stellt sich zum Ziel, das gesicherte Wissen speziell von leerstellenartigen Defekten deutlich auszudehnen. Dazu sollen korrelierte Experimente mit Hilfe verschiedener Techniken (vorwiegend Positronenannihilation und DLTS) vor allem an epitaktischen SiC-Schichten, aber auch an SiC-Einkristallen im as-grown-Zustand, nach Elektronenbestrahlung und nach Ionenimplantation (He+ und Dotanden) durchgeführt werden. Durch die spezifischen Aussagemöglichkeiten dieser Methodenkombination zur Identifizierung speziell von leerstellenartigen Defekten werden detaillierte Aussagen zur Defektbildung, zu Defektreaktionen und zur Ausheilung dieser Defektklasse erwartet. Zur Minimierung von Implantationsdefekten soll die Defektgeneration bei hohen Wafertemperaturen studiert werden.