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d-π複合電子系単成分電気伝導体の次元構造制御

d-π复合电子单组分电导体的空间结构控制

基本信息

批准号：
10149201
负责人：
中村貴義
金额：
$ 0.96万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份：
1998
资助国家：
日本
起止时间：
1998 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-10149201/
关键词：
単分子導電体金属ジチオレン錯体自己組織化膜 IR-RAS LB膜単分子膜 AFM

项目摘要

1.単成分導電体のLB法による超薄膜形成単成分導電体の前駆体である(C_<10>H_<21>)_3NCH_3[AU(tmdt)_2]を合成し,LB法を用いて超薄膜化した。アンモニウムのアルキル鎖間の相互作用により、高度に秩序化した膜が固体基板上に形成された。中心金属としては比較的空気による酸化を受けにくい金を用いた。膜形成後、電気化学的酸化により膜の秩序状態をなるべく維持しながら単成分導電体に変換することを試みた。2.超薄膜系の構造および電子物性評価薄膜の構造評価は、偏光UV一Vis-NIR、透過IRおよびIR-RASを用いて行った。その結果、金蒸着膜表面に累積を行った場合、monovalent塩のLB膜が形成していることが判明した。引き続く電気化学処理により、LBまくは中性塩に酸化されることが示唆された。一方、ガラスやフッ化カルシウム結晶上では、LB膜の形成過程で、膜が中性状態に酸化されていることが判明した。LB膜の電気化学的酸化により、2S/cm程度の電気伝導性が得られた。3.無機-有機へテロ界面における新規d-π複合電子系の構築新規d-π複合電子系を、無機-有機へテロ界面において構築した。TTF系ジチオレートアニオンを用い、金電極上に酸化的に薄膜を構築した。電極電位を規制することで、膜の形成および酸化状態の制御が可能である。膜の形成及びその酸化状態についてはIR-RASを用いての評価も行った。現在、AFMを用いて膜の構造について検討を行っている。

1. 単 composition of conductive の LB method による ultrathin membrane formation 単 composition of conductive の駆 body before である (C_ 10 > < H_ < 21 >) _3NCH_3 [AU (TMDT) _2] しを synthesis, LB method を with いて ultrathin membrane change した. アンモニウムのアルキルの interaction between lock により, highly に bringing した membrane が solid substrate に form された. The central metal とてて is compared with the gas による acidified を is given by けにくけにく gold を is used by たた. Membrane formation after chemical acidification, electricity 気により membrane の order status をなるべく maintain しながら単 composition of conductive に variations in することを try みた. 2. Ultrathin film system <s:1> structure および electronic property evaluation 価 thin film <s:1> structure evaluation 価 polarized UV-VIS-nIR, transmission IRおよび IR-ras を use てて lines った. その results on the membrane surface, gold steamed に cumulative を line った occasions, monovalent salt の LB film が form していることが.at した. The electrochemical treatment of 続く続く, LBまくまく neutral salt に acidification されるとがとが and とが suggest された. One party, ガラスやフッ change カルシウム crystallization on では, LB film formation ので, film が neutral state に acidification されていることが.at した. The acidification of the LB film due to <s:1> electrical chemistry によ, the 2S/cm degree of <s:1> electrical 伝 conductivity が obtained られた. 3. Inorganic - organic へテロ interface における new rules on d - PI composite an electronics の constructs new rules d - PI composite an electronics を, inorganic and organic へテロ interface において build した. The TTF series ジチ, レ, <s:1>, トアニ, <s:1>, を and を are constructed with に acidified に films を on the に gold electrode to form た. Electrode potential を regulates するとでとで, and membrane <s:1> formation および acidified state <e:1> controls が possibly である. The formation of membrane <s:1> and the acidification state of びそ <e:1> にったてて <s:1> IR-RASを is evaluated by <s:1> て <e:1> った to assess 価価 and った. Now, AFMを uses the <s:1> て membrane <s:1> to construct にて検て検て検 to discuss を lines ってるる.