课题基金 / 基金详情

d-π複合電子系単成分電気伝導体の次元構造制御

d-π複合電子系単成分電気伝導体の次元構造制御
d-π复合电子单组分电导体的空间结构控制
批准号：
10149201
负责人：
中村 貴義
金额：
$0.96万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份：
1998
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1998 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-10149201/
关键词：
単分子導電体金属ジチオレン錯体自己組織化膜IR-RASLB膜単分子膜AFM

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1.単成分導電体のLB法による超薄膜形成単成分導電体の前駆体である(C_<10>H_<21>)_3NCH_3[AU(tmdt)_2]を合成し,LB法を用いて超薄膜化した。アンモニウムのアルキル鎖間の相互作用により、高度に秩序化した膜が固体基板上に形成された。中心金属としては比較的空気による酸化を受けにくい金を用いた。膜形成後、電気化学的酸化により膜の秩序状態をなるべく維持しながら単成分導電体に変換することを試みた。2.超薄膜系の構造および電子物性評価薄膜の構造評価は、偏光UV一Vis-NIR、透過IRおよびIR-RASを用いて行った。その結果、金蒸着膜表面に累積を行った場合、monovalent塩のLB膜が形成していることが判明した。引き続く電気化学処理により、LBまくは中性塩に酸化されることが示唆された。一方、ガラスやフッ化カルシウム結晶上では、LB膜の形成過程で、膜が中性状態に酸化されていることが判明した。LB膜の電気化学的酸化により、2S/cm程度の電気伝導性が得られた。3.無機-有機へテロ界面における新規d-π複合電子系の構築新規d-π複合電子系を、無機-有機へテロ界面において構築した。TTF系ジチオレートアニオンを用い、金電極上に酸化的に薄膜を構築した。電極電位を規制することで、膜の形成および酸化状態の制御が可能である。膜の形成及びその酸化状態についてはIR-RASを用いての評価も行った。現在、AFMを用いて膜の構造について検討を行っている。
期刊论文(6)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
T.Akutagawa: "Structures of Ni(dmit)_2 (dmit=2-thioxo-1,3-ditiol-4,5-dithiolate) Salts of Lithium or Ammonium Included in Crown Ether Assemblies" Thin Sold Films. 331. 264-271 (1998)
T.Akutakawa：“冠醚组件中包含的 Ni(dmit)_2 (dmit=2-thioxo-1,3-ditiol-4,5-dithiolate) 盐或铵盐的结构”薄膜。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
T.Nakamura: "A Molecular Metal with an Ion-Conducting Channel"Nature. 394. 159-161 (1998)
T.Nakamura：“具有离子传导通道的分子金属”自然。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
T.Akutagawa: "Linear Pentaidodide in the Radical Cation Salt of Tetrathiafulvalene Bisannulated Macrocycle"Inorg. Chem.. 37. 2330-2331 (1998)
T.Akutakawa：“四硫富瓦烯双环大环的自由基阳离子盐中的线性五碘化物”Inorg。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
H.Hasegawa: "A Highly Conducting Partially Oxidized Salt of Axially Substituted Phthalocyanine" J.Mater.Chem.8. 1567-1570 (1998)
H.Hasekawa：“轴向取代酞菁的高导电部分氧化盐”J.Mater.Chem.8。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 6 条
    低次元分極配列に基づくリラクサーおよび新奇磁気電気効果の開拓
    • 批准号：
      22H00311
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $27.71万
    • 财政年份：
      2022
    • 负责人：
      中村 貴義
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    『巨大分子』ポリオキサメタレートの機能化および材料化
    • 批准号：
      17655054
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.11万
    • 财政年份：
      2005
    • 负责人：
      中村 貴義
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    多価イオンポリマーをテンプレートとして用いた新規分子性材料の開発
    • 批准号：
      04F04138
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额：
      $1.54万
    • 财政年份：
      2004
    • 负责人：
      中村 貴義
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    金属ジチオレン錯体を用いた分子磁性体の機能開拓
    • 批准号：
      03F00271
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额：
      $0.77万
    • 财政年份：
      2003
    • 负责人：
      中村 貴義
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    海外基金