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d-π複合電子系単成分電気伝導体の次元構造制御

d-π复合电子单组分电导体的空间结构控制

基本信息

批准号：
12023201
负责人：
中村貴義
金额：
$ 1.02万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份：
2000
资助国家：
日本
起止时间：
2000 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-12023201/
关键词：
単成分導電体単分子膜 LB膜自己組織化膜 AFM QCM IRRAS

项目摘要

1.単成分導電体のLB法による超薄膜形成単成分導電体の前駆体である(C_<10>H_<21>)_3NCH_3[Ni(tmdt)_2]を合成し,LB法を用いて超薄膜化した。高度に秩序化した膜が固体基板上に形成された。中心金属としては比較的空気による酸化を受けにくい金を用いたが、製膜中に酸化が進行し、中性の[Ni(tmdt)_2]と思われる化学種からなる膜が形成した。膜形成後、電気化学的酸化により膜に導電性を付与することが可能であった。さらに、メタノールで洗浄することにより、膜中のアルキルアンモニウム部位を除去できることが明らかとなり、Au錯体同様、単成分導電体LB膜を得ることが出来た2.超薄膜系の構造および電子物性評価薄膜の構造評価は、偏光UV-Vis-NIR、透過IRおよびIR-RASを用いて行った。膜の酸化状態を検討したところ、LB膜の形成過程で、膜が中性状態に酸化されていることが判明した。また、ESRを用いてスピン状態の評価を試みたが、膜からのシグナルは観測出来なかった。マイカ基板上に1層累積した膜は、1ミクロン程度のドメイン構造を有しており、このようなドメイン構造が膜の導電性に影響を与えているものと示唆される。3.無機-有機へテロ界面における新規d-π複合電子系の構築新規d-π複合電子系を、無機-有機へテロ界面において構築した。TTF系ジチオレートアニオンを用い、金電極上に酸化的に薄膜を構築した。電極電位を規制することで、膜の形成および酸化状態の制御が可能である。これまでは、電位を固定して膜を作製していたが、QCMを用いた膜の形成過程の検討から、多層膜の形成が優先することが判明した。そこで、CV過程を直接用いることで膜を作製したところ、単分子膜レベルで膜の生成が止まった。QCMにおける質量変化の測定値から、分子は基板上でflat-onの配向をとっているものと考えられ、これは別途行ったSHG測定の結果と一致した。

1. The ultrathin film was formed by the LB method of the constituent leading electronics, and the 3NCH_3 [Ni (tmdt) _ 2] was synthesized. The LB method was used to synthesize the ultrathin film. Highly ordered films are formed on solid substrates. The air-to-air acidizing of the central metal alloy is affected by the use of the metal metal, the acidizing of the metal in the film is carried out, and the chemical film of the neutral metal [Ni (tmdt) _ 2] is formed. After the formation of the film, the acidizing effect of electrochemistry may affect the electrical performance of the film. In the film, there is a significant difference between the two parts of the film, the temperature in the film, the temperature, the temperature, the temperature, Ultrathin films are used to fabricate thin films for electronic physical properties, polarizing UV-Vis-NIR, and transmission through IR transistor IR-RAS. Membrane acidizing process, LB membrane formation process, neutral membrane acidification process, membrane acidification and membrane acidification. In this case, the ESR is used to make sure that the film is in the middle of the phone, and the membrane is in the middle of the state. On the substrate, there is an increase in the temperature of the film, the production of the film, the production of the film, the performance of the film, the electrical performance of the film and the temperature of the film. 3. No-machine-with-machine interface for new regulation d-π hybrid computer system for new regulation d-π hybrid computer system, and for non-machine-to-machine communication interface for hybrid computer system and machine-free communication interface. TTF is a kind of thin film which is acidified on the surface of metal electrodes, which is used in the production of metal films. The electrode potential regulates the temperature, the membrane forms the acidizing state, and the control may be affected. The electric potential fixed film is used as the filter, the QCM is used to form the process, and the multi-film is formed. In the CV process, we directly use the molecular membrane to make the membrane, and the molecular membrane to form the membrane. The results of QCM measurement are consistent with each other, and the results of SHG measurement are consistent with each other.