Laterally structured modification of magnetic properties of thin films through ion bombardment

通过离子轰击对薄膜磁性能进行横向结构改性

• 批准号: 5295692
• 负责人: Professor Dr. Arno Ehresmann
• 金额: --
• 依托单位: Fachbereich Physik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2001
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2000-12-31 至 2007-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5295692?language=en
• 关键词: Laterally; structured; modification; magnetic; properties

Die magnetischen Eigenschaften von ultradünnen magnetischen Schichten und Schichtsystemen sollen mittels Ionenbeschuß modifiziert werden. Als Ausgangspunkt des Projektes kommen aufgrund des hohen Anwendungspotentials Exchange-Bias-Schichtsysteme in Frage. Es soll untersucht werden, wie die über den Beschuss induzierten Veränderungen von den Ionenstrahlparametern Beschleunigungsspannung, Beschussrichtung und Dosis, sowie von der Art der verwendeten Ionen für bestimmte Schichtsysteme abhängen. Es sollen weiterhin die Ursachen der bewirkten Änderungen (z.B. strukturelle Veränderung von Grenzflächen bei Schichtsystemen, Veränderung der beteiligten Spinsysteme) untersucht werden. Parallel zur Klärung dieser grundsätzlichen Fragen sollen, im Hinblick auf zukünftige Anwendungen, die Änderungen der magnetischen Eigenschaften durch laterale Strukturierung mit typischen Breiten um 100 nm in die Schichten eingebracht werden, ohne dass dabei die Oberflächentopographie des Materials geändert wird. Dafür sollen geeignete Masken entworfen, elektronenstrahllithographisch hergestellt und deren Muster durch Ionenbeschuss 1:1 auf die magnetischen Schichten übertragen werden. Die Kontrolle der einzelnen Prozessschritte und die Untersuchung der erzielten Veränderungen sollen wegen der kleinen Strukturbreiten mit einem Rasterkraftmikroskop mit magnetisch empfindlicher Spitze (MFM) durchgeführt werden.

Die magnetischen Eigenschaften von ultradünnen magnetischen Schichten und Schichtsystemen sollen mittels Ionenbeschuplesmodifiziert韦尔登. Als Ausgangspunkt des Projektes kommen aufgrund des hohen Anwendungspotentials Exchange-Bias-Schichtsysteme in Frage.这是韦尔登的一个重要特点，正如它是通过对离子辐射参数进行统一的测量、测量和剂量测量，从而对离子进行最佳测量的艺术。Es sollen weiterhin die Ursachen der beautiful kten Änderungen（z.B. Strukturelle Veränderung von Grenzflächen bei Schichtsystemen，Veränderung der beteiligten Spinsysteme）untersucht韦尔登。平行地，在Hinblick上，通过在韦尔登上施加100 nm的典型短波长的横向结构，可以获得磁本征值，从而可以获得材料的上表面形貌。通过1：1的离子交换，使电磁屏蔽层工作，电子照相，并使其聚集在磁屏蔽韦尔登上。Die Kontrolle der einzelnen Prozessschritte und die Untersuchung der erzielten Veränderungen sollen wegen der kleinen Strukturbreiten mit einem Rasterkraftmikroskop mit magnetisch empfindlicher Spitze（MFM）durchgeführt韦尔登.