高電圧スクリーニング法によるセラミックスの高信頼性化に関する研究
高電圧スクリーニング法によるセラミックスの高信頼性化に関する研究
批准号:
11875190
负责人:
岸本 昭
金额:
$1.34万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份:
1999
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1999 至 2000
中文摘要
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英文摘要
我々は既に高電圧印加により、機械的に弱い部材を抜き取る高電圧スクリーニング法を提案し、いくつかの系で実証している。本研究では、応力分布の異なる機械強度試験(三点曲げ、四点曲げ、二軸曲げ)を用い、その機械強度と絶縁破壊強度の相関について検討し、高電圧によるスクリーニングの試験方法依存性について知見を得た。絶縁体試料としてチタニアセラミックスを用いた。市販粉末を一軸加圧により、直方体および円筒形に成型後、1400℃、3h焼成によりバルク試料を得た。ダイヤモンドカッターおよび手研磨により、4×12×0.3mm3およびφ=14mm,t=0.3mmの薄片試料を作製し、前者は三点曲げおよび四点曲げ試験に、後者は二軸曲げ試験に用いた。それぞれの場合について試料片を120枚作製し、半数でスクリーニング前の機械強度と絶縁強度の分布を測定し、30%の試料が絶縁破壊するスクリーニング電界を求めた。これを残りの試料に印加してスクリーニングを行い、絶縁破壊しなかった試料について機械強度分布を求め、スクリーニング前の分布と比較した。スクリーニング前の機械強度の平均値は三点曲げ:188MPa、四点曲げ:128MPa、二軸曲げ:77MPaとなり、有効体積が大きくなるにつれ平均強度が減少することを確認した。スクリーニング前後の四点曲げ強度分布から、スクリーニングにより、低強度側が高強度よりにシフトし、強度分布が小さくなることがわかった。応力によるスクリーニング(保証試験)の理論線と比較すると、高電圧スクリーニングの結果はスクリーニング前と応力スクリーニングの中間に位置することがわかった。応力スクリーニングとの関係を三点曲げと四点曲げで比較すると、後者に対する高電圧スクリーニングがより応力スクリーニングに近いことがわかった。これは四点曲げの最大応力範囲が三点曲げに比べて大きく、高電圧スクリーニングの電界により近いためであると思われる。
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岸本昭: "先端無機材料科学"昭晃堂. 181 (2000)
Akira Kishimoto:“高级无机材料科学”Shokodo 181(2000)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
N.Sadotani,S.Hirano and A.Kishimoto: "In-situ Monitoring of Indentation Fracture in Semiconductive Titania Ceramics"J.Mat.Sci.Lett.. 19[3]. 221-223 (2000)
N.Sadotani、S.Hirano 和 A.Kishimoto:“半导体二氧化钛陶瓷中压痕断裂的原位监测”J.Mat.Sci.Lett.. 19[3]。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
A.Kishimoto,H.Deguchi,K.Kikkawa.and Y.Nakamura: "Thermal shock resistance and creep behavior of dispersion strengthened ion conductive zirconia ceramics"Trans.MRS-J. 25[1]. 269-272 (2000)
A.Kishimoto,H.Deguchi,K.Kikkawa.和Y.Nakamura:“弥散强化离子导电氧化锆陶瓷的耐热冲击性和蠕变行为”Trans.MRS-J。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
A.Kishimoto, A.Nakamichi, and Y.Nakamura: "Monitoring of indentation and bending fracture in a-SiC ceramics utilizing electrical methods"J. Mat. Sci.. 34[17]. 4233-4237 (1999)
A.Kishimoto、A.Nakamichi 和 Y.Nakamura:“利用电学方法监测 a-SiC 陶瓷中的压痕和弯曲断裂”J。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
ミリ波照射を援用した迅速起動・高効率高温電気化学デバイスの構築
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批准号:23K21039
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$1.83万
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财政年份:2024
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负责人:岸本 昭
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依托单位:
Creation of rapid start-up and high-efficiency high-temperature electrochemical device using millimeter-wave irradiation
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批准号:21H01623
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$10.98万
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财政年份:2021
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负责人:岸本 昭
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依托单位:
キャリア濃度の傾斜化によるイオン伝導性セラミックスのその場強化
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批准号:17656218
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.86万
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财政年份:2005
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负责人:岸本 昭
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依托单位:
過酸化ポリタングステン酸系無機レジストの感光機構に関する研究
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批准号:05750604
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1993
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负责人:岸本 昭
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依托单位:
海外基金