Heteroepitaxy of GaAs and GaN on Si and their device applications

Si上GaAs和GaN异质外延及其器件应用

• 批准号: 12305021
• 负责人: UMENO Masayoshi
• 金额: $ 26.3万
• 依托单位: CHUBU UNIVERSITY (2001-2002)Nagoya Institute of Technology (2000)
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2000 至 2002
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-12305021/
• 关键词: Heteroepitaxy; GaAs on Si substrate; GaN on Si substrate; GaAs; Si laser; Si tandem solar cell; GaN; Si light emitting device; Si electronic device; Si MESFET; Si上LED; Si上タンデム太陽電池; Si上ヘテロエピタキシー; Si; GaAs; エピタキシャルリフトオフ(ELO); 有機金属気相成長(MOCVD)

The research results to date on heteroepitaxial GaAs and GaN semiconductors based on Si substrates have been compiled. In addition, research development on silicon based InP and device application of light emitting diode, laser, solar cell, field-effect transistor(HEMT), together with their merit and demerit for industrial application is discussed.

综述了基于Si衬底的异质外延GaAs和GaN半导体的研究成果。此外，还讨论了硅基InP的研究进展以及在发光二极管、激光器、太阳能电池、场效应晶体管（HEMT）等器件中的应用，以及它们在工业应用中的优缺点。

项目成果

M.Adachi, Y.Fujii, T.Egawa, T.Jimbo, M.Umeno: "Low Temperature Growth of GaAs on Si Substrate by Chemical Beam Epitaxy"Jpn. J. Appl. Phys.. Vol.39,No.4B. L340-L342 (2000)

M.Adachi、Y.Fujii、T.Ekawa、T.Jimbo、M.Umeno：“通过化学束外延在 Si 衬底上低温生长 GaAs”Jpn。

M.Nakaji, T.Egawa, H.Ishikawa, S.Arulkumaran, T.Jimbo: "Characteristics of BC13 Plasma-Etched GaN Schottky Diodes"Jpn. J. Appl. Phys.. Vol.41,No.4B. L493-L495 (2002)

M.Nakaji、T.Ekawa、H.Ishikawa、S.Arulkumaran、T.Jimbo：“BC13 等离子蚀刻 GaN 肖特基二极管的特性”Jpn。

T. Egawa, T. Moku, H. Ishikawa, K. Ohtsuka and T. Jimbo: "Improved Characteristics of Blue and Green InGaN-Based Light-Emitting Diodes on Si Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition"Jpn. J. Appl. Phys.. Vol.41, No. 6B. L663-664 (2002)

T. Ekawa、T. Moku、H. Ishikawa、K. Ohtsuka 和 T. Jimbo：“通过金属有机化学气相沉积在硅上生长的蓝色和绿色 InGaN 基发光二极管的改进特性”Jpn。

B. Zhang, T. Egawa, H. Ishikawa, Y. Liu and T. Jimbo: "High-Bright InGaN Multiple-Quantum-Well Blue Light-Emitting Diodes on Si(111) Using AIN/GaN Multilayers with a Thin AIN/AlGaN Buffer Layer"Jpn. J. Appl. Phys.. Vol.42, No. 3A. L226-228 (2003)

B. 张、T. Ekawa、H. Ishikawa、Y. Liu 和 T. Jimbo：“使用 AIN/GaN 多层和薄 AIN/ 的 Si(111) 上高亮度 InGaN 多量子阱蓝色发光二极管”

T. Soga, T. Jimbo, G. Wang, K. Otsuka and M. Umeno: "Hydrogen plasma passivation of GaAs on Si substrates for solar cell fabrication"J. Appl. Phys.. Vol.87, No.5. 2285-2288 (2000)

T. Soga、T. Jimbo、G. Wang、K. Otsuka 和 M. Umeno：“用于太阳能电池制造的 Si 基板上 GaAs 的氢等离子体钝化”J。