Heteroepitaxy of GaAs and GaN on Si and their device applications
Heteroepitaxy of GaAs and GaN on Si and their device applications
Si上GaAs和GaN异质外延及其器件应用
批准号：
12305021
负责人：
UMENO Masayoshi
金额：
$26.3万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2000
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2000 至 2002
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英文摘要
The research results to date on heteroepitaxial GaAs and GaN semiconductors based on Si substrates have been compiled. In addition, research development on silicon based InP and device application of light emitting diode, laser, solar cell, field-effect transistor(HEMT), together with their merit and demerit for industrial application is discussed.
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M.Adachi, Y.Fujii, T.Egawa, T.Jimbo, M.Umeno: "Low Temperature Growth of GaAs on Si Substrate by Chemical Beam Epitaxy"Jpn. J. Appl. Phys.. Vol.39,No.4B. L340-L342 (2000)
M.Adachi、Y.Fujii、T.Ekawa、T.Jimbo、M.Umeno：“通过化学束外延在 Si 衬底上低温生长 GaAs”Jpn。
M.Adachi、Y.Fujii、T.Ekawa、T.Jimbo、M.Umeno：“通过化学束外延在 Si 衬底上低温生长 GaAs”Jpn。
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
M.Nakaji, T.Egawa, H.Ishikawa, S.Arulkumaran, T.Jimbo: "Characteristics of BC13 Plasma-Etched GaN Schottky Diodes"Jpn. J. Appl. Phys.. Vol.41,No.4B. L493-L495 (2002)
M.Nakaji、T.Ekawa、H.Ishikawa、S.Arulkumaran、T.Jimbo：“BC13 等离子蚀刻 GaN 肖特基二极管的特性”Jpn。
M.Nakaji、T.Ekawa、H.Ishikawa、S.Arulkumaran、T.Jimbo：“BC13 等离子蚀刻 GaN 肖特基二极管的特性”Jpn。
DOI：
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发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
T. Egawa, T. Moku, H. Ishikawa, K. Ohtsuka and T. Jimbo: "Improved Characteristics of Blue and Green InGaN-Based Light-Emitting Diodes on Si Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition"Jpn. J. Appl. Phys.. Vol.41, No. 6B. L663-664 (2002)
T. Ekawa、T. Moku、H. Ishikawa、K. Ohtsuka 和 T. Jimbo：“通过金属有机化学气相沉积在硅上生长的蓝色和绿色 InGaN 基发光二极管的改进特性”Jpn。
T. Ekawa、T. Moku、H. Ishikawa、K. Ohtsuka 和 T. Jimbo：“通过金属有机化学气相沉积在硅上生长的蓝色和绿色 InGaN 基发光二极管的改进特性”Jpn。
DOI：
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发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
B. Zhang, T. Egawa, H. Ishikawa, Y. Liu and T. Jimbo: "High-Bright InGaN Multiple-Quantum-Well Blue Light-Emitting Diodes on Si(111) Using AIN/GaN Multilayers with a Thin AIN/AlGaN Buffer Layer"Jpn. J. Appl. Phys.. Vol.42, No. 3A. L226-228 (2003)
B. 张、T. Ekawa、H. Ishikawa、Y. Liu 和 T. Jimbo：“使用 AIN/GaN 多层和薄 AIN/ 的 Si(111) 上高亮度 InGaN 多量子阱蓝色发光二极管”
B. 张、T. Ekawa、H. Ishikawa、Y. Liu 和 T. Jimbo：“使用 AIN/GaN 多层和薄 AIN/ 的 Si(111) 上高亮度 InGaN 多量子阱蓝色发光二极管”
DOI：
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发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Z.I.Kazi, T.Egawa, T.Jimbo, M.Umeno: "First Room-Temperature Continuous-WaveOperation of Self-Formed InGaAs Quantum Dot-Like Laser on Si Substrate Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition"Jpn. J. Appl. Phys.. Vol.39,No.7A. 3860-3862 (2000)
Z.I.Kazi、T.Ekawa、T.Jimbo、M.Umeno：“首次在通过金属有机化学气相沉积生长的硅衬底上自形成 InGaAs 类量子点激光器的室温连续波操作”Jpn。
Z.I.Kazi、T.Ekawa、T.Jimbo、M.Umeno：“首次在通过金属有机化学气相沉积生长的硅衬底上自形成 InGaAs 类量子点激光器的室温连续波操作”Jpn。
DOI：
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发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
共 54 条
Studies on low-cost and environmentally-benign carbon solar cell
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批准号：09450010
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$3.52万
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财政年份：1997
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负责人：UMENO Masayoshi
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依托单位：
Studies on high-efficiency and low-cost compound semiconductor/Si tandem solar cell
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批准号：06402064
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额：$16.38万
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财政年份：1994
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负责人：UMENO Masayoshi
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依托单位：
Fabrication of high-performance and long lifetime GaAs-based laser on Si substrate
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批准号：06555013
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额：$11.52万
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财政年份：1994
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负责人：UMENO Masayoshi
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依托单位：
Hybrid growth of Inp on Si and its application to optical devices
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批准号：60460121
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
-
资助金额：$4.48万
-
财政年份：1985
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负责人：UMENO Masayoshi
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依托单位：