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Fabrication of high-performance and long lifetime GaAs-based laser on Si substrate

Fabrication of high-performance and long lifetime GaAs-based laser on Si substrate
在硅衬底上制造高性能、长寿命的砷化镓基激光器
批准号：
06555013
负责人：
UMENO Masayoshi
金额：
$11.52万
依托单位：
Nagoya Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
1994
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1994 至 1996
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06555013/
关键词：
Droplet epitaxyMetalorganic chemical vapor depositionIslandLifetestLaser on SiDislocationSelf-formedQuantum well structure暗線欠陥ピニング効果寿命量子井戸レーザー熱処理有機金属気相成長法シリコン上ガリウム砒素

项目摘要

项目成果

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We have demonstrated 300 K lasing oscillation of the self-formed AlGaAs/GaAs laser diode on Si grown by metalorganic chemical vapor deposition for the first time. The AlGaAs/GaAs laser diodes with the self-formed GaAs islands active regions on Si substrates showed the threshold current of 260 mA,the threshold current density of 5.4 kA/cm^2 and the lasing wavelength of 791 nm with the FWHM of 2.8 nm under pulsed condition at 300 K.The self-formed GaAs islands on Si grown by the droplet epitaxy exhibited a conical shape with heights of 8 nm and effective diameters of 300 nm. Compared with the conventional quantum well laser diode on Si, the self-formed laser diode on Si exhibited the improved reliability due to the reduction of the dislocation number in the active region.
期刊论文(28)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
T. Egawa et al.: "Stimulated emission from current injected InGaN/AlGaN surface emitting diode with Al reflector at room temperature" Electronics Lett.32・5. 486-487 (1996)
T. Ekawa 等人：“室温下带有 Al 反射器的电流注入 InGaN/AlGaN 表面发射二极管的受激发射”Electronics Lett.32・5 (1996)。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Y. Hasegawa et al.: "AlGaAs/GaAs light-emitting diode on a Si substrate with a self-formed GaAs islands active region grown by droplet epitaxy" Appl. Phys. Lett.68・4. 523-525 (1996)
Y. Hasekawa 等人：“通过液滴外延生长的具有自形成 GaAs 岛活性区域的 Si 衬底上的 AlGaAs/GaAs 发光二极管”Lett.68・4（1996 年）。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Y.hasegawa et al.: "Suppression of <100> dark-line defect growth in AlGaAs/InGaAs single quantum well lasers grown on Si substrates" Jpn.J.Appl.Phys.35・11. 5637-5641 (1996)
Y.hasekawa等人：“在Si衬底上生长的AlGaAs/InGaAs单量子阱激光器中<100>暗线缺陷生长的抑制”Jpn.J.Appl.Phys.35・11（1996）。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
T.Egawa et al.: "First fabrication of AlGaAs/GaAs laser diodes with GaAs islands active regions on Si grown by droplet epitaxy" Technical digest of International Electron Devices Meeting. 413-416 (1996)
T.Ekawa 等人：“首次在通过液滴外延生长的硅上制造具有 GaAs 岛有源区的 AlGaAs/GaAs 激光二极管”国际电子器件会议技术摘要。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 27 条
    Heteroepitaxy of GaAs and GaN on Si and their device applications
    Studies on low-cost and environmentally-benign carbon solar cell
    • 批准号：
      09450010
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $3.52万
    • 财政年份：
      1997
    • 负责人：
      UMENO Masayoshi
    • 依托单位：
      Nagoya Institute of Technology
    Studies on high-efficiency and low-cost compound semiconductor/Si tandem solar cell
    • 批准号：
      06402064
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $16.38万
    • 财政年份：
      1994
    • 负责人：
      UMENO Masayoshi
    • 依托单位：
      Nagoya Institute of Technology
    Hybrid growth of Inp on Si and its application to optical devices
    • 批准号：
      60460121
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $4.48万
    • 财政年份：
      1985
    • 负责人：
      UMENO Masayoshi
    • 依托单位：
      Nagoya Institute of Technology
    海外基金