Formation of virtual substrates for strained SiGe heterostructures and its application to high mobility FETs
Formation of virtual substrates for strained SiGe heterostructures and its application to high mobility FETs
应变 SiGe 异质结构虚拟衬底的形成及其在高迁移率 FET 中的应用
批准号：
13650007
负责人：
NAKAGAWA Kiyokazu
金额：
$2.05万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2001
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2001 至 2002
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
We have developed a new technique to form fully relaxed SiGe buffer layers, for fabrication of strained SiGe heterostructure devices. This technique has utilized an ion implantation method. Extremely thin (~100nm) SiGe buffer layers with almost full strain relaxation were obtained by Ar ion implantation into Si substrates before SiGe growth. The amount of strain relaxation was found to depend on ion dose and implantation energy, indication that ion-implantation-induced defects play an important role in strain relaxation.
期刊论文(12)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
K.Sawano et al.: "Surface smoothing of SiGe strained-relaxed buffer layer by chemical mechanical polishing"Material Science and Engineering B.. 89巻. 406-409 (2002)
K.Sawano等人：“通过化学机械抛光对SiGe应变松弛缓冲层进行表面平滑”材料科学与工程B..卷89. 406-409 (2002)
K.Sawano等人：“通过化学机械抛光对SiGe应变松弛缓冲层进行表面平滑”材料科学与工程B..卷89. 406-409 (2002)
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
T. Irisawa, S. Tokumitsu, T. Hattori, K. Nakagawa, S. Koh, Y. Shiraki: "Ultrahigh room-temperature hole Hall and effective mobility in Si0.3Ge0.7/Ge/Si0.3Ge0.7 heterostructures"Appl. Phys. Lett.. 81. 847-849 (2002)
T. Irisawa、S. Tokumitsu、T. Hattori、K. Nakakawa、S. Koh、Y. Shiraki：“Si0.3Ge0.7/Ge/Si0.3Ge0.7 异质结构中的超高室温空穴霍尔和有效迁移率”
T. Irisawa、S. Tokumitsu、T. Hattori、K. Nakakawa、S. Koh、Y. Shiraki：“Si0.3Ge0.7/Ge/Si0.3Ge0.7 异质结构中的超高室温空穴霍尔和有效迁移率”
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
T.Irisawa et al.: "Ultrahigh room-temperature hole Hall and effective mobility in Si0.3Ge0.7/Ge/ Si0.3Ge0.7 heterostructures"J.Appl.Phys.. 81. 847-849 (2002)
T.Irisawa 等人：“Si0.3Ge0.7/Ge/ Si0.3Ge0.7 异质结构中的超高室温空穴霍尔和有效迁移率”J.Appl.Phys.. 81. 847-849 (2002)
T.Irisawa 等人：“Si0.3Ge0.7/Ge/ Si0.3Ge0.7 异质结构中的超高室温空穴霍尔和有效迁移率”J.Appl.Phys.. 81. 847-849 (2002)
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
K. Nakagawa, S. Yamaguchi, N. Sugii, Y. Shiraki: "Reverse temperature dependence of Sb sticking on Si(100) surfaces"Materials Science and Engineering B-Solid State Materials for Advanced Technology. 89. 238-240 (2002)
K. Nakakawa、S. Yamaguchi、N. Sugii、Y. Shiraki：“Sb 粘附在 Si(100) 表面上的反向温度依赖性”材料科学与工程 B-先进技术固态材料。
K. Nakakawa、S. Yamaguchi、N. Sugii、Y. Shiraki：“Sb 粘附在 Si(100) 表面上的反向温度依赖性”材料科学与工程 B-先进技术固态材料。
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
K.Nakagawa et al.: "Reverse temperature dependence of Sb sticking on Si(100) surfaces"Material Science and Engineering B. 89巻. 238-240 (2002)
K. Nakakawa 等人：“Sb 粘附在 Si(100) 表面上的反向温度依赖性”材料科学与工程 B.卷 89. 238-240 (2002)
K. Nakakawa 等人：“Sb 粘附在 Si(100) 表面上的反向温度依赖性”材料科学与工程 B.卷 89. 238-240 (2002)
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
共 12 条
Formation technology development of high quality Ge/Si heterostructures using hydrogen radical
-
批准号：25390065
-
项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
-
资助金额：$3.33万
-
财政年份：2013
-
负责人：NAKAGAWA Kiyokazu
-
依托单位：
Development of selective heating method using microwave plasmaexcited species
-
批准号：22560007
-
项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
-
资助金额：$3.0万
-
财政年份：2010
-
负责人：NAKAGAWA Kiyokazu
-
依托单位：
Selective and rapid heating method for polycrystallization of amorphous Si using microwave plasma irradiation
-
批准号：18560007
-
项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
-
资助金额：$2.35万
-
财政年份：2006
-
负责人：NAKAGAWA Kiyokazu
-
依托单位：
The singular perturbation problem for a diffusion-advection equation
-
批准号：09640216
-
项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
-
资助金额：$1.66万
-
财政年份：1997
-
负责人：NAKAGAWA Kiyokazu
-
依托单位：