Development of selective heating method using microwave plasmaexcited species

利用微波等离子体激发物种的选择性加热方法的开发

• 批准号: 22560007
• 负责人: NAKAGAWA Kiyokazu
• 金额: $ 3万
• 依托单位: University of Yamanashi
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22560007/
• 关键词: 半導体; 固相成長; プラズマ加熱; 選択加熱; 薄膜トランジスタ; 結晶成長; 電子材料; 電子デバイス; シリコン多結晶; プラズマ

We have performed technology development to enable the selectiveand rapid heating of Ge and the transition metals using irradiation of hydrogen atoms formedby microwave excitation. We confirmed polycrystallization of amorphous Ge films depositedon glass substrates by the hydrogen atoms irradiation of around 60 seconds. In the caseof amorphous Si films which were confirmed not to be heated with hydrogen atoms, wedeposited tungsten atoms on parts of the amorphous Si films and performedpolycrystallization of the films by the lateral solid-phase growth. We have fabricatedfield effect transistors on the polycrystalline films and realized effectiveness mobilityof ～40 cm2/Vs.

我们进行了技术开发，利用微波激发形成的氢原子的照射，能够选择性地快速加热Ge和过渡金属。通过氢原子照射约 60 秒，我们证实了沉积在玻璃基板上的非晶 Ge 薄膜的多晶化。在确认未用氢原子加热的非晶Si膜的情况下，我们在部分非晶Si膜上沉积钨原子并通过横向固相生长进行膜的多晶化。我们在多晶薄膜上制作了场效应晶体管，实现了～40 cm2/Vs的有效迁移率。

项目成果

水素ラジカルによる選択加熱現象を利用した多結晶Si1-xGex形成技術

利用氢自由基选择性加热现象的多晶Si1-xGex形成技术

• 发表时间: 2011
• 作者: 川口裕樹

水素ラジカルによる遷移金属の選択加熱現象を利用した多結晶Si形成技術とデバイスへの応用

氢自由基选择性加热过渡金属多晶硅形成技术及其在器件中的应用

• 发表时间: 2013
• 作者: Naomi Hirayama;Akira Endo;Kazuhiro Fujita;Yasuhiro Hasegawa;Naomichi Hatano;Hiroaki Nakamura;Ry. en Shirasaki;Kenji Yonemitsu;中家大希
• 通讯作者: 中家大希

水素ラジカルによる選択過熱現象を利用した Si1-xGex 薄膜形成技術

利用氢自由基引起的选择性加热现象的Si1-xGex薄膜形成技术

• 发表时间: 2012
• 作者: 荒井哲司;川口裕樹;中村浩之;有元圭介;山中淳二;佐藤哲也;中川清和;高松利行;澤野憲太郎;星裕介;白木靖寛
• 通讯作者: 白木靖寛

水素ラジカルによる遷移金属の選択加熱現象を利用した多結晶 Si形成技術とデバイスへの応用

氢自由基选择性加热过渡金属多晶硅形成技术及其在器件中的应用

• 发表时间: 2013
• 作者: 中家大希; 荒井哲司; 大平隆裕; 有元圭介;山中淳二;佐藤哲也;中川清和;高松利行;澤野憲太郎;白木靖寛
• 通讯作者: 白木靖寛

水素プラズマを用いた遷移金属加熱技術の開発(II)

利用氢等离子体的过渡金属加热技术的发展（二）

• 发表时间: 2012
• 作者: T.Inoue;T.Nakajima;H.Isshiki;中村浩之
• 通讯作者: 中村浩之