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Formation technology development of high quality Ge/Si heterostructures using hydrogen radical

Formation technology development of high quality Ge/Si heterostructures using hydrogen radical
利用氢自由基形成高质量Ge/Si异质结构的技术开发
批准号:
25390065
负责人:
NAKAGAWA Kiyokazu
金额:
$3.33万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2013
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2013-04-01 至 2016-03-31

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DOI: --
发表时间: 2014
期刊:
影响因子: --
作者: [Filzah Binti Zainal Arif, 松本紘希, 木村宗弘, 赤羽正志, 高木翔太,池田礼隆,荒井哲司,有元圭介,山中淳二,中川清和,高松利行]
通讯作者: 高木翔太,池田礼隆,荒井哲司,有元圭介,山中淳二,中川清和,高松利行
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DOI: --
发表时间: 2016
期刊:
影响因子: --
作者: [上村 和貴, 中家 大希, 荒井 哲司, 山本 千綾, 有元 圭介, 山中 淳二, 中川 清和, 高松 利行]
通讯作者: 高松 利行
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DOI: --
发表时间: 2014
期刊:
影响因子: --
作者: [中家大希,上村和貴,荒井哲司,有元圭介,山中淳二,佐藤哲也,中川清和,高松利行,澤野憲太郎]
通讯作者: 中家大希,上村和貴,荒井哲司,有元圭介,山中淳二,佐藤哲也,中川清和,高松利行,澤野憲太郎
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DOI: --
发表时间: 2016
期刊:
影响因子: --
作者: [坂巻 直, 佐藤 哲也, 中川 清和]
通讯作者: 中川 清和
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    Development of selective heating method using microwave plasmaexcited species
    • 批准号:
      22560007
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $3.0万
    • 财政年份:
      2010
    • 负责人:
      NAKAGAWA Kiyokazu
    • 依托单位:
    Selective and rapid heating method for polycrystallization of amorphous Si using microwave plasma irradiation
    • 批准号:
      18560007
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $2.35万
    • 财政年份:
      2006
    • 负责人:
      NAKAGAWA Kiyokazu
    • 依托单位:
    Formation of virtual substrates for strained SiGe heterostructures and its application to high mobility FETs
    • 批准号:
      13650007
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $2.05万
    • 财政年份:
      2001
    • 负责人:
      NAKAGAWA Kiyokazu
    • 依托单位:
    The singular perturbation problem for a diffusion-advection equation
    • 批准号:
      09640216
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $1.66万
    • 财政年份:
      1997
    • 负责人:
      NAKAGAWA Kiyokazu
    • 依托单位: