Formation technology development of high quality Ge/Si heterostructures using hydrogen radical

利用氢自由基形成高质量Ge/Si异质结构的技术开发

• 批准号: 25390065
• 负责人: NAKAGAWA Kiyokazu
• 金额: $ 3.33万
• 依托单位: University of Yamanashi
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2013-04-01 至 2016-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25390065/
• 关键词: GeSiヘテロ構造; ラジカル水素加熱; GeチャネルFET; Ge/Siヘテロ構造; Ge/Si基板ヘテロ構造; 水素ラジカル加熱

项目成果

WO3の形成と抵抗変化メモリへの応用

WO3的形成及其在阻变存储器中的应用

• 发表时间: 2014
• 作者: Filzah Binti Zainal Arif;松本紘希;木村宗弘;赤羽正志;高木翔太，池田礼隆，荒井哲司，有元圭介，山中淳二，中川清和，高松利行
• 通讯作者: 高木翔太，池田礼隆，荒井哲司，有元圭介，山中淳二，中川清和，高松利行

Si-ULSI用の電極形成のための熱処理技術の開発

Si-ULSI电极形成热处理技术的开发

• 发表时间: 2016
• 作者: 上村 和貴;中家 大希;荒井 哲司;山本 千綾;有元 圭介;山中 淳二;中川 清和;高松 利行
• 通讯作者: 高松 利行

水素ラジカルによる遷移金属の選択加熱を用いた多結晶Si膜形成とデバイスプロセス応用

氢自由基选择性加热过渡金属形成多晶硅薄膜及器件工艺应用

• 发表时间: 2014
• 作者: 中家大希，上村和貴，荒井哲司，有元圭介，山中淳二，佐藤哲也，中川清和，高松利行，澤野憲太郎

SiF4凝縮層の低速電子線誘起反応と水素原子のトンネル反応を利用したa-SiNxの極低温合成

利用SiF4凝聚层中的慢电子束诱导反应和氢原子的隧道反应低温合成a-SiNx

• 发表时间: 2016
• 作者: 坂巻 直;佐藤 哲也;中川 清和
• 通讯作者: 中川 清和

水素ラジカルによる遷移金属の選択加熱とそのデバイス応用

氢自由基选择性加热过渡金属及其装置应用

• 发表时间: 2014
• 作者: Y.Honda;S.Matsubara;X.G.Jin;T.Miyajima;M.Yamamoto;T.Uchiyama;M.Kuwahara;and Y.Takeda;上村和貴，荒井哲司，有元圭介，山中淳二，佐藤哲也，中川清和，高松利行，澤野憲太郎
• 通讯作者: 上村和貴，荒井哲司，有元圭介，山中淳二，佐藤哲也，中川清和，高松利行，澤野憲太郎