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Preparation of two and three dimensional photonic crystals in Si and III-V semiconductors by pore etching

Preparation of two and three dimensional photonic crystals in Si and III-V semiconductors by pore etching
通过孔刻蚀制备 Si 和 III-V 半导体中的二维和三维光子晶体
批准号：
5316426
负责人：
Professor Dr. Helmut Föll
金额：
$0.0万
依托单位：
Lehrstuhl für Allgemeine Materialwissenschaft
依托单位国家：
德国
项目类别：
Priority Programmes
财政年份：
2001
资助国家：
德国
项目状态：
已结题
起止时间：
2000-12-31 至 2005-12-31
来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5316426?language=en
关键词：
Preparationtwothreedimensionalphotonic

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The goal of the project is to improve the preparation of photonic crystals in Si by exploring the many new modes of pore etching discovered during the last few years, to try several possible modes of pore etching for the preparation of threedimensional photonic crystals in Si, and to try for the first time to produce two and three dimensional photonic crystals with III-V compounds. The work proposed is based on several unique features of pore etching in Si and particularly in GaAs, GaP and InP found in the previous research of the Kiel group.
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海外基金
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  • 批准年份：
    2011
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  • 依托单位：
    中国人民解放军总医院