Porenätzung in Germanium

点击翻译按钮获取中文摘要

Poröse Halbleiter sind aus zwei Gründen von großem Interesse: 1. Ungewöhnliche und oft noch unverstandene Eigenschaften dieser oft mesoskopischen oder nanoskopischen Systeme eröffnen neue Forschungsfelder mit hohem Anwendungspotential. 2. Der Mechanismus der Porenbildung ist trotz intensiver Forschung noch nicht sehr gut verstanden. Der letzte Punkt wird sehr deutlich belegt durch erste Versuche zur Porenätzung in Ge: Niemand war oder ist in der Lage Ätzungsergebnisse vorherzusagen, und selbst vage Vermutungen der Kieler Arbeitsgruppe wurden zunächst nicht bestätigt. Porenätzung in Germanium ist jedoch von großem Interesse, einerseits um ein besseres Verständnis der Porenätzung in Halbleitern zu erzielen, andererseits weil schon die Ergebnisse erster orientierender Versuche zu sehr interessanten Strukturen mit hohem Anwendungspotential führten. Beantragt wird Unterstützung für eine systematische Studie der Porenätzung in Ge. Es ist geplant, das Projekt in ein NSF-DFG-Kooperationsvorhaben einzubringen.