Porenätzung in Germanium

锗中的孔隙蚀刻

• 批准号: 5404794
• 负责人: Professor Dr. Helmut Föll
• 金额: --
• 依托单位: Lehrstuhl für Allgemeine Materialwissenschaft
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2003
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2002-12-31 至 2008-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5404794?language=en
• 关键词: Poren; tzung; Germanium

Poröse Halbleiter sind aus zwei Gründen von großem Interesse: 1. Ungewöhnliche und oft noch unverstandene Eigenschaften dieser oft mesoskopischen oder nanoskopischen Systeme eröffnen neue Forschungsfelder mit hohem Anwendungspotential. 2. Der Mechanismus der Porenbildung ist trotz intensiver Forschung noch nicht sehr gut verstanden. Der letzte Punkt wird sehr deutlich belegt durch erste Versuche zur Porenätzung in Ge: Niemand war oder ist in der Lage Ätzungsergebnisse vorherzusagen, und selbst vage Vermutungen der Kieler Arbeitsgruppe wurden zunächst nicht bestätigt. Porenätzung in Germanium ist jedoch von großem Interesse, einerseits um ein besseres Verständnis der Porenätzung in Halbleitern zu erzielen, andererseits weil schon die Ergebnisse erster orientierender Versuche zu sehr interessanten Strukturen mit hohem Anwendungspotential führten. Beantragt wird Unterstützung für eine systematische Studie der Porenätzung in Ge. Es ist geplant, das Projekt in ein NSF-DFG-Kooperationsvorhaben einzubringen.

这场比赛是由两个大的兴趣爱好者组成的：1。Ungewöhnliche and oftnoch unverstandene Eigenschaften dieser oftmesoskopischen oder nanoskopischen Systeme eröffnen neue Forschungsfelder mit hohem Anwendungspotential. 2.教育的机制是一种非常密集的研究，这一点并不容易理解。这一点似乎是德国人通过第一次对德国的宣传而得出的：尼曼德战争或战争是在拉格的宣传中进行的，而基勒劳动集团的宣传并不是最好的。Germanium中的Porenätzung is jedoch von großem Interesse，einerseits um ein besseres Verständnis der Porenätzung in Halbleitern zu erzielen，andererseits weil schon die Ergebnisse erster orientierender Versuche zu sehr intersanten Strukturen mit hohem Anwendungspotential führten. Beantragt wird Unterstützung für eine systematische Studie der Porenätzung in Ge.这是一个项目，在一个NSF-DFG-合作项目中。