Porenätzung in Germanium

锗中的孔隙蚀刻

• 批准号: 5404794
• 负责人: Professor Dr. Helmut Föll
• 金额: --
• 依托单位: Lehrstuhl für Allgemeine Materialwissenschaft
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2003
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2002-12-31 至 2008-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5404794?language=en
• 关键词: Poren; tzung; Germanium

Poröse Halbleiter sind aus zwei Gründen von großem Interesse: 1. Ungewöhnliche und oft noch unverstandene Eigenschaften dieser oft mesoskopischen oder nanoskopischen Systeme eröffnen neue Forschungsfelder mit hohem Anwendungspotential. 2. Der Mechanismus der Porenbildung ist trotz intensiver Forschung noch nicht sehr gut verstanden. Der letzte Punkt wird sehr deutlich belegt durch erste Versuche zur Porenätzung in Ge: Niemand war oder ist in der Lage Ätzungsergebnisse vorherzusagen, und selbst vage Vermutungen der Kieler Arbeitsgruppe wurden zunächst nicht bestätigt. Porenätzung in Germanium ist jedoch von großem Interesse, einerseits um ein besseres Verständnis der Porenätzung in Halbleitern zu erzielen, andererseits weil schon die Ergebnisse erster orientierender Versuche zu sehr interessanten Strukturen mit hohem Anwendungspotential führten. Beantragt wird Unterstützung für eine systematische Studie der Porenätzung in Ge. Es ist geplant, das Projekt in ein NSF-DFG-Kooperationsvorhaben einzubringen.

Poröse Halbleiter sind aus zwei Gründen von großem Interesse: 1. Ungewöhnliche und oft noch unverstandene Eigenschaften dieser oft mesoskopischen oder nanoskopischen Systeme eröffnen neue Forschungsfelder mit hohem Anwendungspotential. 2。der机械学der porenbildung ist trotz intensiver forschung noch nicht sehr sehr gut veranden。 der letzte punkt wird sehr deutlich belegt durch este versuchezurporenätzungin Ge：niemand War Oder在der Lage中，而Kieler Arbeitsgruppe最好的是最好的。葡萄园中的波伦顿（Porenätzung）是世界上最好的，世界上最好的是德国国家，世界上最好的国家是德国国家，也是世界上最好的国家。 GE中的Beantragic WildUnterstützung。 NSF-DFG-KooperationsVorhaben Einzubringen中的基本手势，Das Projekt。