权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

超低消費電力向け微細MOSトランジスタの研究

超低功耗微型MOS晶体管研究

基本信息

批准号：
02F00821
负责人：
平本俊郎
金额：
$ 0.83万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2002
资助国家：
日本
起止时间：
2002 至 2004
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究では、ゲート長10nmスケールの超低消費電力MOSトランジスタを実現するために、ナノスケールMOSFETの正確な短チャネル効果の解析的モデリングを行っている。本年度は、バルクMOSFETにおける短チャネル効果に着目し、しきい値電圧の劣化、サブスレッショルド係数の劣化、および基板バイアス係数の劣化について解析的な検討を行った。しきい値電圧に関しては、従来からよく研究されているが、基板バイアス係数の解析および、サブスレッショルド係数と基板バイアス係数の関係の解析は、本研究が世界で初めての成果である。具体的には、短チャネルのバルクMOSFETにおける基板バイアス係数を解析的求め、これをシミュレーション結果と比較して解析の妥当性を確認した。次に、長チャネルのMOSFETで知られているサブスレッショルド係数と基板バイアス係数の関係を短チャネルに拡張し、両者の関係の一般的な数式を導いた。この関係もシミュレーションにより確認し、その有効性を実証した。これらの結果は、バルクMOSFETに基板バイアスを印加して長低消費電力デバイスを実現する上で、極めて重要なデバイス設計指針を与えるものである。どうようの解析を完全空乏型SOI MOSFETについても進めている。

In this paper, we study the implementation of ultra-low power consumption MOS transistors with a length of 10nm and the analysis of the correct short-circuit performance of MOSFET transistors. This year, we conducted a review of the short-term results of MOSFET production, focusing on the degradation of voltage, degradation of cell parameters, and degradation of substrate parameters. This study is the first in the world to analyze the relationship between substrate loss coefficient and substrate loss coefficient. The results of the analysis were compared to confirm the appropriateness of the analysis. The relationship between the coefficient and the coefficient of the substrate is derived from the general equation of the relationship between the coefficient and the coefficient of the short circuit. The relationship between the two parties is confirmed and the relationship between the two parties is confirmed. The result is a MOSFET substrate with long and low power consumption. A fully depleted SOI MOSFET can be used to detect the presence of silicon oxide.