シリコン量子ドット中のクローンブロッケードを利用したメモリデバイスの研究

利用硅量子点克隆封锁的存储器件研究

基本信息

  • 批准号:
    02F02810
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.38万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2002
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2002 至 2004
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究の目的は,次世代の不揮発性メモリとして期待されているシリコン微結晶(量子ドット)を用いたメモリの性能を向上させることである.そのために,メモリを構成するトランジスタのチャネル構造をナノスケールに微細化する方法を提案し,実験によりメモリ特性向上を実証する研究を行った.本メモリデバイスでは、通常のMOSトランジスタ構造のゲート絶縁膜中にシリコンドット(微結晶)が埋め込まれた構造を有する.ゲート電極に電圧を印加するとシリコン量子ドットに電子が注入され、シリコンドットがメモリの記憶ノードとして働く。極めてチャネル幅の細いナノスケールMOSFETに本メモリ構造を適用し、そのサイズ依存性を詳細に評価した結果、チャネル幅が細い場合だけでなく,ゲート長が短い場合もメモリの特性が向上することから、本メモリ構造は良好なスケーラビリティを有するという極めて重要な結論を得た。また、チャネル幅が5nm以下という極めて細いシリコン微結晶メモリでは、データの保持時間が極めて長くなることを実験的に示した。この結果は、チャネル中のキャリアの量子閉じ込め効果により説明できる。以上の結果から、ナノスケールのチャネルを有するシリコン微結晶メモリは、将来の不揮発性メモリとして有望なメモリ構造であることを明らかにした。
The purpose of this study is to improve the performance of the next generation. The method is proposed, and the properties of the method are proposed. In this system, the MOS system is usually used to improve the performance of the thin film (micro-crystal). There is a lot of electricity in the Inca, India, Canada, India, India In this MOSFET system, you need to know how to use, how to depend on each other, how to improve your performance, and how to improve your performance. The display of the following 5nm is used to determine the temperature, temperature, retention time, temperature, etc. The results show that the results show that you are not aware of the results. The results of the above results show that there are significant differences between the results of the above results and the results of the above results. the results show that there are significant differences in the results of the above results, and the results show that there are significant differences in the results of the above results.

项目成果

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知道了