酸化物強誘電体の電子密度分布
氧化物铁电体的电子密度分布
基本信息
- 批准号:03F03707
- 负责人:
- 金额:$ 0.77万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
- 财政年份:2003
- 资助国家:日本
- 起止时间:2003 至 2004
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本研究は酸化物強誘電体の電子密度分布と題し、機能性無機化合物結晶の構造解析と電子密度分布をとおして、物質の示す構造物性について考察をおこなっている。まず、KTiOPO_4(KTP,チタニルリン酸カリウム)強誘電体結晶から研究を開始した。この物質は電気光学素子や非線形光学素子などへ広く応用される良く知られた材料であり、最近では、青色発光性を利用した医療手術用レーザ照明関係への応用でも注目されている。非線形光学材料としてのKTP結晶の重要性が認識されて数十年たつが、この物質の強誘電-常誘電相転移の真の姿についていくつかの重要な進展があったのはつい最近のことである。放射光を利用した精密な構造解析を行い、強誘電性の起源がカリウム原子にあること、また、カリウム原子の微小変異に伴ってこれを取り囲む酸素多面体の形がわずかに変化すること、カリウム原子の一部は高温側で互いに近い二つの位置に統計的に分布していること、これが強誘電性の発現と密接な関係をもつことなどを明らかにした。また、従来からよく調べられていたAl203-Ti02系に新しい化合物を見出し、その構造を決定するなど、強誘電体の周辺領域にある種々の機能性無機化合物結晶についても広範な研究を行い、成果を発表した。
In this paper, we investigate the electron density distribution of acid ferroelectric compounds, the electron density distribution of functional inorganic compounds, and the structural properties of substances. The study of ferroelectric crystallization of KTiOPO_4(KTP, KTP, The material is electrically and non-linearly optically active, and the material is optically active. The importance of KTP crystallization in nonlinear optical materials has been recognized for decades, and important progress has been made in the formation of strong and often induced phase shifts in these materials. The use of radioactive light for precise structural analysis, the origin of strong inductivity, the small variation of atoms, and the statistical distribution of atoms, some of which are close to each other on the high temperature side, are closely related to each other. Al203-Ti02 system is a new type of inorganic compound, and its structure is determined. It is a kind of functional inorganic compound in the peripheral area of ferroelectric.
项目成果
期刊论文数量(2)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Phase transition in KTiOPO4
KTiOPO4 的相变
- DOI:
- 发表时间:2005
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:B.A.Bassett;M.Kunz;Stephen B.McNabb;Stefan NORBERG
- 通讯作者:Stefan NORBERG
Al6Ti2O13, a New Phase in the Al2O3—TiO2 System.
Al6Ti2O13,Al2O3-TiO2 体系中的新相。
- DOI:10.1002/chin.200523012
- 发表时间:2005
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S. Norberg;S. Hoffmann;M. Yoshimura;N. Ishizawa
- 通讯作者:N. Ishizawa
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
石澤 伸夫其他文献
反応拡散による一軸配向チタノガリウム酸ナトリウム多結晶体の作製と結晶構造解析、Na+イオン伝導
反应扩散、Na+离子传导法制备单轴取向没食子酸钛钠多晶及晶体结构分析
- DOI:
- 发表时间:
2015 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
長谷川 諒;岡部 桃子;浅香 透;石澤 伸夫;福田 功一郎 - 通讯作者:
福田 功一郎
KClフラックス冷却法によるニオブ酸カリウム結晶の育成
KCl熔剂冷却法生长铌酸钾晶体
- DOI:
- 发表时间:
2007 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
中野裕美;石沢伸夫;亀頭直樹;N. Ishizawa;N. Ishizawa;N. Ishizawa;N. Ishizawa and H. Nakano;石澤 伸夫;稲垣 友美;近藤 早;S.Kondo;K.Okada;N.Ishizawa;田中 清明;岡田 敬太;近藤 早;稲垣 友美;稲垣 友美;S.Kondo;K.Okada;岡田 敬太;近藤 早;石澤伸夫;新名優貴・手嶋勝弥・湯葢邦夫・鈴木孝臣・宍戸統悦・石澤伸夫・大石修治 - 通讯作者:
新名優貴・手嶋勝弥・湯葢邦夫・鈴木孝臣・宍戸統悦・石澤伸夫・大石修治
溶液プロセスを用いて作製した酸化亜鉛膜の光機能性の評価
溶液法制备氧化锌薄膜的光功能评价
- DOI:
- 发表时间:
2015 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
長谷川 諒;岡部 桃子;浅香 透;石澤 伸夫;福田 功一郎;洪 正洙,勝又 健一,松下 伸広,中田 一弥,寺島 千晶,藤嶋 昭 - 通讯作者:
洪 正洙,勝又 健一,松下 伸広,中田 一弥,寺島 千晶,藤嶋 昭
アルミナ溶融塩電解に伴うカソード黒鉛の電気抵抗率変化
氧化铝熔盐电解引起阴极石墨电阻率的变化
- DOI:
- 发表时间:
2008 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
近藤 早;石澤 伸夫;中野 裕美;阿久沢昇 - 通讯作者:
阿久沢昇
迅速高温単結晶X線回折装置によるコランダムの高温構造変化の研究
利用快速高温单晶X射线衍射仪研究刚玉的高温结构变化
- DOI:
- 发表时间:
2007 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
中野裕美;石沢伸夫;亀頭直樹;N. Ishizawa;N. Ishizawa;N. Ishizawa;N. Ishizawa and H. Nakano;石澤 伸夫;稲垣 友美;近藤 早;S.Kondo;K.Okada;N.Ishizawa;田中 清明;岡田 敬太;近藤 早;稲垣 友美;稲垣 友美;S.Kondo;K.Okada;岡田 敬太;近藤 早 - 通讯作者:
近藤 早
石澤 伸夫的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('石澤 伸夫', 18)}}的其他基金
繊維状ナノシリコンの合成とその展開
纤维状纳米硅的合成与开发
- 批准号:
18651037 - 财政年份:2006
- 资助金额:
$ 0.77万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
ナノケモテクノロジーへの応用にむけた機能性無機化合物の高精度電子密度分布解析
功能性无机化合物的高精度电子密度分布分析在纳米化学技术中的应用
- 批准号:
02F00148 - 财政年份:2002
- 资助金额:
$ 0.77万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
層状ペロブスカイト型化合物における多形形成の原理とその工学的応用
层状钙钛矿化合物多晶型原理及其工程应用
- 批准号:
12875120 - 财政年份:1999
- 资助金额:
$ 0.77万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
レ-ザ-集光法によるファイバ-単結晶の育成とX線その場観察
激光聚焦法生长光纤单晶及原位X射线观察
- 批准号:
03243215 - 财政年份:1991
- 资助金额:
$ 0.77万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
ジルコニアセラミックスの超塑性現象と微細構造
氧化锆陶瓷的超塑性现象及显微结构
- 批准号:
63580043 - 财政年份:1988
- 资助金额:
$ 0.77万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
相似海外基金
似て非なる分子からなる固溶型分子強誘電体の実現
相似但不同分子组成的固溶体型分子铁电材料的实现
- 批准号:
23K23322 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 0.77万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
強誘電体基板上に成膜した強磁性薄膜における磁気特性の評価とその発現機構の解明
铁电基板上沉积的铁磁薄膜的磁性能评估及其表现机制的阐明
- 批准号:
24K08198 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 0.77万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
強誘電体KTN混晶の温度-電場-濃度相図と誘電チューナブル材料への応用
铁电KTN混晶的温度-电场-浓度相图及其在介电可调材料中的应用
- 批准号:
24K06918 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 0.77万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
ウルツ鉱型強誘電体における分極反転ドメイン境界の解明と欠陥エンジニアリング
纤锌矿型铁电体中极化反转域边界和缺陷工程的阐明
- 批准号:
24K01170 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 0.77万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
強誘電体デバイスを用いたリザバーコンピューティングの実証と高性能化
使用铁电器件进行储层计算的演示和性能改进
- 批准号:
24KJ0561 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 0.77万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
磁気活性キラル強誘電体の物質開発と新規電磁応答の開拓
磁活性手性铁电材料的开发和新电磁响应的开发
- 批准号:
24K00575 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 0.77万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
ナノスケール強誘電体の分極回転ダイナミクスを利用した巨大分極結合効果の発現
利用纳米级铁电体极化旋转动力学表达巨极化耦合效应
- 批准号:
23K22793 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 0.77万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
強誘電・反強誘電体トランジスタを用いたリアルタイム学習ハードウェアの基盤構築
使用铁电和反铁电晶体管为实时学习硬件奠定基础
- 批准号:
23K20951 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 0.77万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
2次元構造秩序の自己組織化に着目した濃厚環境下の強誘電体薄膜成長メカニズム
聚焦二维结构有序自组织的集中环境下铁电薄膜生长机制
- 批准号:
23K23031 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 0.77万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
強誘電体薄膜上でのチエノチオフェン系薄膜の成長制御とメモリデバイス応用
铁电薄膜上基于噻吩并噻吩的薄膜的生长控制和存储器件应用
- 批准号:
24K07582 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 0.77万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)














{{item.name}}会员




