Selective epitaxial growth of nitride nano-hetero structures on patterned silicon substrate
Selective epitaxial growth of nitride nano-hetero structures on patterned silicon substrate
图案化硅衬底上氮化物纳米异质结构的选择性外延生长
批准号：
16106001
负责人：
SAWAKI Nobuhiko
金额：
$74.21万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
财政年份：
2004
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2004 至 2008
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
加工Si基板上への選択MOVPE法により、(0001)、(1-101)、(11-22)ならびに(11-20)面を有するAlGaN/GaN、GaN/InGaN微細ヘテロ構造を作製した。この構造は自然形成原理に従って形成されるため、表面平坦性、結晶性に優れることを明らかにした。特に、窒素を最表面とする(1-101)半極性面GaNは不純物ドーピング特性に優れ、Mgドーピングで高い正孔濃度が得られ、炭素ドーピングでもp形伝導が得られることを明らかにした。Si基板上に半極性GaN-LEDとストライプレーザ構造を作製し、光集積デバイスのためのナノへテロエピタキシの有効性を実証した
期刊论文(57)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2009.01.064
发表时间：
2009-05
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
[M. Yang;H. Ahn;T. Tanikawa;Y. Honda;M. Yamaguchi;N. Sawaki]
通讯作者：
M. Yang;H. Ahn;T. Tanikawa;Y. Honda;M. Yamaguchi;N. Sawaki
Time-resolved spectroscopy in an undoped GaN (1-101)
未掺杂 GaN 中的时间分辨光谱 (1-101)
未掺杂 GaN 中的时间分辨光谱 (1-101)
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
phys. stat. sol. (c) 5
影响因子：
--
作者：
[E-H., Kim, 他]
通讯作者：
他
p-type conduction in a C-doped (1-101)GaN grown on a 7-degree-off oriented(001)Si substrate by selective MOVPE
通过选择性 MOVPE 在 7 度偏向取向 (001)Si 衬底上生长的 C 掺杂 (1-101)GaN 中的 p 型传导
通过选择性 MOVPE 在 7 度偏向取向 (001)Si 衬底上生长的 C 掺杂 (1-101)GaN 中的 p 型传导
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
phys. stat.sol 3
影响因子：
--
作者：
[T.Hikosaka, N.Koide, Y.Honda, M.Yamaguchi, and N.Sawaki]
通讯作者：
and N.Sawaki
Uniform growth of GaN on AlN templated (111)Si substrate by HVPE
通过 HVPE 在 AlN 模板 (111)Si 衬底上均匀生长 GaN
通过 HVPE 在 AlN 模板 (111)Si 衬底上均匀生长 GaN
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
Physica Stata Solidi 2
影响因子：
--
作者：
[Y.Honda, M.Okano, M.Yamaguchi, N.Sawaki]
通讯作者：
N.Sawaki
Optical and electrical properties of (1-101)GaN grown on a 7°off-axis (001)Sisubstrate
在 7° 离轴 (001)Si 衬底上生长的 (1-101)GaN 的光学和电学特性
在 7° 离轴 (001)Si 衬底上生长的 (1-101)GaN 的光学和电学特性
DOI：
--
发表时间：
2004
期刊：
Appl. Phys. Lett 84
影响因子：
--
作者：
[T.Hikosaka, T.Narita, Y.Honda, M.Yamaguchi, and N.Sawaki]
通讯作者：
and N.Sawaki
共 47 条
A high efficiency III nitride solar cell with graded composition top layer
-
批准号：24656019
-
项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
-
资助金额：$2.5万
-
财政年份：2012
-
负责人：SAWAKI Nobuhiko
-
依托单位：
Growth of high quality GaN on an Si substrate
-
批准号：22360009
-
项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
-
资助金额：$12.73万
-
财政年份：2010
-
负责人：SAWAKI Nobuhiko
-
依托单位：
SELECTIVE GROWTH OF III-NITRIDE MICROSTRUCTURES ON SILICON SUBSTRATE
-
批准号：13305023
-
项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
-
资助金额：$34.69万
-
财政年份：2001
-
负责人：SAWAKI Nobuhiko
-
依托单位：
Non-linear optical devices utilizing triply coupled asymmetric GaAs quantum wells
-
批准号：10555103
-
项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B).
-
资助金额：$8.26万
-
财政年份：1998
-
负责人：SAWAKI Nobuhiko
-
依托单位：
Selective Growth of GaN pyramids and study of their optical and electronic properties
-
批准号：10450117
-
项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B).
-
资助金额：$9.66万
-
财政年份：1998
-
负责人：SAWAKI Nobuhiko
-
依托单位：
Resonance of Electronic States and Optical Non-linearity in Coupled Quantum Well Structures
-
批准号：05452112
-
项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
-
资助金额：$4.22万
-
财政年份：1993
-
负责人：SAWAKI Nobuhiko
-
依托单位：
Tunneling Phenomena in GaAs/AlGaAs Double Quantum Well Structures
-
批准号：03650257
-
项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
-
资助金额：$1.28万
-
财政年份：1991
-
负责人：SAWAKI Nobuhiko
-
依托单位：
Study of hot electron effect in sub-micron semiconductor devices.
-
批准号：60550228
-
项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
-
资助金额：$1.28万
-
财政年份：1985
-
负责人：SAWAKI Nobuhiko
-
依托单位：