Selective epitaxial growth of nitride nano-hetero structures on patterned silicon substrate

图案化硅衬底上氮化物纳米异质结构的选择性外延生长

• 批准号: 16106001
• 负责人: SAWAKI Nobuhiko
• 金额: $ 74.21万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
• 财政年份: 2004
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2004 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16106001/
• 关键词: 窒化物半導体; ナノへテロ構造; MOVPE; 選択成長; 不純物ドーピング; GaN; ナノヘテロ構造; ファセット成長; 光デバイス; 面間拡散; 光導波路; シリコン基板; 時間分解分光; Si基板; 界面構造; 電子線ホログラフィー

加工Si基板上への選択MOVPE法により、(0001)、(1-101)、(11-22)ならびに(11-20)面を有するAlGaN/GaN、GaN/InGaN微細ヘテロ構造を作製した。この構造は自然形成原理に従って形成されるため、表面平坦性、結晶性に優れることを明らかにした。特に、窒素を最表面とする(1-101)半極性面GaNは不純物ドーピング特性に優れ、Mgドーピングで高い正孔濃度が得られ、炭素ドーピングでもp形伝導が得られることを明らかにした。Si基板上に半極性GaN-LEDとストライプレーザ構造を作製し、光集積デバイスのためのナノへテロエピタキシの有効性を実証した

Processing Si substrate へ の sentaku MOVPE method に よ り, (0001), (1-101), (11-22) な ら び に (11-20) surface を す る AlGaN/GaN, GaN/InGaN imperceptible ヘ テ ロ し the tectonic を cropping た. The structure of <s:1> に従って the principle of natural formation に従って formation されるため, surface flatness, crystallinity に excellent れる とを とを bright ら に に た た に, smothering element を most surface と す る (1-101) and a half polarity surface GaN は impurity content ド ー ピ ン グ features に れ, Mg ド ー ピ ン グ で high い is hole concentration が ら れ, carbon ド ー ピ ン グ で も p form 伝 guide が must ら れ る こ と を Ming ら か に し た. Si substrate に half polarity GaN - LED と ス ト ラ イ プ レ ー ザ し, light set product of tectonic を デ バ イ ス の た め の ナ ノ へ テ ロ エ ピ タ キ シ の have sharper sex を card be し た

项目成果

Maskless selective growth of semi-polar (112 2) GaN on Si (311) substrate by metal organic vapor phase epitaxy

• DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2009.01.064
• 发表时间: 2009-05
• 期刊: Journal of Crystal Growth
• 影响因子: 1.8
• 作者: M. Yang;H. Ahn;T. Tanikawa;Y. Honda;M. Yamaguchi;N. Sawaki

Time-resolved spectroscopy in an undoped GaN (1-101)

未掺杂 GaN 中的时间分辨光谱 (1-101)

• 发表时间: 2008
• 期刊: phys. stat. sol. (c) 5
• 作者: E-H.;Kim;他
• 通讯作者: 他

p-type conduction in a C-doped (1-101)GaN grown on a 7-degree-off oriented(001)Si substrate by selective MOVPE

通过选择性 MOVPE 在 7 度偏向取向 (001)Si 衬底上生长的 C 掺杂 (1-101)GaN 中的 p 型传导

• 发表时间: 2006
• 期刊: phys. stat.sol 3
• 作者: T.Hikosaka;N.Koide;Y.Honda;M.Yamaguchi;and N.Sawaki
• 通讯作者: and N.Sawaki

Uniform growth of GaN on AlN templated (111)Si substrate by HVPE

通过 HVPE 在 AlN 模板 (111)Si 衬底上均匀生长 GaN

• 发表时间: 2005
• 期刊: Physica Stata Solidi 2
• 作者: Y.Honda;M.Okano;M.Yamaguchi;N.Sawaki
• 通讯作者: N.Sawaki

Optical and electrical properties of (1-101)GaN grown on a 7°off-axis (001)Sisubstrate

在 7° 离轴 (001)Si 衬底上生长的 (1-101)GaN 的光学和电学特性

• 发表时间: 2004
• 期刊: Appl. Phys. Lett 84
• 作者: T.Hikosaka;T.Narita;Y.Honda;M.Yamaguchi;and N.Sawaki
• 通讯作者: and N.Sawaki