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Growth of high quality GaN on an Si substrate
在 Si 衬底上生长高质量 GaN
基本信息
- 批准号：22360009
- 负责人：
- 金额：$ 12.73万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2010
- 资助国家：日本
- 起止时间：2010 至 2012
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
The role of an AlInN buffer layer and an AlN nucleation layer incorporated with small amount of In has been investigated. The threading dislocation density in the grown layer was much reduced by these two layers. The FTIR spectra in a carbon doped (1-101)AlGaN layer showed a local vibration mode which is attributed to Al-C bond. This shows that the p-type conduction is organized by the carbon sitting on an N site.
研究了AlInN缓冲层和AlN成核层与少量In的作用。这两种层大大降低了生长层中的穿透位错密度。碳掺杂的（1-101）AlGaN层的FTIR光谱显示出一个局域振动模式，这归因于Al-C键。这表明p型导电是由位于N位上的碳组织的。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Impurity incorporation in semipolar (1-101)GaN grown on Si substrate
Si 衬底上生长的半极性 (1-101)GaN 中的杂质掺入
- DOI：10.1088/0268-1242/27/2/024006
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：1.9
- 作者：N.Sawaki;K.Hagiwara;T.Hikosaka;and Y.Honda
- 通讯作者：and Y.Honda
HVPE growth of ultraviolet light emission double-heterostructure
紫外光发射双异质结构的HVPE生长
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：A. Ghosh;S. Yusa;H. Matsuoka;Y. Saruwatari;H.S.Jeon
- 通讯作者：H.S.Jeon
FTIR spectra and LVMs in a carbon doped (1-101)GaN grown on a (001)Si substrate by MOVPE," ISPlasma
通过 MOVPE 在 (001)Si 衬底上生长的碳掺杂 (1-101)GaN 的 FTIR 光谱和 LVM，“ISPlasma
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K.Hagiwara;M.Amano;R.Katayama;N.Sawaki;Y.Honda;T.Hikosaka;T.Tanikawa;N.Koide;M.Yamaguchi;and H.Amano
- 通讯作者：and H.Amano
Defect generation and annihilation in GaN grown on patterned silicon substrate
图案化硅衬底上生长的 GaN 中的缺陷产生和消灭
- DOI：10.1117/12.2002738
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：N.Sawaki;S.Ito;T.Nakagita;H.Iwata;T.Tanikawa;M.Irie;Y.Honda;M.Yamaguchi;and H.Amano
- 通讯作者：and H.Amano
High efficiency InGaN solar cell with a graded p-InGaN top layer
具有梯度 p-InGaN 顶层的高效 InGaN 太阳能电池
- DOI：10.1117/12.905531
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：N.Sawaki;T.Fujisawa
- 通讯作者：T.Fujisawa
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$ 12.73万 - 项目类别：
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有機金属気相成長法による半導体ナノ構造の自然形成の研究
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98J02748 - 财政年份：1998
- 资助金额：
$ 12.73万 - 项目类别：
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- 资助金额：
$ 12.73万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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- 资助金额：
$ 12.73万 - 项目类别：
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