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Growth of high quality GaN on an Si substrate
在 Si 衬底上生长高质量 GaN
基本信息
- 批准号：22360009
- 负责人：
- 金额：$ 12.73万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2010
- 资助国家：日本
- 起止时间：2010 至 2012
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
The role of an AlInN buffer layer and an AlN nucleation layer incorporated with small amount of In has been investigated. The threading dislocation density in the grown layer was much reduced by these two layers. The FTIR spectra in a carbon doped (1-101)AlGaN layer showed a local vibration mode which is attributed to Al-C bond. This shows that the p-type conduction is organized by the carbon sitting on an N site.
已经研究了Alinn缓冲层和与少量IN的ALN成核层的作用。这两个层大大降低了生长层中的螺纹位错密度。掺杂的碳（1-101）中的FTIR光谱显示出局部振动模式，该模式归因于Al-C键。这表明P型传导是由坐在N个位置上的碳组织的。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Impurity incorporation in semipolar (1-101)GaN grown on Si substrate
Si 衬底上生长的半极性 (1-101)GaN 中的杂质掺入
- DOI：10.1088/0268-1242/27/2/024006
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：1.9
- 作者：N.Sawaki;K.Hagiwara;T.Hikosaka;and Y.Honda
- 通讯作者：and Y.Honda
FTIR spectra and LVMs in a carbon doped (1-101)GaN grown on a (001)Si substrate by MOVPE," ISPlasma
通过 MOVPE 在 (001)Si 衬底上生长的碳掺杂 (1-101)GaN 的 FTIR 光谱和 LVM，“ISPlasma
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K.Hagiwara;M.Amano;R.Katayama;N.Sawaki;Y.Honda;T.Hikosaka;T.Tanikawa;N.Koide;M.Yamaguchi;and H.Amano
- 通讯作者：and H.Amano
HVPE growth of ultraviolet light emission double-heterostructure
紫外光发射双异质结构的HVPE生长
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：A. Ghosh;S. Yusa;H. Matsuoka;Y. Saruwatari;H.S.Jeon
- 通讯作者：H.S.Jeon
High-quality GaN grown on (111)Si using an AlInN intermediate layer
使用 AlInN 中间层在 (111)Si 上生长高质量 GaN
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S.Kawakita;H.Iwata;D.Kato;T.Tachibana;Y.Tani;T.Nakajima;N.Sawaki;M.Irie;Y.Honda;M.Yamaguchi;and H.Amano
- 通讯作者：and H.Amano
Nitride LEDs on Si substrate
Si 衬底上的氮化物 LED
- DOI：10.1007/s11431-010-4182-2
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Kousaka;M. Sugahara;T. Endo;S. Yusa;N.Sawaki and Y.Honda
- 通讯作者：N.Sawaki and Y.Honda
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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