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Growth of high quality GaN on an Si substrate

Growth of high quality GaN on an Si substrate
在 Si 衬底上生长高质量 GaN
批准号：
22360009
负责人：
SAWAKI Nobuhiko
金额：
$12.73万
依托单位：
Aichi Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2010
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2010 至 2012
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22360009/
关键词：
窒化物半導体有機金属気相成長格子欠陥不純物ドーピングシリコン基板透過電子顕微鏡観察遠赤外吸収スペクトルシリコンホトニクスMOVPE成長疑似格子整合TEMPLTEM観察FTIR評価

项目摘要

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中文摘要
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研究了掺入少量In的AlN缓冲层和AlN成核层的作用。这两层都大大降低了生长层中的丝位错密度。碳掺杂(1-101)AlGaN层的FTIR谱显示了Al-C键的局域振动模式。这表明p型导电是由位于N位的碳组织的。
英文摘要
The role of an AlInN buffer layer and an AlN nucleation layer incorporated with small amount of In has been investigated. The threading dislocation density in the grown layer was much reduced by these two layers. The FTIR spectra in a carbon doped (1-101)AlGaN layer showed a local vibration mode which is attributed to Al-C bond. This shows that the p-type conduction is organized by the carbon sitting on an N site.
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会议论文
Impurity incorporation in semipolar (1-101)GaN grown on Si substrate
Si 衬底上生长的半极性 (1-101)GaN 中的杂质掺入
DOI： 10.1088/0268-1242/27/2/024006
发表时间： 2012
期刊： Semiconductor Science & Technology
影响因子： 1.9
作者： [N.Sawaki, K.Hagiwara, T.Hikosaka, and Y.Honda]
通讯作者： and Y.Honda
HVPE growth of ultraviolet light emission double-heterostructure
紫外光发射双异质结构的HVPE生长
DOI： --
发表时间： 2010
期刊：
影响因子： --
作者： [A. Ghosh, S. Yusa, H. Matsuoka, Y. Saruwatari, H.S.Jeon]
通讯作者： H.S.Jeon
FTIR spectra and LVMs in a carbon doped (1-101)GaN grown on a (001)Si substrate by MOVPE," ISPlasma
通过 MOVPE 在 (001)Si 衬底上生长的碳掺杂 (1-101)GaN 的 FTIR 光谱和 LVM，“ISPlasma
DOI： --
发表时间： 2011
期刊：
影响因子： --
作者： [K.Hagiwara, M.Amano, R.Katayama, N.Sawaki, Y.Honda, T.Hikosaka, T.Tanikawa, N.Koide, M.Yamaguchi, and H.Amano]
通讯作者： and H.Amano
Defect generation and annihilation in GaN grown on patterned silicon substrate
图案化硅衬底上生长的 GaN 中的缺陷产生和消灭
DOI： 10.1117/12.2002738
发表时间： 2013
期刊： Proc. SPIE
影响因子： --
作者： [N.Sawaki, S.Ito, T.Nakagita, H.Iwata, T.Tanikawa, M.Irie, Y.Honda, M.Yamaguchi, and H.Amano]
通讯作者： and H.Amano
共 33 条
    A high efficiency III nitride solar cell with graded composition top layer
    • 批准号：
      24656019
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      SAWAKI Nobuhiko
    • 依托单位：
      Aichi Institute of Technology
    Selective epitaxial growth of nitride nano-hetero structures on patterned silicon substrate
    • 批准号：
      16106001
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
    • 资助金额：
      $74.21万
    • 财政年份：
      2004
    • 负责人：
      SAWAKI Nobuhiko
    • 依托单位：
      Nagoya University
    SELECTIVE GROWTH OF III-NITRIDE MICROSTRUCTURES ON SILICON SUBSTRATE
    • 批准号：
      13305023
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $34.69万
    • 财政年份：
      2001
    • 负责人：
      SAWAKI Nobuhiko
    • 依托单位：
      NAGOYA UNIVERSITY
    Non-linear optical devices utilizing triply coupled asymmetric GaAs quantum wells
    • 批准号：
      10555103
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B).
    • 资助金额：
      $8.26万
    • 财政年份：
      1998
    • 负责人：
      SAWAKI Nobuhiko
    • 依托单位：
      NAGOYA UNIVERSITY
    海外基金