Correlated diffusion of impurities and silicon in next-generation gate insulating film

下一代栅极绝缘膜中杂质和硅的相关扩散

基本信息

  • 批准号:
    16360021
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 9.41万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2004
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2004 至 2006
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Understanding of silicon diffusion in the course of the advanced IC processing is becoming increasingly important in the era of nanoelectroics. For example, control of unwanted over diffusion of impurities in source and drain regions, formation mechanisms of silicon dioxide, etc. requires understanding of behaviors of silicon atoms. Up to know such details have been neglected in the research despite of its importance.In this project, we have employed two stable isotopes of silicon (^<28>Si and ^<30>Si) as markers for the secondary ion mass spectroscopy (SIMS) measurement to probe the diffusion and chemical reaction of silicon in the process of formation of source-drain regions and of thin film dioxide. We have concentrated especially on the diffusion of ion-implanted boron impurities whose diffusions are affected significantly by SiO defects that are generated at the interface of silicon dioxide and silicon, and diffuse to the region of silicon doped by boron impurities. As a result we have resolved the puzzle of the enhanced boron diffusion reported previously and succeeded in construction of a theoretical model to simulate and reproduce experiments. Such model will be useful for the development of nanosilicon process simulators.
在奈米电子学时代,了解先进积体电路制程中的矽扩散现象变得越来越重要。例如,控制源极和漏极区域中杂质的不希望的过度扩散、二氧化硅的形成机制等需要理解硅原子的行为。在本计画中,我们利用二次离子质谱(西姆斯)技术,以硅的两种稳定同位素(~ <28>3Si和~ 4Si<30>)为标记物,探讨硅在源漏区和二氧化物薄膜形成过程中的扩散和化学反应。我们已经特别集中在离子注入的硼杂质的扩散,其扩散的影响显着的二氧化硅和硅的界面处产生的SiO缺陷,并扩散到由硼杂质掺杂的硅的区域。从而解决了以往报道的硼扩散增强的难题,并成功地建立了一个理论模型来模拟和再现实验。该模型将有助于纳米硅工艺模拟器的开发。

项目成果

期刊论文数量(22)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Observation of Si Emission during Thermal Oxidation of Si(001) with High-Resolution RBS Nuclear Instruments and Methods in Physics
用高分辨率 RBS 核仪器和物理方法观测 Si(001) 热氧化过程中的 Si 发射
  • DOI:
  • 发表时间:
    2006
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S.Hosoi;K.Nakajima;M.Suzuki;K.Kimura;Y.Shimizu;S.Fukatsu;K.M.Itoh;M.Uematsu;H.Kageshima;K.Shiraishi
  • 通讯作者:
    K.Shiraishi
Modeling of Si self-diffusion in SiO_2 : Effect of the Si/SiO_2 interface including time-dependent diffusivity
Si 在 SiO_2 中自扩散的模拟:Si/SiO_2 界面的影响,包括随时间变化的扩散率
  • DOI:
  • 发表时间:
    2004
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M.Uematsu;A.Fujiwara;H.Kageshima;Y.Takahashi;他
  • 通讯作者:
Correlated Diffusion of Silicon and Boron in Thermally Grown SiO_2
热生长SiO_2中硅和硼的相关扩散
  • DOI:
  • 发表时间:
    2004
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M.Uematsu;H.Kageshima;Y.Takahashi;S.Fukatsu;他
  • 通讯作者:
Modeling of Si Self-Diffusion in SiO_2 Effect of the Si/SiO_2 Interface Including Time-Dependent Diffusivity
SiO_2 中 Si 自扩散的建模 Si/SiO_2 界面的效应(包括随时间变化的扩散率)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2004
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M.Uematsu;A.Fujiwara;H.Kageshima;Y.Takahashi;S.Fukatsu;K.M.Itoh;K.Shiraishi;U.Gosele
  • 通讯作者:
    U.Gosele
SiO_2中の拡散に与えるSi/SiO_2界面の影響
Si/SiO_2界面对SiO_2扩散的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2005
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    深津茂人;伊藤公平;植松真司;藤原聡;影島博之;高橋庸夫;他
  • 通讯作者:
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  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 9.41万
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    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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