高度に機能化された液晶半導体に向けた新規な金属錯体液晶に関する研究

点击翻译按钮获取中文摘要

液晶性半導体を用いた有機電子デバイス研究に資するために、溶媒可溶性に富み、大きなπ電子共役系を持つフタロシアニン金属錯体液晶について、π電子共役系の積層カラム構造の制御によって電荷移動度の高速化及びそれに伴う高電気伝導性の獲得を狙った研究を前年度から引続き実施した。具体的には、H17年度に合成し、液晶性を明らかにした2,3,6,7,10,11,14,15位に長鎖チオアルキル基を有するジヒドロキソフタロシアニンのdouble decker型セリウム錯体(論文発表済、 Chemical Communications,2006,3874)について飛行時間計測(Time-Of-Flight)法による電荷移動度の測定を行った。その結果、ヘキサゴナルカラムナー相において10^<-3>〜10^<-4>cm^2 V^<-1>s^<-1>の電荷移動度を示すことが明らかとなった。この移動度は相当する既知のdouble-decker型フタロシアニンルテチウム錯体のそれに比べて1から2桁小さい。分子の立体構造はほぼ変わらないことから後者の原子価がラジカル種を有する状態であることが電荷移動度に有利に作用しているものと考えられた。本系では加えて、ITO基板上で自発的ホメオトロピック(カラム構造の垂直配向)配向を取りうることを発見、前出のルテチウム錯体液晶での挙動はそのように報告されていないことから現象的に興味深い。本結果はJournal of Materials Chemistry誌においてフルペーパーとして掲載が決まったばかりでなく結果の図案が同誌の表紙内面カバーを飾ることとなった。一方、当所目的のケイ素錯体化合物は二最体として安定に得ることが可能でこの液晶性を検討したところヘキサゴナルカラムナー相を示すことが判明、引続き電荷移動度の測定を実施した。