Novel crystal growth technology using Na-addition for developing high-efficiency In-free compound thin-film solar cells
使用Na添加的新型晶体生长技术开发高效无In化合物薄膜太阳能电池
基本信息
- 批准号:19H02663
- 负责人:
- 金额:$ 11.4万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2019
- 资助国家:日本
- 起止时间:2019-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(128)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Ag-rich Ag8SnS6薄膜の作製と評価
富银Ag8SnS6薄膜的制备与评价
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:赤木 洋二;内村 友宏;間 壱誠;中村 重之;荒木 秀明;瀬戸 悟;山口 利幸
- 通讯作者:山口 利幸
Ag-Sn-S積層薄膜に対する熱処理条件の検討
Ag-Sn-S叠层薄膜热处理条件的研究
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Daijiro Okaue;Ichiro Tanabe;Sakurako Ono;Kota Sakamoto;Taiki Sato;Akihito Imanishi;Yoshitada Morikawa;Jun Takeya;Ken-ichi Fukui;赤木洋二,内村友宏,間 壱誠,中村重之,荒木秀明,瀬戸 悟,山口利幸
- 通讯作者:赤木洋二,内村友宏,間 壱誠,中村重之,荒木秀明,瀬戸 悟,山口利幸
Cu2SnS3 薄膜太陽電池に対するアルカリ金属添加効果
碱金属添加对Cu2SnS3薄膜太阳能电池的影响
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:田崎傑士;茂田井大輝;神保和夫;荒木秀明;茂田井大輝,佐藤春夫,荒木秀明;田崎傑士,大橋亮太,茂田井大輝,細川陽子,佐藤春夫,荒木秀明;大橋亮太,佐藤春夫,荒木秀明;高橋昌也,大橋亮太,佐藤春夫,荒木秀明;張 乃偉,佐藤春夫,荒木秀明
- 通讯作者:張 乃偉,佐藤春夫,荒木秀明
Effect of H2S concentration for Cu2SnS3 thin films
H2S 浓度对 Cu2SnS3 薄膜的影响
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Yoji Akaki;Hinata Abe;Tomohiro Uchimura;Hideaki Araki
- 通讯作者:Hideaki Araki
Photovoltaic characteristics of Au-added CTS thin-film solar cells
添加Au的CTS薄膜太阳能电池的光伏特性
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Takeshi Tasaki;Hideaki Araki
- 通讯作者:Hideaki Araki
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Araki Hideaki其他文献
Crystal growth of Cu2ZnSnS4 by melting method
熔融法Cu2ZnSnS4晶体生长
- DOI:
- 发表时间:
2005 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Shimada Toshiro;Oishi Koichiro;Jimbo Kazuo;Katagiri Hironori;Araki Hideaki;Yoshida Osamu;Yamazaki Makoto;Kobayashi Satoshi;Tsuboi Nozomu - 通讯作者:
Tsuboi Nozomu
Araki Hideaki的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('Araki Hideaki', 18)}}的其他基金
Development of high efficiency Indium-free compound thin film solar cell by band engineering
利用能带工程开发高效无铟化合物薄膜太阳能电池
- 批准号:
16H04336 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of printable thin-film solar cells using lead-free iodide absorber
使用无铅碘化物吸收剂开发可印刷薄膜太阳能电池
- 批准号:
15K14305 - 财政年份:2015
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
相似国自然基金
基于过渡金属硫化物薄膜复合介质超表面的高性能可调控太赫兹辐射源研究
- 批准号:62365006
- 批准年份:2023
- 资助金额:31 万元
- 项目类别:地区科学基金项目
硫化物固体电解质化学稳定性机制及其超薄膜在全固态锂二次电池中的研究
- 批准号:52372244
- 批准年份:2023
- 资助金额:52.00 万元
- 项目类别:面上项目
过渡金属硫化物单层非晶薄膜的形成及其电子器件研究
- 批准号:n/a
- 批准年份:2023
- 资助金额:10.0 万元
- 项目类别:省市级项目
超快速高温制备氧化物/硫化物双层固态电解质薄膜及锂离子输运特性研究
- 批准号:
- 批准年份:2022
- 资助金额:30 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
针对无机硫化物固体电解质薄膜的临界电流密度研究
- 批准号:LQ22E020007
- 批准年份:2021
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
高质量硫化物钙钛矿BaZrS3薄膜的低温制备与光电性能调控机制研究
- 批准号:62104215
- 批准年份:2021
- 资助金额:30 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
含空位的二维过渡金属磷硫化物薄膜的离子快速传输和选择性研究
- 批准号:
- 批准年份:2021
- 资助金额:30 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
高离子导率、高机械强度固态电解质薄膜结构及制备原理研究
- 批准号:22005200
- 批准年份:2020
- 资助金额:24.0 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
金属纳米颗粒-薄膜间隙腔与单层过渡金属硫化物中面外激子的强耦合作用
- 批准号:11904110
- 批准年份:2019
- 资助金额:27.0 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
长寿命、高活性Pt/g-C3N4/SnS2/Cu2ZnSnS4(CZTS)异质结构光电极的设计及可控制备研究
- 批准号:51902156
- 批准年份:2019
- 资助金额:26.0 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
相似海外基金
ICP発光分光分析と蛍光X線分析の併用による硫化物薄膜の組成分析とNaの定量
使用 ICP 发射光谱和荧光 X 射线分析相结合进行硫化物薄膜的成分分析和 Na 定量
- 批准号:
23H05214 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists
ICP発光分光分析装置を利用した硫化物薄膜の組成分析とNaの定量
使用 ICP 发射光谱仪进行硫化物薄膜的成分分析和 Na 定量
- 批准号:
20H00955 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists
気相法を用いた硫化物系固体電解質薄膜の作製と全固体電池における界面形成
气相法制备硫化物基固体电解质薄膜及全固态电池界面形成
- 批准号:
14J12379 - 财政年份:2014
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Sulfide-based thin film solar cell with new electrode structure
新型电极结构硫化物基薄膜太阳能电池
- 批准号:
26820118 - 财政年份:2014
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
溶液プロセスによる金属硫化物薄膜の化学的/電気化学的作製と評価
溶液法金属硫化物薄膜的化学/电化学制备及评价
- 批准号:
99J08490 - 财政年份:1999
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
パルスレーザーを用いる硫化物薄膜の合成と精密形態制御
脉冲激光硫化物薄膜的合成和精确形貌控制
- 批准号:
08650863 - 财政年份:1996
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Basic Research on Tin Sulfide(SnS) Thin Film Solar Cells
硫化锡(SnS)薄膜太阳能电池的基础研究
- 批准号:
05045034 - 财政年份:1993
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for international Scientific Research
アルカリ土類硫化物半導体薄膜エレクトロルミネッセンス素子の励起・発光機構の研究
碱土硫化物半导体薄膜电致发光器件的激发与发射机理研究
- 批准号:
01750021 - 财政年份:1989
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
熱分解を利用する硫化物系セラミック薄膜製作に適した新規な有機金属前駆体の開発
开发适合利用热解制造硫化物基陶瓷薄膜的新型有机金属前体
- 批准号:
01750784 - 财政年份:1989
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
Preparation and Properties of Thin Film by Plasma-Assisted CVD for CO_2 Laser Lens
CO_2激光透镜等离子体辅助CVD薄膜的制备及性能
- 批准号:
63890015 - 财政年份:1988
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research