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Fundamental Study on GaN-based Surface emitting devices and their integration
GaN基表面发射器件及其集成的基础研究
基本信息
- 批准号：18560344
- 负责人：
- 金额：$ 2.4万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2006
- 资助国家：日本
- 起止时间：2006 至 2008
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
高効率発光ダイオードがダブルへテロ構造および量子井戸、pn接合により実現されているが、マイクロディスプレイ応用の観点から、製作コストの点からデバイス構造の抜本的改革が必要とされている。本研究ではショットキー型発光ダイオードに着目し、低コスト集積化応用およびその発光効率向上を検討してきた。本素子は、逆方向リーク電流が少ないことが、素子の動作原理上要求される。窒化物上に蒸着したアルミニウム薄膜の大気中酸化およびその大気中エッチングにより低リーク電流を実現した
High efficiency optical fiber structure, quantum well structure, pn junction structure, realization of optical fiber structure, fabrication of optical fiber structure, and fundamental reform of optical fiber structure are necessary. This study focuses on the development of light efficiency, low concentration and high light efficiency. This element is reverse, reverse direction, current, element operation principle requirements. The high temperature and low temperature current of the compound film are realized.
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Fabrication of MgZnO films by molecular precursor method and their application to UV-transparent electrodes
- DOI：10.1002/pssc.200880406
- 发表时间：2009-02
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Mashiyama;K. Yoshioka;S. Komiyama;H. Nomura;S. Adachi;Mitsunobu Sato;T. Honda
- 通讯作者：Y. Mashiyama;K. Yoshioka;S. Komiyama;H. Nomura;S. Adachi;Mitsunobu Sato;T. Honda
GaN薄膜成長のための表面窒化Al基板製作
用于 GaN 薄膜生长的表面氮化 Al 衬底制造
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：田口悟;澤田石将士;笹谷光基;山本博美;本田徹
- 通讯作者：本田徹
Thermal effects on light-emission properties of GaN LEDs grown by metal-organic vapor phase epitaxy
金属有机气相外延生长的 GaN LED 发光性能的热效应
- DOI：
- 发表时间：2007
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Honda;T. Kobayashi;S. Egawa;M. Sawada;K. Sugimoto and T. Baba
- 通讯作者：K. Sugimoto and T. Baba
Insertion of oxide layer to GaN-based Schottky-type UV light-emitting diode
氮化镓基肖特基型紫外发光二极管中插入氧化层
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：北川 文彦;鈴木 崇章;篠原 秀敏;水野 潤;庄子 習一;大塚 浩二;Tohru HONDA
- 通讯作者：Tohru HONDA
Surface-oxide etching on Al substrates for the formation of AlN
在 Al 基底上进行表面氧化物蚀刻以形成 AlN
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Taguchi;M. Sawadaishi;K. Sasaya;H. Yamamoto and T. Honda
- 通讯作者：H. Yamamoto and T. Honda
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Fabrication of planar-type GaN-based surface emitting devices
平面型GaN基表面发射器件的制造
- 批准号：
21560361 - 财政年份：2009
- 资助金额：
$ 2.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似海外基金
原子層半導体モアレヘテロ接合を用いた高性能・高機能偏光発光素子
使用原子层半导体莫尔异质结的高性能、高功能偏振发光器件
- 批准号：
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- 资助金额：
$ 2.4万 - 项目类别：
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- 资助金额：
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- 批准号：
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- 资助金额：
$ 2.4万 - 项目类别：
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- 批准号：
13J00082 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 2.4万 - 项目类别：
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- 批准号：
13J01918 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 2.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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利用非极性III族氮化物半导体实现高效绿光发光器件的研究
- 批准号：
09J07654 - 财政年份：2009
- 资助金额：
$ 2.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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- 批准号：
18922033 - 财政年份：2006
- 资助金额：
$ 2.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists
III族窒化物半導体及び酸化亜鉛単結晶を接合した高輝度発光素子の開発
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- 批准号：
05J11748 - 财政年份：2005
- 资助金额：
$ 2.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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化合物半导体光子晶体与发光器件集成研究
- 批准号：
05F05350 - 财政年份：2005
- 资助金额：
$ 2.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
低直列抵抗シリコン上窒化物半導体発光素子の研究
硅基低串联电阻氮化物半导体发光器件的研究
- 批准号：
14750009 - 财政年份：2002
- 资助金额：
$ 2.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)