Fundamental Study on GaN-based Surface emitting devices and their integration
Fundamental Study on GaN-based Surface emitting devices and their integration
GaN基表面发射器件及其集成的基础研究
批准号：
18560344
负责人：
HONDA Tohru
金额：
$2.4万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2008
中文摘要
翻译
高効率発光ダイオードがダブルへテロ構造および量子井戸、pn接合により実現されているが、マイクロディスプレイ応用の観点から、製作コストの点からデバイス構造の抜本的改革が必要とされている。本研究ではショットキー型発光ダイオードに着目し、低コスト集積化応用およびその発光効率向上を検討してきた。本素子は、逆方向リーク電流が少ないことが、素子の動作原理上要求される。窒化物上に蒸着したアルミニウム薄膜の大気中酸化およびその大気中エッチングにより低リーク電流を実現した
英文摘要
高効率発光ダイオードがダブルへテロ構造および量子井戸、pn接合により実現されているが、マイクロディスプレイ応用の観点から、製作コストの点からデバイス構造の抜本的改革が必要とされている。本研究ではショットキー型発光ダイオードに着目し、低コスト集積化応用およびその発光効率向上を検討してきた。本素子は、逆方向リーク電流が少ないことが、素子の動作原理上要求される。窒化物上に蒸着したアルミニウム薄膜の大気中酸化およびその大気中エッチングにより低リーク電流を実現した
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DOI：
10.1002/pssc.200880406
发表时间：
2009-02
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
--
作者：
[Y. Mashiyama;K. Yoshioka;S. Komiyama;H. Nomura;S. Adachi;Mitsunobu Sato;T. Honda]
通讯作者：
Y. Mashiyama;K. Yoshioka;S. Komiyama;H. Nomura;S. Adachi;Mitsunobu Sato;T. Honda
Thermal effects on light-emission properties of GaN LEDs grown by metal-organic vapor phase epitaxy
金属有机气相外延生长的 GaN LED 发光性能的热效应
金属有机气相外延生长的 GaN LED 发光性能的热效应
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
Journal of Crystal Growth vol.300
影响因子：
--
作者：
[T. Honda, T. Kobayashi, S. Egawa, M. Sawada, K. Sugimoto and T. Baba]
通讯作者：
K. Sugimoto and T. Baba
GaN薄膜成長のための表面窒化Al基板製作
用于 GaN 薄膜生长的表面氮化 Al 衬底制造
用于 GaN 薄膜生长的表面氮化 Al 衬底制造
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[田口悟, 澤田石将士, 笹谷光基, 山本博美, 本田徹]
通讯作者：
本田徹
Insertion of oxide layer to GaN-based Schottky-type UV light-emitting diode
氮化镓基肖特基型紫外发光二极管中插入氧化层
氮化镓基肖特基型紫外发光二极管中插入氧化层
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[北川 文彦, 鈴木 崇章, 篠原 秀敏, 水野 潤, 庄子 習一, 大塚 浩二, Tohru HONDA]
通讯作者：
Tohru HONDA
Surface-oxide etching on Al substrates for the formation of AlN
在 Al 基底上进行表面氧化物蚀刻以形成 AlN
在 Al 基底上进行表面氧化物蚀刻以形成 AlN
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. Taguchi, M. Sawadaishi, K. Sasaya, H. Yamamoto and T. Honda]
通讯作者：
H. Yamamoto and T. Honda
共 43 条
Fabrication of planar-type GaN-based surface emitting devices
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批准号：21560361
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.0万
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财政年份：2009
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负责人：HONDA Tohru
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依托单位：
海外基金