Development of High-brightness Spin Polarized Electron Source

高亮度自旋极化电子源的研制

基本信息

  • 批准号:
    18360023
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 10.95万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2006
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2006 至 2008
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

カーボンナノチューブ(CNT)成長の触媒金属になり得るハーフメタル強磁性体からの電界放出電子のスピン偏極度の測定を行った。Co2MnSi薄膜表面からの電界放出電子のスピン偏極度は、室温で10~47%の高い値で得られた。また<110>配向単結晶マグネタイトウィスカーからの電界放出電子のスピン偏極度は、Verwey転移温度で約5%から最大14%まで増加した。以上の結果から、ハーフメタル材料は電界放出型スピン偏極電子源の陰極材料として適していることが示唆され、またこれらハーフメタルを触媒に用いたCNTには、スピン注入が行える可能性が示された。
カ ー ボ ン ナ ノ チ ュ ー ブ (CNT) growth の catalyst metal に な り have る ハ ー フ メ タ ル strong magnetic body か ら の electricity industry emitted electron の ス ピ ン determination of partial extreme の を line っ た. The surface of the Co2MnSi film で ら the electrons released from the <s:1> electric field <s:1> スピ the <s:1> is slightly off the <s:1>, and at room temperature で10 to 47% <s:1>, it has a high <s:1> value で and られた. ま た < 110 > match to the crystallization 単 マ グ ネ タ イ ト ウ ィ ス カ ー か ら の electricity industry emitted electron の ス ピ ン partial extreme は, Verwey planning move temperature で about 5% か ら maximum 14% ま で raised plus し た. の above results か ら, ハ ー フ メ タ ル material は type electric industry released ス ピ ン partial electronic source の cathode materials と し て optimum し て い る こ と が in stopping さ れ, ま た こ れ ら ハ ー フ メ タ ル を catalyst に with い た CNT に は, ス ピ ン injection line が え が る possibility in さ れ た.

项目成果

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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Spin polarization of Field Emitted Electrons from Half-metallic Co_2MnSi Thin Film Grown on W(001)Facet
W(001)面上生长的半金属Co_2MnSi薄膜场发射电子的自旋极化
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shigekazu Nagai;Yuji Fujiwara;Koichi Hata
  • 通讯作者:
    Koichi Hata
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    永井滋一;藤原祐司;畑浩一;岡田守弘;三村秀典
  • 通讯作者:
    三村秀典
Spin polarization of fieldemitted electrons from half-metallic Co_2MnSi thin films grown on a W(001)facet
W(001)面上生长的半金属Co_2MnSi薄膜场发射电子的自旋极化
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shigekazu Nagai;Yuji Fujiwara;KoichiHata
  • 通讯作者:
    KoichiHata
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  • 资助金额:
    $ 10.95万
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