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Direct synthesis of graphene on an insulator substrate by chemical vapor deposition using metal vapor catalysts and development of high efficiency MOS type electron emission devices

Direct synthesis of graphene on an insulator substrate by chemical vapor deposition using metal vapor catalysts and development of high efficiency MOS type electron emission devices
使用金属蒸气催化剂通过化学气相沉积在绝缘体基板上直接合成石墨烯并开发高效MOS型电子发射器件
批准号：
15H05522
负责人：
Murakami Katsuhisa
金额：
$13.81万
依托单位：
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (2016-2017)University of Tsukuba (2015)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15H05522/
关键词：
グラフェン化学気相成長電子放出デバイス真空ナノエレクトロニクス平面型電子放出デバイス

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マルチエミッタ評価装置によるボルケーノ構造スピント型エミッタの個々の動作チップの放出電流測定
使用多发射器评估装置测量火山结构 Spindt 发射器的各个工作芯片的发射电流
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [田口広大, 村田英一, 六田英治, 下山宏, 長尾昌善, 村上勝久]
通讯作者： 村上勝久
ミニマルファブを用いたエレクトロスプレースラスタの試作
使用最小工厂的电喷雾推进器原型
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [長尾昌善、井上直樹、鷹尾祥典、辰巳憲之、村上勝久、Khumpuang Sommawan, 原史朗]
通讯作者： 原史朗
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DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
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通讯作者： 三村秀典
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尝试使用Kr作为放电气体通过HPPMS制造Spindt型发射器
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [谷口日向, 中野武雄, 大家渓, 長尾昌善、大崎壽, 村上勝久]
通讯作者： 村上勝久
共 17 条
    Development of ultrahigh efficiency planer-type electron emission devices using a stacked structure of atomic layer materials
    Development of graphite intercalation compound integration technology on insulating substrate and its device applications.
    Development of conductive scanning probe microscopy system for highly sensitive current-voltage measurement at nanoscale
    • 批准号：
      25630168
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2013
    • 负责人：
      Murakami Katsuhisa
    • 依托单位：
      University of Tsukuba
    海外基金