Direct synthesis of graphene on an insulator substrate by chemical vapor deposition using metal vapor catalysts and development of high efficiency MOS type electron emission devices

使用金属蒸气催化剂通过化学气相沉积在绝缘体基板上直接合成石墨烯并开发高效MOS型电子发射器件

基本信息

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
マルチエミッタ評価装置によるボルケーノ構造スピント型エミッタの個々の動作チップの放出電流測定
使用多发射器评估装置测量火山结构 Spindt 发射器的各个工作芯片的发射电流
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    田口広大;村田英一;六田英治;下山宏;長尾昌善;村上勝久
  • 通讯作者:
    村上勝久
ミニマルファブを用いたエレクトロスプレースラスタの試作
使用最小工厂的电喷雾推进器原型
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    長尾昌善、井上直樹、鷹尾祥典、辰巳憲之、村上勝久、Khumpuang Sommawan;原史朗
  • 通讯作者:
    原史朗
マトリクス駆動とビーム集束を実現するボルケーノ構造ダブルゲートスピント型電子源
火山结构双栅Spindt电子源,实现矩阵驱动和束流聚焦
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    長尾昌善;村上勝久;後藤康仁;根尾陽一郎;三村秀典
  • 通讯作者:
    三村秀典
放電ガスにKrを用いたHPPMSによるSpindt型エミッタ作製の試み
尝试使用Kr作为放电气体通过HPPMS制造Spindt型发射器
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    谷口日向;中野武雄;大家渓;長尾昌善、大崎壽;村上勝久
  • 通讯作者:
    村上勝久
グラフェンを利用した電子源の最近の動向
使用石墨烯的电子源的最新趋势
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Nozomi Takeuchi;Mizuki Ando;and Koichi Yasuoka;村上 勝久
  • 通讯作者:
    村上 勝久
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Murakami Katsuhisa其他文献

Fabrication of nano-capillary emitter arrays for ionic liquid electrospray thrusters
用于离子液体电喷雾推进器的纳米毛细管发射器阵列的制造
  • DOI:
    10.35848/1347-4065/abf2d5
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Suzuki Kanta;Nagao Masayoshi;Liu Yongxun;Murakami Katsuhisa;Khumpuang Sommawan;Hara Shiro;Takao Yoshinori
  • 通讯作者:
    Takao Yoshinori
Microscope equipped with graphene-oxide-semiconductor electron source
配备氧化石墨烯半导体电子源的显微镜
Planar type electron emission device using atomic layered materials and its applications
使用原子层状材料的平面型电子发射器件及其应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Murakami Katsuhisa;Matsumoto Naoyuki;Kameda Yukino;Takao Yoshinori;Neo Yoichiro;Yamada Yoichi;Mitsuishi Kazutaka;Sasaki Masahiro;Mimura Hidenori;Nagao Masayoshi
  • 通讯作者:
    Nagao Masayoshi
Electron Emission Study of Planar-Type Electron Emission Devices Based on Nanocrystalline Silicon
基于纳米晶硅的平面型电子发射器件的电子发射研究
  • DOI:
    10.1149/09204.0223ecst
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shimawaki Hidetaka;Mimura Hidenori;Murakami Katsuhisa;Nagao Masayoshi
  • 通讯作者:
    Nagao Masayoshi
Planar type electron emission device using atomic layered materials and it applications
使用原子层状材料的平面型电子发射器件及其应用

Murakami Katsuhisa的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('Murakami Katsuhisa', 18)}}的其他基金

Development of ultrahigh efficiency planer-type electron emission devices using a stacked structure of atomic layer materials
使用原子层材料堆叠结构开发超高效率平面型电子发射器件
  • 批准号:
    18H01505
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 13.81万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of graphite intercalation compound integration technology on insulating substrate and its device applications.
绝缘基材石墨插层复合集成技术及其器件应用研究进展
  • 批准号:
    16K14223
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 13.81万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Development of conductive scanning probe microscopy system for highly sensitive current-voltage measurement at nanoscale
开发用于纳米级高灵敏度电流电压测量的导电扫描探针显微镜系统
  • 批准号:
    25630168
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 13.81万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

相似海外基金

半導体化学気相成長の科学
半导体化学气相沉积科学
  • 批准号:
    24H00432
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 13.81万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
化学気相成長法のための自動研究開発システムの構築
化学气相沉积法自动化研发系统的构建
  • 批准号:
    21K03817
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 13.81万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
集束イオンビーム化学気相成長法による三次元ナノ構造作製の高精度化に関する研究
聚焦离子束化学气相沉积高精度制备三维纳米结构的研究
  • 批准号:
    13J04726
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 13.81万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
グラフェンの化学気相成長過程における核形成機構と成長端での原子取込み機構の解明
阐明石墨烯化学气相生长过程中生长边缘的成核机制和原子吸收机制
  • 批准号:
    13J10382
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 13.81万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
触媒化学気相成長法を用いたカーボンナノチューブの合成と評価および生成機構の解明
催化化学气相沉积碳纳米管的合成和评价以及形成机制的阐明
  • 批准号:
    03J51091
  • 财政年份:
    2003
  • 资助金额:
    $ 13.81万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
プラズマ化学気相成長法によるカーボンナノチューブの成長制御および電子放出特性
等离子体化学气相沉积碳纳米管的生长控制及电子发射特性
  • 批准号:
    13750273
  • 财政年份:
    2001
  • 资助金额:
    $ 13.81万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
触媒化学気相成長法によるシリコン系薄膜の成長プロセス
采用催化化学气相沉积的硅基薄膜生长工艺
  • 批准号:
    11895001
  • 财政年份:
    1999
  • 资助金额:
    $ 13.81万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
化学気相成長法による珪素包含炭素繊維の高速製造と電極材料への応用
化学气相沉积法高速生产含硅碳纤维及其在电极材料中的应用
  • 批准号:
    08750887
  • 财政年份:
    1996
  • 资助金额:
    $ 13.81万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
化学気相成長法による超高温領域で使用する高性能酸素分離膜の作製
采用化学气相沉积法制备超高温区高性能氧气分离膜
  • 批准号:
    08750773
  • 财政年份:
    1996
  • 资助金额:
    $ 13.81万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
斜入射・斜出射蛍光X線分析法による化学気相成長プロセスのその場測定
使用掠入射和掠发射 X 射线荧光光谱法对化学气相沉积过程进行原位测量
  • 批准号:
    06650035
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 13.81万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了