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Study on quaternary GaN-based optoelectronic devices on large diameter Si substrate

Study on quaternary GaN-based optoelectronic devices on large diameter Si substrate
大直径Si衬底上四元GaN基光电器件研究
批准号：
18360169
负责人：
EGAWA Takashi
金额：
$10.59万
依托单位：
Nagoya Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18360169/
关键词：
有機金属気相成長法四元混晶半導体窒化物半導体発光ダイオード量子井戸フォトルミネッセンスX線回折高電子移動度トランジスターショットキーダイオードヘテロ接合二次元電子ガス

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高温成長させてAlGaN/AlN中間層と歪超格子を用いてSi基板上に高品質のGaN層を総膜厚6μmまで成長できた。AlN/Siの界面における伝導帯のバンド不連続と価電子帯のバンド不連続はそれぞれ2.3±0.4eV、2.8±0.4eVと求められた。発光波長310nm付近のInAlGaN量子井戸構造を作製した。InAlGaN/GaN HEMTではしきい値電圧が0.21Vのノーマリオフ特性が得られた。
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会议论文
Quantum-well and localized state emissions in AlInGaN deep ultraviolet light-emittng diodes
AlInGaN 深紫外发光二极管的量子阱和局域态发射
DOI： --
发表时间： 2007
期刊： ,Appl. Phys. Lett. Vol.91, No.22
影响因子： --
作者： [J. C. Zhang, Y. H. Zhu, T. Egawa, S. Sumiya, M. Miyoshi and M. Tanaka]
通讯作者： M. Miyoshi and M. Tanaka
Novel Quaternary A1InGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors on Sapphire Substrate
蓝宝石衬底上新型四元 A1InGaN/GaN 异质结构场效应晶体管
DOI： --
发表时间： 2006
期刊： Jpn. J. Appl. Phys Vol.45, No.7
影响因子： --
作者： [Y.Liu, T.Egawa H.Jiang, B.Zhang, H.Ishikawa]
通讯作者： H.Ishikawa
AlInN-based ultraviolet photodiode grwon by metal organic chemical vapor deposition
有机金属化学气相沉积AlInN基紫外光电二极管
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： Appl. Phys. Lett. Vol.92, No.20
影响因子： --
作者： [S. Senda, H. Jiang and T. Egawa]
通讯作者： H. Jiang and T. Egawa
AlN/AlGaN/GaN MIS-HEMTs with recessed source/drain Ohmic contact
具有凹进源极/漏极欧姆接触的 AlN/AlGaN/GaN MIS-HEMT
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： phys. Stat. Sol. (c)5, No.9
影响因子： --
作者： [S. L. Selvaraj, T. Ito, Y. Terada and T. Egawa]
通讯作者： Y. Terada and T. Egawa
共 20 条
    Combination of physical assessment models using an e-learning in PBL
    • 批准号：
      24501228
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.41万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      EGAWA Takashi
    • 依托单位：
      Shujitsu University
    Study on GaN-based normally-off device on Si substrate using selective area growth
    • 批准号：
      23360154
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $12.48万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      EGAWA Takashi
    • 依托单位：
      Nagoya Institute of Technology
    Development of problem based learning using an e-learning for pharmacy students.
    • 批准号：
      20500857
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2008
    • 负责人：
      EGAWA Takashi
    • 依托单位：
      Shujitsu University
    Study on GaN-based blue vertical cavity surface emitting laser on Si
    • 批准号：
      09650049
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.18万
    • 财政年份：
      1997
    • 负责人：
      EGAWA Takashi
    • 依托单位：
      Nagoya Institute of Technology
    海外基金