Study on GaN-based normally-off device on Si substrate using selective area growth
选择性区域生长硅衬底上氮化镓基常断器件的研究
基本信息
- 批准号:23360154
- 负责人:
- 金额:$ 12.48万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2011
- 资助国家:日本
- 起止时间:2011-04-01 至 2014-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
GaN-based HEMTs have attractive for high power switching applications. Normally-off operation was one of major requirements for AlGaN/GaN HEMTs. However, realization of normally-off operation with high drain cuurent is difficult due to the existence of two-dimensional electron gas in heterointerface induced piezo and spontaneous polarization charges. Selective area growth (SAG) technique is one of solutions for normally-off operation.In this study, I report normally-off AlGaN/GaN HEMTs with SAG of an AlGaN layer and deposition of an Al2O3 film on an AlGaN/GaN heterostructure designed to be completely depleted. Adopting AlGaN regrowth in a selective area and Al2O3 film deposition for the access region of the HEMT, the normall-off operation of AlGaN/GaN HEMT was demonstrated. The device showed the drain current density of 160 mA/mm and the threshold voltgae of 0.4 V.
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)在大功率开关领域具有广泛的应用前景。 常关断工作是AlGaN/GaN HEMT的主要要求之一。 然而,由于异质界面中二维电子气的存在,导致压电和自发极化电荷的产生,使得实现高漏电流的常关工作变得困难。 选择性区域生长(Selective Area Growth,SAG)技术是实现常关型器件的一种解决方案,在本论文中,作者报道了在AlGaN/GaN异质结构上沉积Al_2O_3薄膜,并采用SAG技术制备出常关型AlGaN/GaN HEMT。 采用AlGaN选择区再生长和Al 2 O3薄膜淀积作为HEMT的接入区,实现了AlGaN/GaN HEMT的常关工作。 器件的漏电流密度为160 mA/mm,阈值电压为0.4V。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
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- DOI:10.1063/1.4733359
- 发表时间:2012-07
- 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:J. Freedsman;T. Kubo;T. Egawa
- 通讯作者:J. Freedsman;T. Kubo;T. Egawa
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- DOI:10.1109/iedm.2012.6479112
- 发表时间:2012-12
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Egawa
- 通讯作者:T. Egawa
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- DOI:
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:3.1
- 作者:J. J. Freedsman;T. Kubo;T. Egawa
- 通讯作者:T. Egawa
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- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S. L. Selvaraj;A;Watanabe;T. Egawa
- 通讯作者:T. Egawa
Electroluminescence under the gate region using AlGaN/GaN HEMT with a transparent gate electrode
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- DOI:
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Narita;Y. Fujimoto;A. Wakejima;T. Egawa
- 通讯作者:T. Egawa
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