セラミック微粒子分散構造による非晶質シリコン太陽電池の高効率化

利用陶瓷细颗粒分散结构提高非晶硅太阳能电池的效率

基本信息

  • 批准号:
    18760234
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.3万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2006
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2006 至 2007
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本年度は高光閉じ込め構造の最適化を目指して、光錯乱特性の解析および高光閉じ込め構造を有するアモルファスシリコンシングルセル(基盤(Glass)/透明導電膜(SnO_2)/p a-Si/i a-Si/n μc-Si/裏面電極)の電気的特性評価による高効率化の検討を行った。本年度高い光閉じ込め効果が期待される長波長光(半導体レーザ:波長650nm)を用いた光散乱特性評価系を構築し、Al_2O_3微粒子の平均粒径およびa-Si:H膜上での分散状態に対する光錯乱特性の解析を行い、光閉じ込め構造設計光学的最適化を図った。また、昨年度の研究を通して明らかになったセル直列抵抗の増大、裏面電極剥離の問題を解決すべく、光閉じ込め構造の検討を行った。その結果、セル直列抵抗の低減を目指して導電性微粒子(ZnO:Al等)を用いた光閉じ込め構造の検討を行ったが、Al_2O_3微粒子を超える顕著な効果は得られなかった。一方、裏面電極剥離に対してはAl_2O_3微粒子のn層中への分散を行うことで大幅に低減できること、また、セル直列抵抗増大に対しても一定の効果を得られることを見出した。さらに上記光錯乱特性評価の結果得られた知見をあわせて光閉じ込め構造の最適化を図った結果、短絡光電流密度の増加(12.8%)にともなう高効率化(変換効率13.9%増加)という昨年度の結果を上回るアモルファスシリコン太陽電池の高効率化に成功した。また、本研究で得られた知見をまとめ、専門図書に執筆(分筆)を行った。
This year, we conducted research on optimization of high-resolution structure, analysis of optical disturbance characteristics and high-resolution structure, and evaluation of electrical characteristics of substrate (Glass)/transparent conductive film (SnO_2)/p-Si/ia-Si/n-μc-Si/back electrode). This year's high-resolution optical barrier effect is expected to be long-wavelength light (semiconductor wavelength: 650nm). The optical scattering characteristics of Al_2O_3 particles are analyzed and optimized. In the past year, the research has been carried out to solve the problem of increasing the resistance of the column and the separation of the inner electrode. As a result, the conductive particles (ZnO:Al, etc.) are used in the optical structure of the structure, and the Al_2O_3 particles are used in the optical structure of the structure. The dispersion of Al_2O_3 particles in the n-layer is greatly reduced, and the resistance of Al_2O_3 particles in the n-layer is increased. In addition, the results of the evaluation of optical disturbance characteristics were recorded. The results of optimization of optical structure, the increase of short-circuit photocurrent density (12.8%), the increase of conversion efficiency (13.9%), and the success of high efficiency of solar cells were recorded. This study is based on the knowledge of the author and the author of the book.

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Al_2O_3微粒子を用いた光閉じ込め構造を有するa-Si太陽電池の作製
Al_2O_3微粒光约束结构非晶硅太阳电池的制作
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H. Matsui;H. Tabata;毎田 修
  • 通讯作者:
    毎田 修
太陽光利用最前線
太阳能利用第一线
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H. Matsui;H. Tabata;毎田 修;Osamu MAIDA;Kentaro IMAMURA;毎田 修;毎田 修;毎田 修
  • 通讯作者:
    毎田 修
Low temperature formation of SiO2∕Si structure by nitric acid vapor
  • DOI:
    10.1063/1.2395601
  • 发表时间:
    2006-12
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.2
  • 作者:
    K. Imamura;O. Maida;K. Hattori;Masao Takahashi;H. Kobayashi
  • 通讯作者:
    K. Imamura;O. Maida;K. Hattori;Masao Takahashi;H. Kobayashi
高光閉じ込め構造を有するアモルファスシリコン太陽電池の特性評価
高限光结构非晶硅太阳能电池特性评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H. Matsui;H. Tabata;毎田 修;Osamu MAIDA;Kentaro IMAMURA;毎田 修;毎田 修
  • 通讯作者:
    毎田 修
Interface states for HfO2/Si structure observed by x-ray photoelectron spectroscopy measurements under bias
  • DOI:
    10.1063/1.2354436
  • 发表时间:
    2006-09
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    O. Maida;K. Fukayama;Masao Takahashi;H. Kobayashi;Young-Bae Kim;Hyun-Chul Kim;D. Choi
  • 通讯作者:
    O. Maida;K. Fukayama;Masao Takahashi;H. Kobayashi;Young-Bae Kim;Hyun-Chul Kim;D. Choi
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

毎田 修其他文献

ホモエピタキシャル成長ホウ素ドープダイヤモンド半導体結晶の深い欠陥準位評価
同质外延生长的掺硼金刚石半导体晶体中深缺陷水平的评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    毎田 修;市川 修平;小島一信
  • 通讯作者:
    小島一信
ナノピラー型メタ表面を用いた円偏光InGaN発光素子の設計
使用纳米柱型超表面的圆偏振InGaN发光器件的设计
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    鈴木 恭平;村田 雄生;市川 修平;戸田 晋太郎;毎田 修;小島 一信
  • 通讯作者:
    小島 一信
SiO2/ホウ素添加CVDダイヤモンド界面の過渡光容量法を用いた界面準位評価
采用瞬态光电容法评估SiO2/掺硼CVD金刚石界面的界面态
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    毎田 修;児玉 大志;兼本 大輔,廣瀬 哲也
  • 通讯作者:
    兼本 大輔,廣瀬 哲也
スパッタアニールAlNテンプレート上AlGaN薄膜の局在発光特性の評価
溅射退火 AlN 模板上 AlGaN 薄膜的局域发射特性评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    市川 修平;上杉 謙次郎;齊藤 一輝;肖 世玉;正直 花奈子;中村 孝夫;毎田 修;三宅 秀人;小島 一信
  • 通讯作者:
    小島 一信
二光子光電子分光によるGaAs(110)における表面再結合寿命の評価
双光子光电子能谱评价GaAs(110)表面复合寿命
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    市川 修平;毎田 修;小島 一信
  • 通讯作者:
    小島 一信

毎田 修的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('毎田 修', 18)}}的其他基金

Improvement of diamond semiconductor device properties by clarifying the non-radiative defect generation mechanism
通过阐明非辐射缺陷产生机制来提高金刚石半导体器件的性能
  • 批准号:
    22K04951
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
ゲート絶縁膜中固定電荷によるMOSFETのしきい値制御
使用栅极绝缘膜中的固定电荷进行MOSFET阈值控制
  • 批准号:
    15760221
  • 财政年份:
    2003
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

相似海外基金

アモルファス材料表面における構造的不均一性に関する研究
非晶材料表面结构异质性研究
  • 批准号:
    21K04872
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of energy harvesting devices utilizing photonics
利用光子学开发能量收集装置
  • 批准号:
    19K04544
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
High Voltage Bifacial Amorphous Si Quintuple-Junction Solar Cells for IoT Devices
用于物联网设备的高压双面非晶硅五重结太阳能电池
  • 批准号:
    19H00773
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Development of fabrication process of a-Si by liquid quenching for mass production
开发用于批量生产的非晶硅液体淬火制造工艺
  • 批准号:
    18H01760
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Hydrogen-mediated defect passivation of semiconductor materials during plasma processing
等离子体处理过程中氢介导的半导体材料缺陷钝化
  • 批准号:
    18K03603
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Crystallization of Silicon Thin Films by Microwave Rapid Heating
微波快速加热硅薄膜结晶
  • 批准号:
    16K06255
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Study on visible light recognition element using sequential deposited hydrogenated amorphous silicon film and artificial pigment
采用顺序沉积氢化非晶硅薄膜和人造色素的可见光识别元件的研究
  • 批准号:
    16K14059
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Optical modulatro using a low-temprerature silicon thin film.
使用低温硅薄膜的光调制器。
  • 批准号:
    15K18061
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Generation and annihilation mechanisms of plasma-induced defects on semiconductor surface
半导体表面等离子体诱导缺陷的产生与消灭机制
  • 批准号:
    15K04717
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Elucidation of void structure near the interface of a-Si:H/c-Si heterojunctions
阐明 a-Si:H/c-Si 异质结界面附近的空隙结构
  • 批准号:
    15K04663
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了