刷新
{{item.name}}会员
Crystallization of Silicon Thin Films by Microwave Rapid Heating
微波快速加热硅薄膜结晶
基本信息
- 批准号：16K06255
- 负责人：
- 金额：$ 3.08万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Crystallization of Silicon Thin Films By Microwave-Induced Rapid Heating
微波诱导快速加热硅薄膜的结晶
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Kimura;K. Ota;M. Hasumi;A. Suzuki;M. Ushijima;and T. Sameshima
- 通讯作者：and T. Sameshima
Crystallization and activation of silicon by microwave rapid annealing
- DOI：10.1007/s00339-016-0220-7
- 发表时间：2016-06
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Kimura;Kosuke Ota;M. Hasumi;Ayuta Suzuki;M. Ushijima;T. Sameshima
- 通讯作者：S. Kimura;Kosuke Ota;M. Hasumi;Ayuta Suzuki;M. Ushijima;T. Sameshima
Heating equipment with carbon heating used to activate silicon and fabricate its solar cells
用于激活硅并制造太阳能电池的碳加热加热设备
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Toshitaka Kikuchi;Takashi Sugawara;Takuma Uehara;Tomoyoshi Miyazaki;Go Kobayashi;Masahiko Hasumi;Toshiyuki Sameshima
- 通讯作者：Toshiyuki Sameshima
Heat treatment in liquid water at 80oC used to improve the interface characteristic of metal-oxide-semiconductor capacitor
80℃液态水中热处理改善金属氧化物半导体电容器界面特性
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yoshito Hirokawa;Masahiko Hasumi;Toshiyuki Sameshima;Tomohisa Mizuno
- 通讯作者：Tomohisa Mizuno
PN接合におけるバイアス電圧印加による光誘起少数キャリアライフタイムの挙動
PN 结偏压施加的光致少数载流子寿命行为
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：太田康介;鮫島俊之;蓮見真彦;水野智久
- 通讯作者：水野智久
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Hasumi Masahiko其他文献
Hasumi Masahiko的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
相似海外基金
フラッシュランプアニールによる非晶質シリコン膜の爆発的結晶化の変調機構解明
闪光灯退火非晶硅薄膜爆炸结晶调制机制的阐明
- 批准号：
24K08096 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Formation of polycrystalline silicon by explosive crystallization and its application to solar cells
爆炸结晶法制备多晶硅及其在太阳能电池中的应用
- 批准号：
15H04154 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Formation of Si nanostructure solar cells on glass substrates using aluminum induced crystallization
利用铝诱导结晶在玻璃基板上形成硅纳米结构太阳能电池
- 批准号：
26600049 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
近赤外半導体レーザ光照射による中空構造ａ－Ｓｉ膜の転写同時結晶化技術
近红外半导体激光照射中空结构非晶硅薄膜同步转移晶化技术
- 批准号：
13J02156 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射によるａ－Ｓｉ膜の結晶化及びＴＦＴ応用
常压微热等离子体射流辐照非晶硅薄膜晶化及TFT应用
- 批准号：
12J06779 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Development of the fabrication technology of next-generation polycrystalline silicon solar cells using rapid crystallization
利用快速结晶技术开发下一代多晶硅太阳能电池制造技术
- 批准号：
23760692 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Formation of high-quality poly-Si films by rapid crystallization of sputtered a-Si films
通过溅射非晶硅薄膜的快速结晶形成高质量多晶硅薄膜
- 批准号：
21760580 - 财政年份：2009
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Laser Crystallization of non two-dimensional Si substrates and their device application
非二维硅衬底激光晶化及其器件应用
- 批准号：
20246006 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Niドーパント分布場の積極的導入によるアモルファスシリコンの大粒径結晶化
主动引入Ni掺杂分布场实现非晶硅大晶粒结晶
- 批准号：
15686032 - 财政年份：2003
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
Position and Orientation Control of Si Thin-Film Crystal Grain Using Nano-Imprint Technology
利用纳米压印技术控制硅薄膜晶粒的位置和取向
- 批准号：
15360022 - 财政年份：2003
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)