Elucidation of void structure near the interface of a-Si:H/c-Si heterojunctions
Elucidation of void structure near the interface of a-Si:H/c-Si heterojunctions
阐明 a-Si:H/c-Si 异质结界面附近的空隙结构
批准号：
15K04663
负责人：
Matsuki Nobuyuki
金额：
$3.0万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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a-Si:H/c-Siヘテロ界面近傍ボイド構造の高速評価 －ボイドサイズと光学パラメータの相関普遍性に関する考察－
a-Si:H/c-Si异质界面附近的空洞结构的高速评估 - 关于空洞尺寸与光学参数之间相关性的普遍性的思考 -
a-Si:H/c-Si异质界面附近的空洞结构的高速评估 - 关于空洞尺寸与光学参数之间相关性的普遍性的思考 -
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[松木 伸行, 松井 卓矢, 満汐 孝治, オローク ブライアン, 大島 永康, 上殿 明良]
通讯作者：
上殿 明良
Fast optical determination of microvoid size in hydrogenated amorpshous silicon layers based on data obtained from positron annihilation spectroscopy
基于正电子湮没光谱获得的数据快速光学测定氢化非晶硅层中的微孔尺寸
基于正电子湮没光谱获得的数据快速光学测定氢化非晶硅层中的微孔尺寸
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[N. Matsuki, N. Oshima, B. O’Rourke, A. Uedono]
通讯作者：
A. Uedono
a-Si:H/c-Siヘテロ界面近傍ボイド構造の高速評価 －ボイドサイズ・水素結合・Si結合角ゆらぎの相互相関－
高速评估a-Si:H/c-Si异质界面附近的空隙结构 - 空隙尺寸、氢键和Si键角波动的互相关 -
高速评估a-Si:H/c-Si异质界面附近的空隙结构 - 空隙尺寸、氢键和Si键角波动的互相关 -
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[松木 伸行, オローク ブライアン, 大島 永康, 上殿 明良]
通讯作者：
上殿 明良
Characterization of microvoid structure in a-Si:H/c-Si heterojunctions via positron annihilation and spectroscopic ellipsometry
通过正电子湮没和光谱椭圆光度法表征 a-Si:H/c-Si 异质结中的微孔结构
通过正电子湮没和光谱椭圆光度法表征 a-Si:H/c-Si 异质结中的微孔结构
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[松木 伸行, オローク ブライアン, 大島 永康, 上殿 明良, 山末 耕平，茅根 慎通，長 康雄, N. Matsuki]
通讯作者：
N. Matsuki
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