Growth and material applications of narrow-bandgap III-V-N alloy semiconductor quantum nano-structures

窄带隙III-V-N合金半导体量子纳米结构的生长及材料应用

• 批准号: 19360003
• 负责人: ONABE Kentaro
• 金额: $ 11.98万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19360003/
• 关键词: エピタキシャル成長; 希薄窒化物半導体; III-V-N混晶; 量子ナノ構造; 量子ドット; InGaAsN; ジメチルヒドラジン; 自己形成量子ドット; 希薄窒化物

In-containing III-V-N type alloy semiconductors, such as InAsN, InGaAsN, InGaPN and InPN, have been grown by MOVPE in the form of thin films or quantum dots. The growth characteristics and material properties, such as bandgap reduction and luminescence, have been clarified in relation with the N incorporation. In particular, room-temperature photoluminescence of 1.2μm wavelength has been realized with the InAsN quantum dots. A novel potential of III-V-N type alloy semiconductors for useful applications has been demonstrated with this study.

含In的III-V-N型合金半导体，例如InAsN、InGaAsN、InGaPN和InPN，已经通过MOVPE以薄膜或量子点的形式生长。的生长特性和材料性能，如带隙减少和发光，已澄清与N的掺入。特别地，用InAsN量子点实现了1.2μm波长的室温光致发光。这项研究表明，III-V-N型合金半导体具有潜在的应用前景。

项目成果

MOVPE growth and photoluminescence properties of InAsN QDs

InAsN 量子点的 MOVPE 生长和光致发光特性

• 发表时间: 2008
• 期刊: physica status solidi (c) Vol. 5
• 作者: S. Kuboya;S. Takahashi;Q. T. Thieu;F. Nakajima;R. Katayama;K. Onabe
• 通讯作者: K. Onabe

Structural investigation of InGaAsN films grown on pseudo-lattice-matched InGaAs substrates by metalorganic vapor phase epitaxy

通过金属有机气相外延在准晶格匹配 InGaAs 衬底上生长的 InGaAsN 薄膜的结构研究

• 发表时间: 2007
• 期刊: Journal of Crystal Growth Vol. 298
• 作者: P. Kongjaeng;S. Sanorpim;T. Yamamoto;W. Ono;F. Nakajima;R. Katayama;K. Onabe
• 通讯作者: K. Onabe

Ge(001)基板上へのInGaAsN薄膜のMOVPE成長

Ge(001) 衬底上 MOVPE 生长 InGaAsN 薄膜

• 发表时间: 2010
• 作者: 菊地健彦;ティユ クァントゥ;加藤宏盟;窪谷茂幸;サクンタム サノーピン;尾鍋研太郎
• 通讯作者: 尾鍋研太郎

Photoluminescence properties of InAsN QDs grown by MOVPE

MOVPE 生长的 InAsN 量子点的光致发光特性

• 发表时间: 2007
• 作者: S. Kuboya;Q. T. Thieu;S. Takahashi;F. Nakajima;R. Katayama;K. Onabe
• 通讯作者: K. Onabe

Metastable cubic InN layers on GaAs(001)substrates grown by MBE : Growth condition and crystal structure

MBE 生长的 GaAs(001) 衬底上的亚稳态立方 InN 层：生长条件和晶体结构

• 发表时间: 2009
• 期刊: physica status solidi(c) 6
• 作者: S.Sanorpim;P.Jantawongrit;S.Kuntharin;C.Thanachayanont;T.Nakamura;R.Katayama;K.Onabe
• 通讯作者: K.Onabe