Growth of high phase purity cubic III-nitride semiconductor thin films and application of their heterostructures

高相纯度立方III族氮化物半导体薄膜的生长及其异质结构应用

• 批准号: 22360005
• 负责人: ONABE Kentaro
• 金额: $ 8.65万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22360005/
• 关键词: エピタキシャル成長; 立方晶窒化物半導体; 立方晶III-N半導体; 窒化物半導体; III-N半導体; MOVPE; MBE; 半導体物性; 結晶成長; 立方晶III族窒化物; III族窒化物半導体

High cubic phase purity films and their hetero-structures of III-nitride semiconductors including GaN, InN, AlN and related alloys have been realized using metalorganic vapor phase epitaxy or molecular beam epitaxy. Their basic physical properties such as phase purity, defect nature, luminescence and electrical conduction have been clarified in relation with the growth conditions. In particular, the usefulness of YSZ(001) substrates for cubic InN and InGaN films, conductivity control by Si doping to cubic GaN and AlGaN films, and the bandgap value for cubic AlN are established.

使用金属有机蒸气相或分子束外观上的III氮化物半导体（包括GAN，INN，ALN和相关合金）的III氮化物半导体的异质结构。它们的基本物理特性，例如相纯度，缺陷性质，发光和电导性，已经与生长条件有关。特别是，建立了YSZ（001）底物对立方Inn和Ingan膜的有用性，通过Si掺杂到立方GAN和Algan膜的电导率控制以及立方ALN的带隙值。

项目成果

TEMinvestigation of anisotropic defect structure in cubic GaN/AlGaAs/GaAs(001) grown by MOVPE

MOVPE 生长的立方 GaN/AlGaAs/GaAs(001) 各向异性缺陷结构的 TEM 研究

• DOI: 10.1002/pssc.201001170
• 发表时间: 2011
• 期刊: physica status solidi (c)
• 作者: J. Parinyataramas;S. Sanorpim;C.Thanachayanont;K. Onabe
• 通讯作者: K. Onabe

MOVPE growth of cubic GaN films via an AlGaAs intermediate layer on GaAs (001) substrates

通过 GaAs (001) 衬底上的 AlGaAs 中间层 MOVPE 生长立方 GaN 薄膜

• 发表时间: 2010
• 作者: H.Kato;Y.Seki;Q.T.Thieu;S.Kuboya;K.Onabe
• 通讯作者: K.Onabe

立方晶GaNバッファー層を用いた立方晶AlNのRF-MBE成長

使用立方 GaN 缓冲层进行立方 AlN 的 RF-MBE 生长

• 发表时间: 2011
• 期刊: 第58回応用物理学関係連合講演会予稿集
• 作者: H. J. Haroosh;Y. Dong;D. S. Chaudhary;G. D. Ingram;S. Yusa;角田雅弘,牧野兼三,石田崇,窪谷茂幸,尾鍋研太郎
• 通讯作者: 角田雅弘,牧野兼三,石田崇,窪谷茂幸,尾鍋研太郎

Growth of Si doped c-AlGaN and c-GaNfilms on MgO (001) substrate byRF-MBE

RF-MBE 在 MgO (001) 衬底上生长 Si 掺杂 c-AlGaN 和 c-GaN 薄膜

• 发表时间: 2010
• 作者: M. Kakuda;Y. Fukuhara;K.Nakamura;S. Kuboya;K. Onabe,
• 通讯作者: K. Onabe,

RF-MBE Growth of Si doped cubic GaN and AlGaN films on MgO(001) substrates

MgO(001) 衬底上 Si 掺杂立方 GaN 和 AlGaN 薄膜的 RF-MBE 生长

• 发表时间: 2010
• 作者: M. Kakuda;S.Kuboya;K. Onabe,
• 通讯作者: K. Onabe,