Study of Ultra Low Resistance Thin Film of SnO2for Next Generation Display

下一代显示器用超低电阻SnO2薄膜的研究

• 批准号: 19360145
• 负责人: SATOH Ryohei
• 金额: $ 12.06万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19360145/
• 关键词: 透明導電膜; フラットパネルディスプレイ; ナノシード層; SnO_2, YAGレーザ加工; 次世代ディスプレイ; エピタキシャル; レーザ加工; Sn02; YAGレーザ加工

次世代ディスプレイ用SnO_2系超低抵抗導電膜作成技術の構築を目指し、SnO2-Ta-Nb系高密度(95%以上)焼結ターゲットを実現し、(110)面、(200)面が基板面に垂直な方向での配向によりSnの5S軌道の重なりを確保しやすくし移動度の向上を達成し、高温アニール(873K)膜として最も低い6.5×10-^5Ω・mを達成した。また、Ta,Nbドープにより、3J/cm^2での低エネルギー加工ができることを世界で初めて明らかにした。

Nextgen デ ィ ス プ レ イ の SnO_2 is low resistance conductive film made technique used in constructing を refers し, SnO2 - Nb - Ta series high density (95%) and 焼 タ ー ゲ ッ ト を be し now, (110) face, (200) surface が base board face に な vertical direction で の match to に よ り Sn の 5 s の heavy な り を ensure し や す く し mobile degrees The <s:1> upward を reaches a た, the high temperature アニ を た (873K), the film と て て, the lowest <s:1> of を 6.5×10 ⁻ ⁵ Ω · mを reaches a た. ま た, Ta, Nb ド ー プ に よ り j/cm ^ 2, 3 で の low エ ネ ル ギ ー processing が で き る こ と を め the early で て Ming ら か に し た.

项目成果

YAGレーザを用いたSnO_2系薄膜の高速加工とその加工メカニズムに関する研究

YAG激光高速加工SnO_2基薄膜及其加工机理研究

• 发表时间: 2009
• 期刊: 溶接学会論文集 Vol.27
• 作者: 臼井玲大、 佐藤了平;他
• 通讯作者: 他

YAGレーザを用いたSnO_2系薄膜バターンの高速加工とその加工メカニズムに関する研究

YAG激光高速加工SnO_2基薄膜图案及其加工机理研究

• 发表时间: 2009
• 期刊: 溶接学会論文集 27
• 作者: 臼井 玲大;佐藤 了平;他
• 通讯作者: 他

Mechanism and Advanced Application of Rapid Laser Processing on Sno_2 Thin Films for FPD Manufacture

用于FPD制造的Sno_2薄膜快速激光加工机理及先进应用

• 发表时间: 2008
• 期刊: Society forInformation Display 2008 International Symposium Digest of Technical Papers Vol.39
• 作者: Reo Usui;Yu Mihara;Eiji Morinaga;Yoshiharu Iwata;Ryohei Setoh
• 通讯作者: Ryohei Setoh