ナノ結晶薄膜半導体次世代高品位自発光型フラットパネルディスプレイの開発
使用纳米晶薄膜半导体开发下一代高品质自发光平板显示器
基本信息
- 批准号:14750234
- 负责人:
- 金额:$ 2.05万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2002
- 资助国家:日本
- 起止时间:2002 至 2003
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本年度は、ZnSナノ結晶を発光層に用いた交流駆動薄膜エレクトロルミネッセンス(EL)素子に関する性能向上ならびにフルカラー化に関する研究、特にTb化合物を添加したZnSナノ結晶からの緑色発光の高輝度化とTm化合物の添加による青色発光素子の試作に重点を置き研究を行った。前年度の結果から、素子構造は、素子安定化・高輝度化に有利な二重絶縁構造とした。透明電極付きガラス基板上にTa_2O_5誘電体層/ZnSナノ結晶発光層/Ta_2O_5誘電体層/Al電極を順次形成した。ZnSナノ結晶は、低温製膜・大面積化に有利な多元スパッタ法を用い、結晶成長を遮断するSi_3N_4層との交互積層により、作製した。本方法では、結晶粒径は、成長時間にほぼ対応することが、これまでの実験により明らかとなっており、結晶粒径の異なるナノ結晶の作製がほぼ確立されている。まず、緑色発光に関して、TbF_3単独添加よりもTb_4O_7を共添加したTbOFを発光中心にすることが、高輝度化に有効であることが新たに判明した。この結果は、ナノ結晶内においてもバルクZnSと同様の電荷補償効果が発現した結果であると解釈され、ナノ結晶における基礎物性的にも極めて興味深いさらに絶縁層であるTa_2O_5層の改良を行い、緑色発光においてはナノ結晶デバイスとしては最高の54.8cd/m^2を達成した。加えて、TmF_3を添加したZnSナノ結晶を発光層とした二重絶縁型構造EL素子を試作した。現時点では、色純度、輝度とも十分ではないが、ナノ結晶EL素子において初めて青色発光を観測した。この結果、既に達成しているMn添加ナノ結晶ZnSによる赤色発光と合わせて、光の三原色が揃い、フルカラー化が可能であることを実証した。
This year, we will focus on the research on the improvement of the performance of the AC active thin film for ZnS crystal light-emitting layer, and the research on the trial of the green light-emitting element for ZnS crystal light-emitting layer. The results of the previous year were: the prime structure was reversed, the prime structure was stabilized, the brightness was increased, and the double insulation structure was favored. Ta_2O_5 dielectric layer/ZnS crystalline light-emitting layer/Ta_2O_5 dielectric layer/Al electrode are sequentially formed on the transparent electrode substrate. ZnS crystal growth, low-temperature film formation, large-area application, crystal growth, Si_3N_4 layer and alternating layer formation The method is characterized in that crystal particle size and growth time are different from each other, and crystal preparation is established. TbF_3 + Tb_4O_7 + TbF_3 + TbF_4 + Tb The results show that the charge compensation effect of ZnS and ZnS in the same phase can be found in the crystal, and the highest value of 54.8cd/m^2 can be achieved in the crystal. In addition, TmF_3 was added to the ZnS NaNa crystal to form a light-emitting layer and EL elements with a double insulating structure were tried out. Current point, color purity, brightness, brightness. As a result, Mn addition is achieved, ZnS crystals are added, red light is emitted, and three primary colors of light are added.
项目成果
期刊论文数量(8)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
T.Toyama: "Electroreflectance and Photoluminescence Studies on Thermally Oxidized Porous Silicon"Physica Status Solidi (A). 197. 482-486 (2003)
T.Toyama:“热氧化多孔硅的电反射和光致发光研究”物理状态固体(A)。
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- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
外山利彦: "ナノ結晶半導体を用いた新規薄膜EL素子の開発"第1回ナノテクノロジー総合シンポジウム〜JAPAN NAN0 2003〜講演予稿集. 140-141 (2003)
Toshihiko Toyama:“使用纳米晶体半导体开发新型薄膜 EL 器件”第一届纳米技术综合研讨会 ~ JAPAN NAN0 2003 ~ 讲座记录 140-141 (2003)。
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- 发表时间:
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- 作者:
- 通讯作者:
T.Toyama, Y.Nakai, K.Moriguchi, H.Okamoto: "Electroreflectance and Photoluminescence Studies on Thermally Oxidized Porous Silicon"Physica Status Solidi (A). (発行予定).
T.Toyama、Y.Nakai、K.Moriguchi、H.Okamoto:“热氧化多孔硅的电反射和光致发光研究”Physica Status Solidi(A)。
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- 发表时间:
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- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
T.Toyama: "P-and N-type Microcrystalline SiC Fabricated by rf Plasma CVD with Ethane Gas"Mater.Res.Soc.Symp.Proc.. 762. 583-588 (2003)
T.Toyama:“用乙烷气体通过射频等离子体 CVD 制备 P 型和 N 型微晶 SiC”Mater.Res.Soc.Symp.Proc.. 762. 583-588 (2003)
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- 通讯作者:
T.Toyama: "Solid Phase Crystallization in Initial Growth Region of Polycrystalline Silicon Layer during Deposition at 180℃ by Plasma Chemical Vapor Deposition"Jpn.J.Appl.Phys.. 42. L1347-L1349 (2003)
T.Toyama:“通过等离子体化学气相沉积在 180℃ 沉积过程中多晶硅层初始生长区域的固相结晶”Jpn.J.Appl.Phys.. 42. L1347-L1349 (2003)
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