A high performance CMOS image sensor with high sensitivity and wide dynamic range
A high performance CMOS image sensor with high sensitivity and wide dynamic range
高性能 CMOS 图像传感器，具有高灵敏度和宽动态范围
批准号：
19360151
负责人：
SUGAWA Shigetoshi
金额：
$12.15万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
中文摘要
翻译
横型オーバーフロー蓄積容量構造を画素内に設け, 画素内の光電変換部のPN接合構造, 絶縁膜界面, 素子分離界面, コンタクトシリサイド界面等の最適化を図り, 垂直走査回路, 水平走査回路, 雑音除去回路設計を改善したイメージセンサチップを設計, 試作した. その結果, 課題であった感度向上とダイナミックレンジ拡大のトレードオフを解消し, 暗時性能を1桁以上向上させた撮像技術の基礎を築くことができた.
英文摘要
横型オーバーフロー蓄積容量構造を画素内に設け, 画素内の光電変換部のPN接合構造, 絶縁膜界面, 素子分離界面, コンタクトシリサイド界面等の最適化を図り, 垂直走査回路, 水平走査回路, 雑音除去回路設計を改善したイメージセンサチップを設計, 試作した. その結果, 課題であった感度向上とダイナミックレンジ拡大のトレードオフを解消し, 暗時性能を1桁以上向上させた撮像技術の基礎を築くことができた.
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A Wide DR and Linear Response CMOS Image Sensor With Three Photocurrent Integrations in Photodiodes, Lateral Overflow Capacitors, and Column Capacitors
具有光电二极管、横向溢流电容器和柱电容器中的三个光电流集成的宽 DR 和线性响应 CMOS 图像传感器
具有光电二极管、横向溢流电容器和柱电容器中的三个光电流集成的宽 DR 和线性响应 CMOS 图像传感器
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
IEEE Journal of Solid-State Circuits 43
影响因子：
--
作者：
[Satoru Adachi, Woonhee Lee, Nana Akahane, Hiromichi Oshikubo, Koichi Mizobuchi and Shigetoshi Sugawa, Noriko Ide]
通讯作者：
Noriko Ide
An Optimum Design of the LOFIC CMOS Image Sensor for High Sensitivity, Low Noise and High Full Well Capacity
高灵敏度、低噪声、高满阱容量LOFIC CMOS图像传感器的优化设计
高灵敏度、低噪声、高满阱容量LOFIC CMOS图像传感器的优化设计
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[丸山美帆子, Peter Dold, 佐崎元, 塚本勝男, 溝渕孝一, Satoru Adachi, 丸山美帆子, Satoru Adachi, 赤羽 奈々, Koichi Mizobuchi, 丸山美帆子, 赤羽 奈々, Satoru Adachi, Koichi Mizobuchi, Mihoko Maruyama, Jose Tejada, 丸山美帆子, Nana Akahane, Maruyama Mihoko, 須川 成利, Nana Akahane, Maruyama Mihoko, Nana Akahane, Maruyama Mihoko, 赤羽 奈々, 丸山美帆子, Nana Akahane, 井出典子, Shigetoshi Sugawa, Woonghee Lee, Noriko Ide, Koichi Mizobuchi, Nana Akahane]
通讯作者：
Nana Akahane
DOI：
10.1109/jssc.2008.917549
发表时间：
2008-03
期刊：
IEEE J. Solid State Circuits
影响因子：
--
作者：
[S. Adachi;Woonghee Lee;N. Akahane;H. Oshikubo;K. Mizobuchi;S. Sugawa]
通讯作者：
S. Adachi;Woonghee Lee;N. Akahane;H. Oshikubo;K. Mizobuchi;S. Sugawa
High Sensitivity Dynamic Range Enhanced CMOS Imager with Noise Suppression
具有噪声抑制功能的高灵敏度动态范围增强型 CMOS 成像仪
具有噪声抑制功能的高灵敏度动态范围增强型 CMOS 成像仪
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics 47
影响因子：
--
作者：
[Mihoko Maruyama, Katsuo Tsukamoto, Yoshihiro Nishimura, Gen Sazaki, Satoru Adachi]
通讯作者：
Satoru Adachi
A Linear Response 200-dB Dynamic Range CMOS Image Sensor with Multiple Voltage and Current Readout Operations
具有多种电压和电流读出操作的线性响应 200dB 动态范围 CMOS 图像传感器
具有多种电压和电流读出操作的线性响应 200dB 动态范围 CMOS 图像传感器
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[丸山美帆子, Peter Dold, 佐崎元, 塚本勝男, 溝渕孝一, Satoru Adachi, 丸山美帆子, Satoru Adachi, 赤羽 奈々, Koichi Mizobuchi, 丸山美帆子, 赤羽 奈々, Satoru Adachi, Koichi Mizobuchi, Mihoko Maruyama, Jose Tejada, 丸山美帆子, Nana Akahane, Maruyama Mihoko, 須川 成利, Nana Akahane, Maruyama Mihoko, Nana Akahane, Maruyama Mihoko, 赤羽 奈々, 丸山美帆子, Nana Akahane, 井出典子, Shigetoshi Sugawa, Woonghee Lee, Noriko Ide]
通讯作者：
Noriko Ide
共 8 条
Accurate measurement and statistical analysis of gate leakage current of MOSFETs with atomically flat interface
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批准号：24360129
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$12.15万
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财政年份：2012
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负责人：SUGAWA Shigetoshi
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依托单位：
An over-100dB wide dynamic range solid-state image sensor with high sensitivity and high S/N ratio.
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批准号：16360165
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$9.66万
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财政年份：2004
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负责人：SUGAWA Shigetoshi
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依托单位：
Photo-resist. Stripping. Technology. by. Gas-liquid. mixture. for. Highly-efficient. Ultra-short-time. Semiconductor. Manufacturing
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批准号：13555084
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$8.19万
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财政年份：2001
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负责人：SUGAWA Shigetoshi
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依托单位：
Highly Sesitive and High-resolution Amplification Solid-State Imagine System with Instant Imaging Parareli Processor
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批准号：13305024
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额：$32.7万
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财政年份：2001
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负责人：SUGAWA Shigetoshi
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依托单位：
海外基金