Study on the modeling of reactive sputter deposition including the transport process of sputtered and gas particles

反应溅射沉积建模研究，包括溅射粒子和气体粒子的传输过程

• 批准号: 19560048
• 负责人: NAKANO Takeo
• 金额: $ 2.83万
• 依托单位: Seikei University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19560048/
• 关键词: 反応性スパッタリング; モデリング; 薄膜堆積プロセス

Reactive sputter deposition process has been studied for the precise control of deposited film composition. We clarified the effects of transport process of sputtered metal atoms and sticking probability of reactive gases. Especially, the former leads the dependence of the composition on total gas pressure, which has not been pre-dicted by conventional process models. We also studied the characteristics of pulse power sputtering, which has been proved to be able to modify the film structure.

研究了反应溅射沉积工艺，以精确控制沉积膜的成分。阐明了溅射金属原子的输运过程和反应气体的粘附几率对溅射过程的影响。特别是前者导致了组分对气体总压的依赖性，这是常规过程模型无法预测的。我们还研究了脉冲功率溅射的特点，这已被证明是能够修改的薄膜结构。

项目成果

パルスoff期のターゲット電位を変化させたパルスマグネトロンスパッタによる薄膜構造制御

通过在脉冲关闭期间改变靶电位来控制脉冲磁控溅射的薄膜结构

• 发表时间: 2009
• 作者: 中野武雄;原良輔;日留川紀彦;馬場茂
• 通讯作者: 馬場茂

Effect of background gas environment on oxygen incorporation in TiN films deposited using UHV reactive magnetron sputtering

• DOI: 10.1016/j.vacuum.2008.04.014
• 发表时间: 2008-10-15
• 期刊: VACUUM
• 影响因子: 4
• 作者: Nakano, Takeo;Hoshi, Ken'ichiroh;Baba, Shigeru
• 通讯作者: Baba, Shigeru

Effects of vacuum environment on oxygen impurity during the reactive sputtering deposition of metal nitrides

金属氮化物反应溅射沉积过程中真空环境对氧杂质的影响

• 发表时间: 2009
• 作者: N.Hirukawa;T.Nakamura;A.Suzuki;T.Nakano;S.Baba
• 通讯作者: S.Baba

薄膜ハンドブック(第2版)

薄膜手册（第二版）

• 发表时间: 2008
• 作者: 中野武雄;他
• 通讯作者: 他

Effect of the target bias voltage during off-pulse period on the impulse mag-netron sputtering

非脉冲期间靶材偏置电压对脉冲磁控溅射的影响

• 发表时间: 2010
• 期刊: Vacuum vol.84
• 作者: T. Nakano;C. Murata;S. Baba
• 通讯作者: S. Baba