Film structure modification using high power pulsed magnetron sputtering with target voltage control during pulse-off period
Film structure modification using high power pulsed magnetron sputtering with target voltage control during pulse-off period
使用高功率脉冲磁控溅射在脉冲关闭期间控制靶电压来修改薄膜结构
批准号：
24560063
负责人：
NAKANO Takeo
金额：
$3.41万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
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大電力パルススパッタを用いた薄膜堆積と微小電子源陰極作製
使用高功率脉冲溅射的薄膜沉积和微电子源阴极制造
使用高功率脉冲溅射的薄膜沉积和微电子源阴极制造
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[齋藤悠大, 門井裕樹, 板村賢明, 中野武雄, 中野武雄]
通讯作者：
中野武雄
大電力パルススパッタのイオン化金属粒子を用いた薄膜構造の制御
高功率脉冲溅射中电离金属粒子控制薄膜结构
高功率脉冲溅射中电离金属粒子控制薄膜结构
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[中野武雄, 馬場 茂]
通讯作者：
馬場 茂
三極スパッタを用いたプラズマ電位制御における電極配置の影響
电极排列对三极管溅射等离子体电位控制的影响
电极排列对三极管溅射等离子体电位控制的影响
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[馬橋琢哉, 中野武雄, 馬場 茂]
通讯作者：
馬場 茂
DOI：
10.1016/j.susmat.2014.11.005
发表时间：
2015
期刊：
Sust. Mater. Technol.
影响因子：
--
作者：
[Motoki Inoue, Takeo Nakano, Akihiro Yamasaki]
通讯作者：
Akihiro Yamasaki
Growth of target race track profile during magnetron sputtering
磁控溅射过程中靶材跑道轮廓的生长
磁控溅射过程中靶材跑道轮廓的生长
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
J. Vac. Soc. Jpn.
影响因子：
--
作者：
[Takeo Nakano, Yudai Saitou, Mariko Ueda, Noriaki Itamura, Shigeru Baba]
通讯作者：
Shigeru Baba
共 22 条
Study on the modeling of reactive sputter deposition including the transport process of sputtered and gas particles
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批准号：19560048
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.83万
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财政年份：2007
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负责人：NAKANO Takeo
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依托单位：
海外基金