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Crystal growth of nitride semiconductors by electric field enhanced MOCVD

Crystal growth of nitride semiconductors by electric field enhanced MOCVD
电场增强 MOCVD 氮化物半导体晶体生长
批准号：
19560321
负责人：
INUSHIMA Takashi
金额：
$2.91万
依托单位：
Tokai University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19560321/
关键词：
電気電子材料電界効果MOCVDAIN結晶極性MOCVD電界効果ナイトライド半導体InN

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ナイトライド半導体AlNとInNの結晶作成時と降温時に結晶c-軸方向に高電界を印加して結晶の分極方向を制御することを試みた。MOCVD装置内に設置した石英製インナー管の基板上部3ミリの位置に上部Mo電極を配し、結晶を成長させるMoサセプタを下部電極としてこの両電極間に1kV/cmの電界を印加した。AlNでは明確な電界効果が観測され、電界の方向にそろった単一ドメイン構造結晶を得たが、InNについては明確な効果は観測されなかった。
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会议论文
電界効果MOCVDによるAlNの合成と評価
AlN的场效应MOCVD合成与评价
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [太田優一, 犬島 喬, 太田優一,犬島 喬]
通讯作者： 太田優一,犬島 喬
Crystal growth of InN by MOCVD under strong electric field along c-axis, 2nd International Symposium on growth of III-nitrides
c轴强电场下MOCVD晶体生长InN，第二届III族氮化物生长国际研讨会
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [Yuichi Ota, Ramkrishna Biswas, Masaaki Higo and Takashi Inushima]
通讯作者： Masaaki Higo and Takashi Inushima
Impurity band structure of boron-doped homoepitaxail diamond
硼掺杂同质外延金刚石的杂质能带结构
DOI： --
发表时间： 2009
期刊： Phys. Rev. B79
影响因子： --
作者： [T. Inushima, R. F. Mamin and H. Shiomi]
通讯作者： R. F. Mamin and H. Shiomi
Crystal growth of InN by MOCVD with electric field along the c-axis
沿 c 轴电场的 MOCVD 晶体生长 InN
DOI： --
发表时间： 2009
期刊： J. Crystal Growth 311
影响因子： --
作者： [Yuichi Ota, Ramkrishna Biswas, Masaaki Higo and Takashi Inushima]
通讯作者： Masaaki Higo and Takashi Inushima
共 11 条
    Study and application of s-d hybridization in the superconducting InN
    • 批准号：
      22560304
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.91万
    • 财政年份：
      2010
    • 负责人：
      INUSHIMA Takashi
    • 依托单位：
      Tokai University
    Investigation of electronic structure and electron conduction mechanism of InN
    • 批准号：
      17560293
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.24万
    • 财政年份：
      2005
    • 负责人：
      INUSHIMA Takashi
    • 依托单位：
      TOKAI UNIVERSITY
    Study of InN nano-stmcture with semiconducting and superconducting properties
    • 批准号：
      14550306
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.18万
    • 财政年份：
      2002
    • 负责人：
      INUSHIMA Takashi
    • 依托单位：
      TOKAI UNIVERSITY
    Study of Ultra High Frequency Surface Acoustic Wave Filters by the use of Diamond-cubic AIN Structure
    • 批准号：
      11650332
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.3万
    • 财政年份：
      1999
    • 负责人：
      INUSHIMA Takashi
    • 依托单位：
      TOKAI UNIVERSITY
    海外基金