Crystal growth of nitride semiconductors by electric field enhanced MOCVD

电场增强 MOCVD 氮化物半导体晶体生长

• 批准号: 19560321
• 负责人: INUSHIMA Takashi
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: Tokai University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19560321/
• 关键词: 電気; 電子材料; 電界効果MOCVD; AIN; 結晶極性; MOCVD; 電界効果; ナイトライド半導体; InN

ナイトライド半導体AlNとInNの結晶作成時と降温時に結晶c-軸方向に高電界を印加して結晶の分極方向を制御することを試みた。MOCVD装置内に設置した石英製インナー管の基板上部3ミリの位置に上部Mo電極を配し、結晶を成長させるMoサセプタを下部電極としてこの両電極間に1kV/cmの電界を印加した。AlNでは明確な電界効果が観測され、電界の方向にそろった単一ドメイン構造結晶を得たが、InNについては明確な効果は観測されなかった。

When the temperature of AlN and InN crystals is lowered, the high electric field of AlN and InN crystals is controlled. The MOCVD device is equipped with a quartz substrate, an upper Mo electrode, a lower Mo electrode, and an electric boundary of 1kV/cm between the Mo electrodes. AlN has a clear electrical boundary effect, the direction of the electrical boundary is clearly defined by a single metal structure, and InN has a clear electrical boundary effect.

项目成果

電界効果MOCVDによるAlNの合成と評価

AlN的场效应MOCVD合成与评价

• 发表时间: 2009
• 作者: 太田優一;犬島 喬;太田優一,犬島 喬
• 通讯作者: 太田優一,犬島 喬

Crystal growth of InN by MOCVD under strong electric field along c-axis, 2nd International Symposium on growth of III-nitrides

c轴强电场下MOCVD晶体生长InN，第二届III族氮化物生长国际研讨会

• 发表时间: 2008
• 作者: Yuichi Ota;Ramkrishna Biswas;Masaaki Higo and Takashi Inushima
• 通讯作者: Masaaki Higo and Takashi Inushima

Impurity band structure of boron-doped homoepitaxail diamond

硼掺杂同质外延金刚石的杂质能带结构

• 发表时间: 2009
• 期刊: Phys. Rev. B79
• 作者: T. Inushima;R. F. Mamin and H. Shiomi
• 通讯作者: R. F. Mamin and H. Shiomi

Crystal growth of InN by MOCVD with electric field along the c-axis

沿 c 轴电场的 MOCVD 晶体生长 InN

• 发表时间: 2009
• 期刊: J. Crystal Growth 311
• 作者: Yuichi Ota;Ramkrishna Biswas;Masaaki Higo and Takashi Inushima
• 通讯作者: Masaaki Higo and Takashi Inushima

電界効果MOCVDによるAINの合成と評価

场效应MOCVD AIN 的合成与评价

• 发表时间: 2009
• 作者: 太田優一;犬島 喬
• 通讯作者: 犬島 喬