Development of ultra-low energy ion implantation of silicon for ultra-shallow junction

超浅结硅超低能离子注入技术的发展

• 批准号: 19560330
• 负责人: YAMAMOTO Kazuhiro
• 金额: $ 2.33万
• 依托单位: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19560330/
• 关键词: イオン注入; シリコン; ボロン; 超低エネルギー; 極浅接合

シリコン半導体デバイスの高集積化に伴い2014年にはチャネル部分のド.パント層の厚さはおよそ10nmになるとされている。従来の高エネルギーイオン注入法では極浅ドーピン部層の形成が困難であった。本研究では1keV以下の超低エネルギーイオン注入技術を開発した。シート抵抗は最小値3kΩ/□を示し、イオンエネルギーが30eVのときの注入深さは1.2nm、500eVのときの注入深さは8nmであった。

シ リ コ ン semiconductor デ バ イ ス の high set product に with い 2014 に は チ ャ ネ ル part の ド. パ ン ト の thick さ は お よ そ 10 nm に な る と さ れ て い る. Youdaoplaceholder0 to <s:1> high エネ エネ ギ ギ <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> very shallow ド ピ ピ ピ <s:1> layer <s:1> formation が is difficult であった であった. In this study, で で 1keV and below are <s:1> ultra-low エネ エネ ギ ギ <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> ギ <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> ギ <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> エネ ギ ギ <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> を development を た た. シ ー ト は resistance on the minimum numerical Ω / 3 k / を し, イ オ ン エ ネ ル ギ ー が 30 ev の と き の injected into deep さ は 1.2 nm, 500 ev の と き の injected into deep さ は 8 nm で あ っ た.

项目成果

超低エネルギーイオン注入によるシリコン極浅ドーピング層の形成

超低能量离子注入形成超浅硅掺杂层

• 发表时间: 2009
• 作者: 山本和弘;井藤浩志
• 通讯作者: 井藤浩志

Ultralow-Energy Boron-Ion Implantation of Silicon

硅的超低能硼离子注入

• DOI: 10.1143/jjap.47.23
• 发表时间: 2008
• 作者: Kazuhiro Yamamoto;H. Itoh
• 通讯作者: H. Itoh

Ultralow-Energy Boron-lon Implantation of silicon

硅的超低能硼注入

• 发表时间: 2008
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics 47
• 作者: 本儀達寛;大森達也;橋本研也;山口正恆;Kazuhiro Yamamoto and Hiroshi Itoh;Kazuhiro Yamamoto and Hiroshi Itoh
• 通讯作者: Kazuhiro Yamamoto and Hiroshi Itoh

ダイヤモンドへの異種元素導入方法

将不同元素引入金刚石的方法

• 发表时间: 2009

Ultra-low-energy ion implantation to decrease the resistance of silicon

超低能量离子注入降低硅电阻

• 发表时间: 2007
• 期刊: AIST today international 25
• 作者: 本儀達寛;大森達也;橋本研也;山口正恆;Kazuhiro Yamamoto and Hiroshi Itoh;Kazuhiro Yamamoto and Hiroshi Itoh;Kazuhiro Yamamoto
• 通讯作者: Kazuhiro Yamamoto