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Development of ultra-low energy ion implantation of silicon for ultra-shallow junction

Development of ultra-low energy ion implantation of silicon for ultra-shallow junction
超浅结硅超低能离子注入技术的发展
批准号：
19560330
负责人：
YAMAMOTO Kazuhiro
金额：
$2.33万
依托单位：
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19560330/
关键词：
イオン注入シリコンボロン超低エネルギー極浅接合

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
シリコン半導体デバイスの高集積化に伴い2014年にはチャネル部分のド.パント層の厚さはおよそ10nmになるとされている。従来の高エネルギーイオン注入法では極浅ドーピン部層の形成が困難であった。本研究では1keV以下の超低エネルギーイオン注入技術を開発した。シート抵抗は最小値3kΩ/□を示し、イオンエネルギーが30eVのときの注入深さは1.2nm、500eVのときの注入深さは8nmであった。
英文摘要
シリコン半導体デバイスの高集積化に伴い2014年にはチャネル部分のド.パント層の厚さはおよそ10nmになるとされている。従来の高エネルギーイオン注入法では極浅ドーピン部層の形成が困難であった。本研究では1keV以下の超低エネルギーイオン注入技術を開発した。シート抵抗は最小値3kΩ/□を示し、イオンエネルギーが30eVのときの注入深さは1.2nm、500eVのときの注入深さは8nmであった。
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会议论文
超低エネルギーイオン注入によるシリコン極浅ドーピング層の形成
超低能量离子注入形成超浅硅掺杂层
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
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通讯作者： 井藤浩志
Ultralow-Energy Boron-Ion Implantation of Silicon
硅的超低能硼离子注入
DOI： 10.1143/jjap.47.23
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [Kazuhiro Yamamoto, H. Itoh]
通讯作者： H. Itoh
Ultralow-Energy Boron-lon Implantation of silicon
硅的超低能硼注入
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： Japanese Journal of Applied Physics 47
影响因子： --
作者： [本儀達寛, 大森達也, 橋本研也, 山口正恆, Kazuhiro Yamamoto and Hiroshi Itoh, Kazuhiro Yamamoto and Hiroshi Itoh]
通讯作者： Kazuhiro Yamamoto and Hiroshi Itoh
ダイヤモンドへの異種元素導入方法
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DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Practical use of the muon profile monitor using diamond for the high-intensity neutrino experiment
  • 批准号：
    24540307
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $3.24万
  • 财政年份：
    2012
  • 负责人：
    YAMAMOTO Kazuhiro
  • 依托单位：
    Osaka City University
A Study of turbulent flame structure and extinction mechanism by laser diagnostics
  • 批准号：
    23560223
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $3.33万
  • 财政年份：
    2011
  • 负责人：
    YAMAMOTO Kazuhiro
  • 依托单位：
    Nagoya University
Commercially adaptable technology on shallow junction of silicon by ultra-low energy ion implantation
Testing gravity theory on the cosmological scales using the next generation dark energy surveys
  • 批准号：
    21540270
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $2.83万
  • 财政年份：
    2009
  • 负责人：
    YAMAMOTO Kazuhiro
  • 依托单位：
    Hiroshima University
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