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Commercially adaptable technology on shallow junction of silicon by ultra-low energy ion implantation

通过超低能量离子注入实现硅浅结的商业化技术

基本信息

批准号：
21560381
负责人：
YAMAMOTO Kazuhiro
金额：
$ 2.5万
依托单位：
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
起止时间：
2009 至 2011
项目状态：
已结题

项目摘要

The ultra-low energy mass-separated boron ion implantation technique under the ion energy of 500 eV of silicon in the vacuum of 10^<-5> Pa, which is commercially adaptable, was developed in order to form the shallow doping layer. The implantation depth less than 15 nm was achieved by the ion with the energy less than 300 eV.

为了形成浅掺杂层，开发了在10^ Pa的真空中在500 eV的硅的离子能量下的超低能量质量分离的硼离子注入技术<-5>，其是商业上可适应的。能量小于300 eV的离子注入深度小于15 nm。

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

X-TEM of shallow doping layer of Si by ultra-low energy boron ion implantation

超低能硼离子注入硅浅掺杂层的 X-TEM

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
Abstracts of the Microscopy Conference
影响因子：
0
作者：
岸本慎平、伊藤國雄;他;K. Yamamoto
通讯作者：
K. Yamamoto

超低エネルギーボロンイオン注入層のTEM観察

超低能硼离子注入层的TEM观察

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
0
作者：
立花和也、伊藤國雄、財部健一;他;山本和弘
通讯作者：
山本和弘

低エネルギーイオン注入によるボロン極浅接合層のTEM観察

低能离子注入超浅硼结层的TEM观察

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
0
作者：
山本和弘
通讯作者：
山本和弘

DOI：
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作者：
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作者：
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I. Shinohara

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影响因子：
2.5
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KOTANI Akira;WATANABE Jumpei;MACHIDA Koichi;YAMAMOTO Kazuhiro;HAKAMATA Hideki
通讯作者：
HAKAMATA Hideki