Research on shallow junction formation and isolation for Ge channel devices
Research on shallow junction formation and isolation for Ge channel devices
批准号:
19560344
负责人:
SHIBAHARA Kentaro
金额:
$2.83万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2007
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2007 至 2008
中文摘要
Xe及びGeを用いたPAI(プレアモルファス化注入)をAs注入と併用し、Geの浅接合形成を行った。いずれの場合も、PAIの併用によりAs拡散を抑制することができたが、Asの活性化の悪化に伴うと思われるシート抵抗の上昇が見られた。Xeフラッシュランプを用いたミリ秒オーダの短パルスアニールを施すと、PAIを用いた場合は固相成長が大幅に遅くなることが見いだされた。一方、フラッシュランプによるミリ秒アニールは拡散抑制に有効であり、活性化も良好で、浅接合形成に適していた。
英文摘要
Xe及びGeを用いたPAI(プレアモルファス化注入)をAs注入と併用し、Geの浅接合形成を行った。いずれの場合も、PAIの併用によりAs拡散を抑制することができたが、Asの活性化の悪化に伴うと思われるシート抵抗の上昇が見られた。Xeフラッシュランプを用いたミリ秒オーダの短パルスアニールを施すと、PAIを用いた場合は固相成長が大幅に遅くなることが見いだされた。一方、フラッシュランプによるミリ秒アニールは拡散抑制に有効であり、活性化も良好で、浅接合形成に適していた。
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極淺接合形成のためのイオン注入によるGeアモルファス化プロセス
通过离子注入进行 Ge 非晶化工艺以形成极性结
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[長田光生, 芝原健太郎]
通讯作者:
芝原健太郎
Anomalous Amorphization Resistance of Ge against (11)^B^+ Implantation
Ge对(11)^B^注入的反常非晶化抗性
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
影响因子:
--
作者:
[K. Shibahara, T. Eto and T. Fukunaga]
通讯作者:
T. Eto and T. Fukunaga
Critical Amorphization Dose and Amorphization Mechanism for Ion Implantation into Germanium
锗离子注入的临界非晶化剂量和非晶化机理
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
影响因子:
--
作者:
[桑野、越本, 他(共著), K. Osada and K. Shibahara]
通讯作者:
K. Osada and K. Shibahara
As, P, B注入によるGe基板のアモルファス化
As、P、B注入Ge衬底非晶化
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[長田光生, 福永哲也, 芝原健太郎]
通讯作者:
芝原健太郎
低ドーズXe^+プレアモルファス化注入を用いたGeのn^+/p接合形成
使用低剂量 Xe^+ 预非晶化注入形成 Gen n^+/p 结
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
--
作者:
[福永哲也, 芝原健太郎]
通讯作者:
芝原健太郎
共 8 条
Evaluation of 2D Dopant Profile around source and drain of MOSFETs
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批准号:11650326
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.18万
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财政年份:1999
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负责人:SHIBAHARA Kentaro
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依托单位:
Investigation on Pileup of Arsenic and Antimony Ion-implanted into Silicon
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批准号:09650358
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.05万
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财政年份:1997
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负责人:SHIBAHARA Kentaro
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依托单位: