课题基金 / 基金详情

Research on shallow junction formation and isolation for Ge channel devices

Research on shallow junction formation and isolation for Ge channel devices
Ge沟道器件浅结形成与隔离研究
批准号:
19560344
负责人:
SHIBAHARA Kentaro
金额:
$2.83万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2007
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2007 至 2008

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
Xe及びGeを用いたPAI(プレアモルファス化注入)をAs注入と併用し、Geの浅接合形成を行った。いずれの場合も、PAIの併用によりAs拡散を抑制することができたが、Asの活性化の悪化に伴うと思われるシート抵抗の上昇が見られた。Xeフラッシュランプを用いたミリ秒オーダの短パルスアニールを施すと、PAIを用いた場合は固相成長が大幅に遅くなることが見いだされた。一方、フラッシュランプによるミリ秒アニールは拡散抑制に有効であり、活性化も良好で、浅接合形成に適していた。
英文摘要
Xe及びGeを用いたPAI(プレアモルファス化注入)をAs注入と併用し、Geの浅接合形成を行った。いずれの場合も、PAIの併用によりAs拡散を抑制することができたが、Asの活性化の悪化に伴うと思われるシート抵抗の上昇が見られた。Xeフラッシュランプを用いたミリ秒オーダの短パルスアニールを施すと、PAIを用いた場合は固相成長が大幅に遅くなることが見いだされた。一方、フラッシュランプによるミリ秒アニールは拡散抑制に有効であり、活性化も良好で、浅接合形成に適していた。
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
極淺接合形成のためのイオン注入によるGeアモルファス化プロセス
通过离子注入进行 Ge 非晶化工艺以形成极性结
DOI: --
发表时间: 2008
期刊:
影响因子: --
作者: [長田光生, 芝原健太郎]
通讯作者: 芝原健太郎
DOI: --
发表时间: 2009
期刊:
影响因子: --
作者: [K. Shibahara, T. Eto and T. Fukunaga]
通讯作者: T. Eto and T. Fukunaga
DOI: --
发表时间: 2009
期刊:
影响因子: --
作者: [桑野、越本, 他(共著), K. Osada and K. Shibahara]
通讯作者: K. Osada and K. Shibahara
DOI: --
发表时间: 2008
期刊:
影响因子: --
作者: [長田光生, 福永哲也, 芝原健太郎]
通讯作者: 芝原健太郎
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    Evaluation of 2D Dopant Profile around source and drain of MOSFETs
    • 批准号:
      11650326
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $2.18万
    • 财政年份:
      1999
    • 负责人:
      SHIBAHARA Kentaro
    • 依托单位:
    Investigation on Pileup of Arsenic and Antimony Ion-implanted into Silicon
    • 批准号:
      09650358
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $2.05万
    • 财政年份:
      1997
    • 负责人:
      SHIBAHARA Kentaro
    • 依托单位: