Entwicklung von kompakten monolithisch integrierbaren optischen Netzwerken auf der Basis von tiefgeätzten Halbleiterstegstrukturen

基于深蚀刻半导体脊结构的紧凑型单片可集成光网络的开发

• 批准号: 5361119
• 负责人: Professor Dr. Johann Peter Reithmaier
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Nanostrukturtechnologie und Analytik (INA)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 2002
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2001-12-31 至 2006-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5361119?language=en
• 关键词: Entwicklung; von; kompakten; monolithisch; integrierbaren

Im Rahmen des beantragten Forschungsvorhabens soll ein vereinfachtes Herstellungsverfahren entwickelt werden, das die Realisierung von verlustarmen und kompakten optischen Wellenleitenetzwerken auf der Basis von tiefgeätzten Halbleiterstrukturen ermöglicht. Diese Strukturen sollen für den 1,3 - 1,6 µm Wellenlängenbereich ausgelegt sein und eine monolithische Integration mit optoelektronischen Komponenten, wie z.B. Halbleiterlaser und Verstärkerelementen, ermöglichen. Durch die Ausnutzung des hohen Brechungsindexsprungs zwischen Halbleiter und Vakuum bzw. geeignete Dielektrika, ist es möglich die Wellenführung in Schichtebene gegenüber konventionellen Stegwellenleitern erheblich zu verbessern. Damit sollte es möglich sein eine 90°-Umlenkung innerhalb weniger Mikrometer zu realisieren. Durch dieses Forschungsvorhaben sollen unterschiedliche Ablenk- und Verzweigergeometrien, wie Ecksspiegel, Mikroresonatoren, und kontinuierlich gekrümmte Wellenleiter, auf deren Wellenführungs- und Verzweigungseigenschaften untersucht und mit Simulationsrechnungen verglichen werden. Insbesondere sollen Prozeßparameter und Ablenkgeometrien in Hinblick auf geringe Streuverluste und hoher Fertigungstoleranz untersucht werden. Als Demonstratorbauelement ist geplant ein optisches Netzwerk zu realisieren mit einem Flächenbedarf pro Ablenk- oder Verzweigungselements von weniger als 10 x 10 µm2 und dessen Funktionseigenschaften zu charakterisieren.

在工程研究中，只有一种特殊的热稳定性方法可以实现韦尔登，这种方法是在半导体结构的基础上实现的。这种结构解决了1，3 - 1，6 µm Wellenlängenbereich ausgelegt sein和一个单片集成与光电子元件，如z.B.半激光器和垂直元件。这是一份关于高失业率和低失业率指数的报告。geeignete Dielektrika，ist es möglich die Wellenführung in Schichtebene gegenüber konventionellen Stegwellenleitern erheblich zu verbessern. Damit sollte es möglich sein eine 90°-Umlenkung innerhalb weniger Mikrometer zu realisieren.这些研究需要进行非线性的几何学和几何学分析，如Ecksspiegel、Mikroresonatoren和连续的几何学分析，在健康研究和几何学分析中进行，并通过韦尔登进行。在Hinblick中求解Prozeßparameter和MaximizeGeometrien auf geringe Streuverluste and hoher Fertigungstoleranz untersucht韦尔登。所有的演示器组件都是通过一个10 x 10 µm2的垂直或垂直布置的平面来实现的，并具有独特的功能。