Chemical short-range order in radiation-induced amorphous SiC

辐射诱导非晶 SiC 中的化学短程有序

• 批准号: 19560664
• 负责人: ISHIMARU Manabu
• 金额: $ 3万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19560664/
• 关键词: 解析・評価; アモルファス; 透過電子顕微鏡; 炭化ケイ素; 非晶質; 動径分布解析; 構造緩和; スエリング

照射誘起非晶質炭化ケイ素(SiC)の構造および構造緩和過程を先端的電子顕微鏡技術により調べた。非晶質SiCは第1隣接においてSi-C異種原子対に加え、結晶には存在しないC-C、Si-Si同種原子対を有することが明らかとなった。熱処理に伴い異種原子対は増加するのに対し同種原子対は減少し、構造緩和により化学的短範囲規則性が変化することが確認された。Si-Si原子対はC-C原子対よりも構造緩和により早く消失し、この同種原子対間の消滅速度の違いにより非晶質SiCの体積は大きく変化することが示唆された

Irradiation induced amorphous silicon carbide (SiC) structure and structural relaxation process leading to electron microscopy Amorphous SiC is the first adjacent Si-C heterogeneous atomic pair, and crystalline SiC is the first adjacent Si-C heterogeneous atomic pair Heat treatment is accompanied by the increase of heterogeneous atoms, the decrease of homogeneous atoms, the reduction of structural relaxation, and the normalization of chemical parameters. Si-Si atom pair C-C atom pair structure relaxation, early disappearance, the same kind of atom pair between the destruction speed, amorphous SiC volume increase, change, change, change

项目成果

照射誘起構造変化の透過電子顕微鏡法による解析(受賞講演)」

使用透射电子显微镜分析辐照引起的结构变化（获奖演讲）”

• 发表时间: 2008
• 作者: 石丸学;平田秋彦;内藤宗幸;弘津禎彦;石丸学
• 通讯作者: 石丸学

照射誘起構造変化の透過電子顕微鏡法による解析(受賞講演)

使用透射电子显微镜分析辐照引起的结构变化（获奖讲座）

• 发表时间: 2008
• 作者: 石丸 学;平田秋彦;内藤宗幸;弘津禎彦;石丸 学
• 通讯作者: 石丸 学

Direct observations of thermally induced structural changes in amorphous silicon carbide

• DOI: 10.1063/1.2960342
• 发表时间: 2008-08-01
• 期刊: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
• 影响因子: 3.2
• 作者: Ishimaru, Manabu;Hirata, Akihiko;Weber, William J.
• 通讯作者: Weber, William J.

Structural relaxation in amorphous SiC studied by in situ transmission electron microscopy

原位透射电子显微镜研究非晶 SiC 的结构弛豫

• 发表时间: 2008
• 期刊: Proc. 9^<th> Asia-Pacific Microscopy Conf
• 作者: M. Ishimaru;A. Hirata;M. Naito;I.-T. Bae;Y. Zhang;and W. J. Weber
• 通讯作者: and W. J. Weber

Post-annealing recrystallization and damage recovery process in Fe ion implanted Si

Fe离子注入Si的退火后再结晶及损伤恢复过程

• 发表时间: 2007
• 期刊: Nucl. Instrum. Meth B257
• 作者: M. Naito;A. Hirata;M. Ishimaru;and Y. Hirotsu
• 通讯作者: and Y. Hirotsu