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Spontaneous nanoscale phase separation and its application for the development of low-dimensional nanomaterials
自发纳米相分离及其在低维纳米材料开发中的应用
基本信息
- 批准号：22560696
- 负责人：
- 金额：$ 2.91万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2010
- 资助国家：日本
- 起止时间：2010 至 2012
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Low-dimensional nanomaterials were prepared via nanoscale phase separation during epitaxial growth and ion irradiation, and characterized by diffraction crystallography. As a consequence, it was confirmed that the following structures were spontaneously formed:(1) GaInP with two different modulation periods along the growth direction;(2) superlattice-like stacking fault array in ion irradiation GaN
通过外延生长和离子辐照的纳米级相分离制备了低维纳米材料，并用衍射晶体学对其进行了表征。结果表明：(1)沿生长方向具有两个不同调制周期的GaInP；(2)离子辐照GaN的类超晶格层错阵列
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Coherent growth of GaGdN layers with high Gd concentration on GaN(0001)
GaN(0001)上高浓度 Gd 的 GaGdN 层的相干生长
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Higashi;S. Hasegawa;D. Abe;Y. Mitsuno;S. Komori;F. Ishikawa;M. Ishimaru;and H. Asahi
- 通讯作者：and H. Asahi
Experimental evidence of homonuclear bonds in amorphous GaN
- DOI：10.1063/1.3552987
- 发表时间：2011-02-15
- 期刊：
- 影响因子：3.2
- 作者：Ishimaru, Manabu;Zhang, Yanwen;Weber, William J.
- 通讯作者：Weber, William J.
Chemical short-range order in amorphous semiconductors
非晶半导体中的化学短程有序
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：J. Yang;K. Kan;N. Naruse;Y. Murooka;Y. Yoshida;K. Tanimura;J. Urakawa;M. Ishimaru;J. Kanasaki;M. Ishimaru
- 通讯作者：M. Ishimaru
Transmission electron microscopy study on radiation-induced structures in GaN
GaN辐射诱导结构的透射电子显微镜研究
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y.Murooka;K.Naruse;J.Yang;M.Ishimaru;K.Tanimura;K.Nasu;K.Nasu;K.Nasu;H.Katayama-Yoshida;M.Ishimaru
- 通讯作者：M.Ishimaru
Growth of higher manganese silicides from amorphous manganese-silicon layers synthesized by ion implantation
由离子注入合成的非晶锰硅层生长高锰硅化物
- DOI：10.1016/j.nimb.2011.01.120
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Naito;R. Nakanishi;N. Machida;T. Shigematsu;M. Ishimaru;J. A. Valdez;K. E. Sickafus
- 通讯作者：K. E. Sickafus
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