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Preparation of perovskite bismuth-based compound thin films by hot isostatic pressing

Preparation of perovskite bismuth-based compound thin films by hot isostatic pressing
热等静压制备钙钛矿铋基化合物薄膜
批准号：
19560736
负责人：
KOBUNE Masafumi
金额：
$1.83万
依托单位：
University of Hyogo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19560736/
关键词：
高圧アニール結晶制御

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项目成果

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常温スパッタ法により(001)配向(Bi0.5La0.5)(Ni0.5Ti0.5)O3 [BLNT]結晶核上に非晶質BLNT膜を作製し、等方高圧アニール(HIP)法により至適に調整された酸素分圧下で結晶化を行い、結晶核と同方向の配向性とペロブスカイト構造をもつBLNT薄膜の作製に成功した。作製した膜の諸特性(構造及び電気特性)評価を行い、すぐれた強誘電体であることを実証した
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会议论文
Structural and ferroelectric properties of bismuth-based compound thin films crystallized by hot isostatic pressing
热等静压结晶铋基化合物薄膜的结构和铁电性能
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [H. Tada, et al.]
通讯作者： et al.
Growth of ferroelectric bismuth lanthanum nickel titanate thin films by rf magnetron sputtering
射频磁控溅射生长铁电钛酸铋镧镍薄膜
DOI： 10.1063/1.2713352
发表时间： 2007
期刊： Journal of Applied Physics
影响因子： 3.2
作者： [M. Kobune, K. Fukushima, T. Yamaji, H. Tada, T. Yazawa, H. Fujisawa, M. Shimizu, Y. Nishihata, D. Matsumura, J. Mizuki, Hideshi Yamaguchi, Y. Kotaka, K. Honda]
通讯作者： K. Honda
スパッタリング法による(Bi,Nd)(Ni_0.5Ti_0.5)O_3ペロブスカイト化合物薄膜の成長
溅射法生长(Bi,Nd)(Ni_0.5Ti_0.5)O_3钙钛矿化合物薄膜
DOI： --
发表时间： 2007
期刊：
影响因子： --
作者： [多田 英人, ほか]
通讯作者： ほか
Growth of Perovskite (Bi, Ln)(Ni0.5Ti0.5)O3 Thin Films by RF Magnetron Sputtering
DOI： 10.1143/jjap.46.6938
发表时间： 2007-10
期刊： Japanese Journal of Applied Physics
影响因子： 1.5
作者： [K. Fukushima;M. Kobune;T. Yamaji;H. Tada;A. Mineshige;T. Yazawa;H. Fujisawa;M. Shimizu;Y. Nishihata;J. Mizuki;Hideshi Yamaguchi;K. Honda]
通讯作者： K. Fukushima;M. Kobune;T. Yamaji;H. Tada;A. Mineshige;T. Yazawa;H. Fujisawa;M. Shimizu;Y. Nishihata;J. Mizuki;Hideshi Yamaguchi;K. Honda
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