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不純物揺らぎによる特性ばらつきを抑えたデルタドープ型MOSデバイスに関する研究

抑制杂质波动引起的特性变化的δ掺杂MOS器件的研究

基本信息

批准号：
08238204
负责人：
平本俊郎
金额：
$ 1.15万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1996
资助国家：
日本
起止时间：
1996 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

VLSIデバイスは性能向上のため急速に微細化しているが,微細化が進むと各種ばらつきが特性に大きく影響を及ぼすようになる.特に,チャネル中の不純物数の統計的な揺らぎは本質的な問題である.これは,サイズが全く同じデバイスであっても,デバイス中に存在する不純物の数は一定ではなく,統計的にばらつくという問題である.この不純物数の揺らぎがそのままデバイスの特性ばらつきとなり,将来のVLSIデバイスの限界を決める要因になりうる.本研究では,不純物揺らぎによる特性ばらつきを抑制する方法として,デルタドープ型MOSデバイスを提案した.このデバイスは,チャネル部分が高不純物濃度の下層と低濃度の上層の2層で構成されている.まず,2次元デバイスシミュレーションを用いてデルタドープMOSデバイスと従来の均一チャネルドープMOSデバイスの設計を行い,しきい値電圧および短チャネル効果の比較を行った.その結果,デルタドープMOSデバイスの方が短チャネル効果に強く,またしきい値電圧を低く設定できることが明らかとなった.次に,両デバイスについて,統計的不純物揺らぎによるしきい値電圧ばらつきの大きさを定量的に求め,両者の比較を行った.その結果,デルタドープMOSデバイスの方が不純物揺らぎの効果を格段に抑制できることを明らかにした.即ち,デルタドープMOSデバイスは,短チャネル効果を抑えつつしかも不純物揺らぎを抑えることができ,将来のサブ0.1μm世代の有望なVLSIデバイスデバイスであることを明らかにした.

The performance of VLSI can be improved rapidly. Micromation can be used to improve the performance of all kinds of equipment, which has a great impact on the performance of all kinds of equipment. In this paper, we are concerned about the problem of the statistics of the number of things. There is no difference in the number of things that exist in the system. The statistics show that there is a problem with the statistics. In the future, the number of things will be limited because of the number of properties, the number of things, the number of things. The purpose of this study is to determine the characteristics of the material, the inhibition of the method, and the proposal of the proposed method. In this section, the high temperature, the lower temperature and the lower temperature. In the first two times, you can use the MOS information system to improve the performance of the MOS design company, and to compare the short-term performance of the bank. The results show that the short-term response is strong, and the low-temperature settings are not valid. The MOS is sensitive. In the second half of the year, the statistics are not available on the basis of statistics, and the statistics are comparable to those of the banks. The results show that you need to know that you are not aware of the MOS results. In other words, it is expected that the future generation of 0.1 μ m will be VLSI in the future, and that is to say, in the future, it is expected that the future generation of 0.1 μ m will be in the future.