Untersuchung von p-dotierten Schichten zur Bauelementeisolation

用于元件隔离的 p 掺杂层的研究

• 批准号: 5368684
• 负责人: Professor Dr. Lothar Frey (†)
• 金额: --
• 依托单位: Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Units
• 财政年份: 2002
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2001-12-31 至 2005-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5368684?language=en
• 关键词: Untersuchung; von; dotierten; Schichten; zur

Zur Realisierung von Bauelementen auf Siliciumkarbid ist die Erzeugung selektiv dotierter Gebiete notwendig; dies erlaubt einzig die Ionenimplantation. Im Falle von p-Dotierung existieren noch ungelöste Probleme bzgl. Aktivierung und Defektausheilung. Als flachster Akzeptor gilt Aluminium, das Ausheiltemperaturen von ca. 1700°C benötigt, um hochleitfähige und defektarme Schichten zu erzeugen. Bor als weiterer Akzeptor liegt bereits sehr tief und läßt sich kaum vollständig aktivieren. Bisherige Arbeiten hatten fast ausschließlich die Erzeugung möglichst hochleitfähiger p-dotierter Schichten zum Inhalt. Für viele Bauelemente werden p-dotierte Gebiete nur zur Erzeugung einer Raumladungszone benötigt und hohe Leitfähigkeit ist nicht notwendig. Nicht eine möglichst hohe Aktivierung und Ladungsträgerbeweglichkeit, sondern stabile Ladungsträgerverteilungen sind entscheidend. Die erzeugten pn-Strukturen müssen ausreichende Sperrfähigkeit, geringe Defektdichten und zeitlich stabiles Verhalten aufweisen. Dazu müssen, neben der Dotierverteilung, die Defekterzeugung und Ausheilung von implantierten Gebieten untersucht werden. Residuale Defekte wirken als Haftstellen, die zeitlich instabile Bauelementeeigenschaften bzw. Degradation der Bauelementecharakteristik bewirken. Im Falle der vergrabenen Schichten muß die oberflächennahe aktive Bauelementeschicht möglichst gering dotiert werden. Die Defektbildung läßt sich über Implantationsbedingungen und Ausheilverfahren beeinflussen. Der Zusammenhang zwischen diesen Prozeßbedingungen und den elektrischen Eigenschaften wird ermittelt und durch Realisierung in Testbauelementen verifiziert.

Zur Realisierung von Bauelementen auf Siliciumkarbid ist die Erzeugung selektiv dotierter Gebiete notwendig;死于离子植入。我无法解决问题。激活和防御。 Als flachster Akzeptor 镀金铝，das AusheilTemperaturen von ca。 1700°C benötigt, um hochleitfähige und defektarme Schichten zu erzeugen. Borals weiterer Akzeptor liegt bereits sehr tief and läßt sich kaum vollständig aktivieren. Bisherig Arbeiten hatten fast ausschließlich die Erzeugung möglichst hochleitfähiger p-dotierter Schichten zum Inhalt。 Für viele Bauelemente werden p-dotierte Gebiete nur zur zur Erzeugung einer Raumladungszone benötigt und hohe Leitfähigkeit ist nicht notwendig。不存在任何活动和 Ladungsträgerbeweglichkeit、sondern stable Ladungsträgerverteilungen sind entscheidend。 Die erzeugten pn-Strukturen müssen ausreichende Sperrfähigkeit, geringe Defektdichten und zeitlich stables Verhalten aufweisen。请注意，不要进行任何操作、安装和安装。 Residuale Defekte wirken als Haftstellen, die zeitlich instableile Bauelementeeigenschaften bzw.破坏元素特性的退化。 Im Falle der vergrabenen Schichten muß die oberflachennahe active Bauelementeschicht moglichst gering dotiert werden. Die Defektbildung läßt sich über Implantationsbedingungen und Ausheilverfahren beeinflussen。整个过程和电气特性均已在测试元件验证中实现。